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Hybrid optical measurement technique for detection of defects in epitaxially grown 4H-SiC layers

  • Recent developments in power electronics require the use of new wide bandgap compound semiconductors. Silicon carbide (SiC) is one of the most promising materials for power electronics due to its outstanding properties and commercial availability. Some types of defects in the SiC substrates or homoepitaxial SiC layers can affect the performance of electronic devices in a serious manner or make its operation even impossible. Optical methods such as imaging ellipsometry (IE) and white light interference microscopy (WLIM) were applied for fast and non-contact investigation of defects in the epitaxially grown 12 µm 4H-SiC layers on 4H- SiC substrates.

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Autor*innen:Elena Ermilova
Koautor*innen:Matthias Weise, Andreas Hertwig
Dokumenttyp:Posterpräsentation
Veröffentlichungsform:Präsentation
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2022
Organisationseinheit der BAM:6 Materialchemie
6 Materialchemie / 6.1 Oberflächen- und Dünnschichtanalyse
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Freie Schlagwörter:Epitaxially grown 4H-SiC layers; Imaging ellipsometry; White light interference microscopy; Wide bandgap compound semiconductors
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Chemie und Prozesstechnik
Veranstaltung:EOS Annual Meeting (EOSAM 2022)
Veranstaltungsort:Porto, Portugal
Beginndatum der Veranstaltung:12.09.2022
Enddatum der Veranstaltung:16.09.2022
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:22.12.2022
Referierte Publikation:Nein
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