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Die Skalierung von Bauelementen der Mikroelektronik bis hin zu atomaren Dimensionen hat einen zunehmenden negativen Einfluss auf deren Zuverlässigkeit und mittlere Lebensdauer. Durch uneinheitliches Skalieren der räumlichen Ausdehnung im Vergleich zur Versorgungsspannung steigen die internen Energiedichten und damit die Temperatur. Diese trägt wesentlich zur Verstärkung gewisser Fehlereffekte bei. Maßnahmen wie Selbstreparatur und Entstressen können dieser Entwicklung entgegenwirken, wobei Kombinationen solcher Ansätze noch bessere Ergebnisse versprechen. Ziel der vorliegenden Dissertationsschrift ist es, eine dieser Kombinationen auf ihre Kosten und Nutzen zu untersuchen. Damit kann am Ende die Aussage getroffen werden, ob die Activity Migration eine gewinnbringende Ergänzung in einem zur Selbstreparatur genutzten M aus N System darstellt oder nicht.
Um dieses Ziel zu erreichen, werden zuerst fünf verschiedene Implementierungen des Ansatzes in einem VLIW Prozessor erstellt. Anschließend findet die Simulation der Implementierungen in verschiedenen Strukturgrößen, in Bezug auf ihr Temperaturverhalten statt. Über entsprechende Modellierungen wird daraufhin die Zuverlässigkeit und mittlere Lebensdauer der Originalsysteme, Systeme mit reinem M aus N System und den Systemen mit integrierter Activity Migration in Abhängigkeit von Temperatur und Fläche ermittelt. Die erzeugten Ergebnisse belegen, dass das Hinzufügen der Activity Migration bei den untersuchten Prozessormodellen, mit starker thermischer Kopplung zwischen Funktions- und Ersatzbaugruppen, warmer Redundanz, Rekonfiguration im laufenden Betrieb und den gegebenen Formeln zur Berechnung der Fehlerraten verschiedener Fehlermodelle, keinen nennenswerten Gewinn an Lebensdauer erbringt, da das reine M aus N System bereits zu einer deutlichen Lebensdauersteigerung führt.