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Effect of crystal orientation on imaging contrast and sputter results during focused ion beam milling of Cu studied by FIB, EBSD, SEM, and AFM

  • During focused ion beam microscopy (FIB) of crystalline materials imaging contrast and milling result are effected by orientation of the crystals with respect to the incident ion beam. This is due to the possibility of ion channeling along preferred crystal directions which effects the depth at which interaction between ions and specimen atoms takes place. As a result of channeling emission of ion induced secondary electrons (iiSE) and secondary ions (SI) as well as the sputter rate decreases. Theoretical channeling orientations and critical angles can be calculated. These effects have been studied quantitatively for polycrystalline recrystallized Cu as a typical model case.

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Metadaten
Autor*innen:U. Wendt, Gert Nolze, H. Heyse
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Microscopy and Microanalysis
Jahr der Erstveröffentlichung:2006
Jahrgang/Band:12
Ausgabe/Heft:Suppl. 2
Erste Seite:1302
Letzte Seite:1303
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Freie Schlagwörter:AFM; Crystal orientation; Electron backscatter diffraction; FIB
DOI:10.1017/S1431927606061812
ISSN:1431-9276
ISSN:1435-8115
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:01.11.2016
Referierte Publikation:Nein
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