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The influence of the storage time and the deposition of SiO2 on the properties of H2SO4 etched (In,Ga) As surface layers investigated by XPS and ellipsometry

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Metadaten
Autor*innen:K. Wandel, Mathias ProcopORCiD, U. Richter, R. Wolf
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Semiconductor science and technology
Jahr der Erstveröffentlichung:1993
Verlag:IOP Publ.
Verlagsort:Bristol
Jahrgang/Band:8
Erste Seite:1438
Letzte Seite:1444
ISSN:0268-1242
ISSN:1361-6641
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:07.03.2005
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