Scaling of phonon frequencies and electron binding energies with interatomic distances in InxGa1−xN
- In-K-edge x-ray absorption fine structure (EXAFS), x-ray photoelectron, and Raman spectroscopy results are combined for a comprehensive study of InxGa1−xN layers with energy gaps extending over nearly the whole visible spectrum. The In–N and In–(In,Ga) distances determind by EXAFS are used for the derivation of the In–N bond ionicity as well as for the phonon frequency dependence of the LO and B21 modes, assessed by Raman, and the N 1s, In 3d5/2, Ga 3s, and Ga 2p1/2 electron binding energies on those distances. Phonon confinement due to perturbation of the periodic potential caused by the alloying is also quantified.
Autor*innen: | M. Katsikini, K. Filintoglou, F. Pinakidou, N. Pilatsikas, J. Arvanitidis, D. Christofilos, E.C. Paloura, S. Ves, Uwe Reinholz, E. Papadomanolaki, E. Lliopoulos |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Journal of Applied Physics |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2021 |
Organisationseinheit der BAM: | 6 Materialchemie |
6 Materialchemie / 6.3 Strukturanalytik | |
Verlag: | AIP Publishing |
Jahrgang/Band: | 130 |
Ausgabe/Heft: | 20 |
Erste Seite: | 205706 - 1 |
Letzte Seite: | 205706 - 9 |
DDC-Klassifikation: | Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten |
Freie Schlagwörter: | Band gap; Electronic structure; Epitaxy; Nitrides; Phonons; X-ray photoelectron |
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM: | Material |
Material / Materialdesign | |
DOI: | 10.1063/5.0069359 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access") |
Datum der Freischaltung: | 09.12.2021 |
Referierte Publikation: | Ja |
Datum der Eintragung als referierte Publikation: | 09.12.2021 |