XTEM and TFXRD investigations of ohmic Ti/Al/Ti/Au/WSiN contacts on AlGaN/GaN HFET layer systems

  • The microstructural features of the high-temperature-stable ohmic contact system Ti/Al/Ti/Au/WSiN on AlGaN/GaN were investigated using analytical transmission electron microscopy and thin film x-ray diffraction. For two typical rapid thermal annealing steps at 750 °C (non-ohmic behaviour) and 850 °C (ohmic behaviour) the intermetallic phases at the metal-semiconductor interface are presented. Increased annealing leads to the transformation of an Al2Au-AlAuTi phase mixture to a mixture of Al2Au-Al3Au8 phases and the formation of Ti-Al-nitride layers at the interfaces. In light of these results the electrical contact properties are discussed.

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Autor*innen:Werner ÖsterleORCiD, E. Nebauer, J. Hilsenbeck, J. Würfl, A. Klein
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Semiconductor science and technology
Jahr der Erstveröffentlichung:2002
Verlag:IOP Publ.
Verlagsort:Bristol
Jahrgang/Band:17
Ausgabe/Heft:3
Erste Seite:249
Letzte Seite:254
DOI:10.1088/0268-1242/17/3/312
ISSN:0268-1242
ISSN:1361-6641
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:04.03.2003
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