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Scaling of phonon frequencies and electron binding energies with interatomic distances in InxGa1−xN

  • In-K-edge x-ray absorption fine structure (EXAFS), x-ray photoelectron, and Raman spectroscopy results are combined for a comprehensive study of InxGa1−xN layers with energy gaps extending over nearly the whole visible spectrum. The In–N and In–(In,Ga) distances determind by EXAFS are used for the derivation of the In–N bond ionicity as well as for the phonon frequency dependence of the LO and B21 modes, assessed by Raman, and the N 1s, In 3d5/2, Ga 3s, and Ga 2p1/2 electron binding energies on those distances. Phonon confinement due to perturbation of the periodic potential caused by the alloying is also quantified.

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Autor*innen:M. Katsikini, K. Filintoglou, F. Pinakidou, N. Pilatsikas, J. Arvanitidis, D. Christofilos, E.C. Paloura, S. Ves, Uwe Reinholz, E. Papadomanolaki, E. Lliopoulos
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Journal of Applied Physics
Jahr der Erstveröffentlichung:2021
Organisationseinheit der BAM:6 Materialchemie
6 Materialchemie / 6.3 Strukturanalytik
Verlag:AIP Publishing
Jahrgang/Band:130
Ausgabe/Heft:20
Erste Seite:205706 - 1
Letzte Seite:205706 - 9
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Freie Schlagwörter:Band gap; Electronic structure; Epitaxy; Nitrides; Phonons; X-ray photoelectron
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Material
Material / Materialdesign
DOI:10.1063/5.0069359
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:09.12.2021
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:09.12.2021
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