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Femtosecond pulse laser machining of InP wafers

  • Ablation of indium phosphide wafers in air was performed with 130 fs laser pulses at a wavelength of 800 nm at a low repetition rate of 10 Hz. In order to evaluate the role of the incubation effects, the relationship between the number of laser pulses used for the ablation and the threshold fluence was studied. Particular attention was paid to the chemical composition, surface morphology and structural variations of the ablated area.

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Metadaten
Autoren/innen:Jörn Bonse, Jörg Krüger, Wolfgang Kautek, J. M. Wrobel
Dokumenttyp:Beitrag zu einem Sammelband
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Laser applications in microelectronic and optoelectronic manufacturing V
Jahr der Erstveröffentlichung:2000
Herausgeber (Institution):United States / Air Force
Verlag:SPIE
Verlagsort:Bellingham, Wash.
Ausgabe/Heft:3933
Erste Seite:280
Letzte Seite:287
Freie Schlagwörter:Auger electron spectroscopy; Femtosecond laser ablation; Indium phosphide
Veranstaltung:5th Laser Applications in Microelectronics and Optoelectronics Manufacturing Conference (LAMOM)
Veranstaltungsort:San José, CA, USA
Beginndatum der Veranstaltung:240.01.2000
Enddatum der Veranstaltung:26.01.2000
ISSN:1605-7422
ISBN:0-8194-3550-3
Bemerkung:
Serientitel: SPIE proceedings series – Series title: SPIE proceedings series
Verfügbarkeit des Volltexts:Weder Volltext-PDF noch papiergebundenes Belegexemplar vorhanden ("No Access")
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Nein