Refine
Document Type
Institute
The electronic structure of the interface between the boron-doped oxygenated amorphous silicon “window layer” (a-SiOx:H(B)) and aluminum-doped zinc oxide (ZnO:Al) was investigated using hard x-ray photoelectron spectroscopy and compared to that of the boron-doped microcrystalline silicon (μc-Si:H(B))/ZnO:Al interface. The corresponding valence band offsets have been determined to be (−2.87 ± 0.27) eV and (−3.37 ± 0.27) eV, respectively. A lower tunnel junction barrier height at the μc-Si:H(B)/ZnO:Al interface compared to that at the a-SiOx:H(B)/ZnO:Al interface is found and linked to the higher device performances in cells where a μc-Si:H(B) buffer between the a-Si:H p-i-n absorber stack and the ZnO:Al contact is employed.
Künstliche Ablagerungen
(2022)
Der fachgerechten Einordnung von Ablagerungen, die aktiv durch den Menschen erzeugt wurden, und der daraus resultierenden Formen kommt in der Geoarchäologie eine Schlüsselrolle zu. Das Kapitel befasst sich zunächst mit künstlichen Aufschüttungen in unterschiedlichen Teilen der Welt, wie Hügeln unterschiedlicher Größe, Bedeutung und Funktion, Wallburgen, Ringwälle, Landwehren und Warften, weiterhin mit Siedlungshügeln, sogenannten Tells, sowie mit speziellen Formen der Agrarlandschaft (Raine, Knicks u. a.). Weiterhin geht es um die in der Archäologie stets bedeutsamen Verfüllungen von Gräben, Gruben und anderen menschgemachten Hohlformen, sowie um Ablagerungen im unmittelbaren Siedlungsbereich und deren Einordnung. Der letzte Abschnitt widmet sich künstlichen Ablagerungen und Formen infolge von Bergbau, wie Halden und Pingen und der damit verbundenen Beeinflussung von Böden und Relief.