Hybrid optical measurement technique for detection of defects in epitaxially grown 4H-SiC layers
- Recent developments in power electronics require the use of new wide bandgap compound semiconductors. Silicon carbide (SiC) is one of the most promising materials for power electronics due to its outstanding properties and commercial availability. Some types of defects in the SiC substrates or homoepitaxial SiC layers can affect the performance of electronic devices in a serious manner or make its operation even impossible. Optical methods such as imaging ellipsometry (IE) and white light interference microscopy (WLIM) were applied for fast and non-contact investigation of defects in the epitaxially grown 12 µm 4H-SiC layers on 4H- SiC substrates.
Autor*innen: | Elena Ermilova |
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Koautor*innen: | Matthias Weise, Andreas Hertwig |
Dokumenttyp: | Posterpräsentation |
Veröffentlichungsform: | Präsentation |
Sprache: | Englisch |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2022 |
Organisationseinheit der BAM: | 6 Materialchemie |
6 Materialchemie / 6.1 Oberflächen- und Dünnschichtanalyse | |
DDC-Klassifikation: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie |
Freie Schlagwörter: | Epitaxially grown 4H-SiC layers; Imaging ellipsometry; White light interference microscopy; Wide bandgap compound semiconductors |
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM: | Chemie und Prozesstechnik |
Veranstaltung: | EOS Annual Meeting (EOSAM 2022) |
Veranstaltungsort: | Porto, Portugal |
Beginndatum der Veranstaltung: | 12.09.2022 |
Enddatum der Veranstaltung: | 16.09.2022 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access") |
Datum der Freischaltung: | 22.12.2022 |
Referierte Publikation: | Nein |