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Pd/Sb(Zn) and Pd/Ge(Zn) Ohmic Contacts on p-Type Indium Gallium Arsenide: The Employment of the Solid Phase Regrowth Principle to Achieve Optimum Electrical and Metallurgical Properties

  • The development of two metallizations based on the solid-phase regrowth principle is presented, namely Pd/Sb(Zn) and Pd/Ge(Zn) on moderately doped In0.53Ga0.47As (p=4×1018 cm-3). Contact resistivities of 2–3×10-7 and 6–7×10-7 ?cm2, respectively, have been achieved, where both systems exhibit an effective contact reaction depth of zero and a Zn diffusion depth below 50 nm. Exhibiting resistivities equivalent to the lowest values of Au-based systems in this doping range, especially Pd/Sb(Zn) contacts are superior to them concerning metallurgical stability and contact penetration. Both metallizations have been successfully applied for contacting the base layer of InP/In0.53Ga0.47As heterojunction bipolar transistors.

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Autor*innen:P. Ressel, P.H. Hao, M.H. Park, Z. C. Yang, L.C. Wang, Werner ÖsterleORCiD, P. Kurpas, E. Richter, E. Kuphal, H.L. Hartnagel
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Journal of electronic materials
Jahr der Erstveröffentlichung:2000
Herausgeber (Institution):Metallurgical Society
Verlag:TMS
Verlagsort:Warrendale, Pa.
Jahrgang/Band:29
Ausgabe/Heft:7
Erste Seite:964
Letzte Seite:972
Freie Schlagwörter:Backside secondary ion mass spectrometry (SIMS); InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor; Indium gallium arsenide; Ohmic contacts; Pd/Ge contacts; Pd/Sb contacts; Solid-phase regrowth
DOI:10.1007/s11664-000-0189-y
ISSN:0361-5235
ISSN:1543-186X
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:04.07.2005
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