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The influence of the storage time and the deposition of SiO2 on the properties of H2SO4 etched (In,Ga) As surface layers investigated by XPS and ellipsometry
(1993)
Wandel, K.
;
Procop, Mathias
;
Richter, U.
;
Wolf, R.
The InGaAs/SiO2 interface investigated by angle resolved XPS and ellipsometry
(1993)
Gruska, B.
;
Wandel, K.
;
Procop, Mathias
Ex-situ XPS-investigation of the interface between PE-CVD SiO2 and wet chemically etched MO-CVD epitaxial layers of In0.53Ga0.47As
(1995)
Procop, Mathias
;
Wandel, K.
;
Verucchi, R.
Photoelectron spectroscopic and ellipsometric investigation of In0.53Ga0.47As surfaces after wet chemical etching
(1993)
Procop, Mathias
;
Wandel, K.
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