TY - GEN A1 - Beyer, Harald A1 - Harendt, Andreas A1 - Koschlig, Tobias A1 - Rolle, Siegfried A1 - Roß, Werner A1 - Volkmann, Hans T1 - Das Institut für Plasma- und Lasertechnik der Technischen Fachhochschule Wildau T2 - Wissenschaftliche Beiträge 2/1998 N2 - Am 31.12.1996 endete das Wissenschaftler-Integrations-Programm (WIP) in den neuen Ländern. Es war angelegt worden, um Teilen der in der Akademie der Wissenschaften der DDR arbeitenden (und mehrfach positiv evaluierten) Wissenschaftlern eine Übergangsphase zu finanzieren, in der sie einerseits ihre Arbeit kontinuierlich fortsetzen konnten und andererseits die Integration in einer Hochschule erfolgen sollte, da die Forschungslandschaft der DDR an die bundesdeutschen Strukturen anzupassen waren. Das vorab auf zwei Jahre angelegte, 1992 gestartete Programm konnte bis 1996 verlängert werden, wenn es gelang, eine Hochschule zu finden, die bekundete, an einer Integration dieser Wissenschaftler in ihrer Einrichtung interessiert zu sein. Zielhochschule der Wissenschaftler in der von Prof. Dr. sc. H. Gündel gegründeten Gruppe, die sich in Fortführung ihrer langjährigen Forschungstätigkeit auf dem Gebiet der nichtthermischen Plasmen (auch Niedertemperaturplasmen), insbesondere zur Erzeugung von Laserlicht beschäftigte und auch noch beschäftigt, war die TFH Wildau. Dies war für eine Berliner Einrichtung einerseits ungewöhnlich, andererseits auch nahe: In der Gründungsphase der TFH Wildau lag ein besonderes Schwergewicht auf den modernen Technologien, was sich auch dadurch ausdrückte, daß es einen Fachbereich Physikalische Technik gab, der heute im Fachbereich Ingenieur- und Wirtschaftsingenieurwesen als Studienrichtung weiter besteht. Da sich für die Zukunft eine immer breitere, auch ingenieurmäßige Anwendung der Plasma- und Lasertechnik abzeichnet und an den Deutschen Fachhochschulen dieses Gebiet (insbesondere die Plasmatechnik) kaum in der Lehre vertreten wird, wurde von beiden Seiten - der TFH Wildau auf der einen und der sich damals noch als WIP AG Niedertemperaturplasmen bezeichnenden Gruppe aus Berlin auf der anderen - eine Integration in einem Institut für Plasma- und Lasertechnik (IPLT) der TFH Wildau im Fachbereich Physikalische Technik angestrebt. Y1 - 1998 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-7488 SN - 0949-8214 VL - 4 IS - 2 SP - 16 EP - 23 ER - TY - GEN A1 - Harendt, Andreas A1 - Beyer, Harald A1 - Rolle, Siegfried T1 - Die näherungsweise Lösung der elektrostatischen Aufgabe mit der Finite – Element – Methode zur Modellierung behinderter elektrischer Entladungen T2 - Wissenschaftliche Beiträge 2002 N2 - Es wird erläutert, warum man mit der Finite-Element-Methode (FEM) das elektrostatische Problem mit Grenzflächen und darauf befindlichen Flächenladungen prinzipiell nicht lösen kann. Es werden dann Verfahren entwickelt, dies näherungsweise zu tun. Anschließend wird eine Methode entwickelt, die es gestattet, aus den so erhaltenen Lösungen näherungsweise konsistent auf die Ausgangsgleichungen zurückzurechnen und so den Driftterm der Kontinuitätsgleichung für die hydrodynamische Modellierung einer Gasentladung zu ermitteln. Y1 - 2002 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-6852 SN - 0949-8214 VL - 7 SP - 15 EP - 24 ER - TY - GEN A1 - Beyer, Harald A1 - Harendt, Andreas A1 - Rolle, Siegfried A1 - Ross, Werner A1 - Volkmann, Hans T1 - TE-CO2-Laser mit variabler Impulsdauer T2 - Wissenschaftliche Beiträge 2/2000 N2 - Laserbearbeitungsverfahren wie Präzisionschneiden und Bohren erfordern den Einsatz von Laserimpulsen mit angepasster Impulsleistung (10 kW) und Impulsdauer (10 μs bis zu einigen 100 μs). Transversal elektrisch (TE) angeregte Impuls-CO2 -Laser werden bei Gasdrücken bis zu einigen 100 kPa betrieben. In diesem Bereich begrenzen jedoch einsetzende Plasmainstabilitäten die mögliche elektrische Anregungsdauer für ein homogenes nichtthermisches Entladungsplasma auf einige 100 ns [1]. Eine Verlängerung der Laserimpulsdauer ist durch Veränderung der Energietransportzeit im Lasermedium möglich. In [2,3] wurde dies durch eine Herabsetzung des CO2 -Anteils im Gasgemisch sowie durch Herabsetzung des Gasdrucks erreicht. Mit der zusätzlichen Verminderung des Heliumanteils [4] kann die Laserimpulsdauer bis zu 1000 μs ausgedehnt werden. Y1 - 2000 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-7006 SN - 0949-8214 VL - 5 IS - 2 SP - 13 EP - 16 ER - TY - GEN A1 - Beyer, Harald A1 - Pursch, Heinz A1 - Schumacher, Andreas T1 - Untersuchung des spektralen Einkoppelverhaltens von Lichtwellenleitersensoren T2 - Wissenschaftliche Beiträge 2/2000 N2 - In Schaltanlagen des Niederspannungsnetzes können Störlichtbögen zu erheblichen Schäden führen. Die Ursache der Lichtbögen ist vielfältig und reicht von Überschlägen an Isolationsstrecken über Blitzeinschläge in das Netz bis zu Kurzschlüssen, die bei Wartungs- oder Montagearbeiten verursacht werden können. Die Wirkungen von Störlichtbögen sind erheblich und können die Zerstörung der Schaltanlage zur Folge haben. Die Klöckner-Moeller GmbH hat ein Störlichtbogenschutzsystem (ARCON) entwickelt, das in die Schaltanlagen integriert wird. Da das Auftreten der Störlichtbögen nicht vorhersehbar ist, wird die gesamte Schaltanlage von Sensoren auf der Basis von Lichtwellenleitern überwacht. Für diesen Einsatzzweck sind die Sensoren so konzipiert, dass das Licht des Bogens nicht über die Stirnfläche des Lichtleiters, sondern seitlich über den Mantel in den Kern eingekoppelt wird. Die Leuchterscheinungen jedes sich bildenden Lichtbogens können von dem Sensor erfasst und an einen Detektor weitergeleitet werden, dessen Signal die Schutzmaßnahmen einleitet. Dadurch kann der Strom noch während der ersten Halbwelle abgeschaltet und der Schaden begrenzt werden. Y1 - 2000 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-7018 SN - 0949-8214 VL - 5 IS - 2 SP - 17 EP - 20 ER - TY - CHAP A1 - Geisler, Sebastian A1 - Bauer, Joachim A1 - Haak, Ulrich A1 - Stolarek, David A1 - Schulz, K. A1 - Wolf, H. A1 - Meier, W. A1 - Trojahn, M. A1 - Matthus, E. A1 - Beyer, Harald A1 - Old, G. A1 - Marschmeyer, Steffen A1 - Kuck, B. T1 - Double exposure technology for KrF lithography N2 - The application of Double Exposure Lithography (DEL) would enlarge the capability of 248 nm exposure technique to smaller pitch. We will use the DEL for the integration of critical layers for dedicated applications requiring resolution enhancement into 0.13 μm BiCMOS technology. In this paper we present the overlay precision and the focus difference of 1st and 2nd exposure as critical parameters of the DEL for k1 ≤ 0.3 lithography (100 nm half pitch) with binary masks (BIM). The realization of excellent overlay (OVL) accuracy is a main key of double exposure and double patterning techniques. We show the DEL requires primarily a good mask registration, when the wafer stays in the scanner for both exposures without alignment between 1st and 2nd exposure. The exposure tool overlay error is more a practical limit for double patterning lithography (DPL). Hence we prefer the DEL for the resolution enhancement, especially if we use the KrF high NA lithography tool for 130 nm generation. Experimental and simulated results show that the critical dimension uniformity (CDU) depends strongly on the overlay precision. The DEL results show CDU is not only affected by the OVL but also by an optical proximity effect of 1st and 2nd exposure and the mask registration. The CD uniformity of DEL demands a low focus difference between 1st and 2nd exposure and therefore requires a good focus repeatability of the exposure tool. The Depth of Focus (DOF) of 490 nm at stable CD of lines was achieved for DEL. If we change the focus of one of the exposures the CD-focus performance of spaces was reduced with simultaneous line position changing. CDU vs. focus difference between 1st and 2nd exposure demands a focus repeatability <100 nm for the exposure tool. Summary, the results show DEL has the potential to be a practical lithography enhancement method for device fabrication using high NA KrF tool generation. KW - double exposure lithography KW - double patterning lithography KW - KrF Y1 - 2008 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-15176 SP - 65 EP - 73 PB - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) ER - TY - CHAP A1 - Geisler, Sebastian A1 - Bauer, Joachim A1 - Haak, Ulrich A1 - Jagdhold, Ulrich A. A1 - Pliquett, R. A1 - Matthus, E. A1 - Schrader, R. A1 - Wolf, H. A1 - Baetz, U. A1 - Beyer, Harald A1 - Niehoff, Martin T1 - Optical proximity correction for 0.13 um SiGe:C BiCMOS N2 - We present results for a rule based optical proximity (RB-OPC) and a model based optical proximity correction (MB-OPC) for 0.13 μm SiGe:C BiCMOS technology. The technology provides integrated high performance heterojunction bipolar transistors (HBTs) with cut-off frequencies up to 300 GHz. This requires an optical proximity correction of critical layers with an excellent mask quality. This paper provides results of the MB-OPC and RB-OPC using the Mentor Calibre software in comparison to uncorrected structures (NO-OPC). We show RB- and MB-OPC methods for the shallow trench and gate layer, and the RB-OPC for the emitter window-, contact- and metal layers. We will discuss the impact of the RB- and MB-OPC rules on the process margin and yield in the 0.13 μm SiGe:C BiCMOS technology, based on CD-SEM data obtained from the evaluation of the RB- and MB-OPC corrected SRAM cells. KW - optical proximity correction KW - 0.13µm SiGe:C BiCMOS Y1 - 2008 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-15194 SP - 376 EP - 381 PB - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) ER - TY - GEN A1 - Beyer, Harald A1 - Hofmann, Mandy A1 - Trutz, Sebastian A1 - Lux, Helge A1 - Stissel, Sven A1 - Mehr, Wolfgang A1 - Schrader, Sigurd A1 - Siemroth, Peter T1 - Großflächige Abscheidung von Graphen - Ein wichtiger Schritt für neuartige Bauelemente T2 - Wissenschaftliche Beiträge 2013 N2 - Das wachsende Interesse an Graphen beruht auf seiner unverwechselbaren Bandstruktur und seinen damit zusammenhängenden herausragenden physikalischen Eigenschaften. Es wird daher weltweit nach einem Verfahren gesucht, Graphen großflächig und mit hoher Qualität abzuscheiden. In einer an der TH Wildau [FH] speziell für diese Aufgabe konzipierten Reaktionskammer wurde die Herstellung mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf katalytischen Metalloberflächen für verschiedene Parameter studiert und deren Verträglichkeit mit der CMOS -Technologie untersucht. Die ersten Tests erfolgten auf Nickel, da hier eine im Volumen stattfindende katalytische Reaktion einsetzt. In weiteren Schritten fiel die Wahl auf Kupfer, da hier die Reaktion an der Oberfläche stattfindet und daher ein stabilerer Prozess realisiert werden konnte. Die Qualitätsprüfung der erzeugten Schichten erfolgte mittels Ramanspektrometrie. Y1 - 2013 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-3169 SN - 0949-8214 VL - 17 SP - 154 EP - 159 ER - TY - GEN A1 - Beyer, Harald A1 - Harendt, Andreas A1 - Huget, Karin A1 - Koschlig, Tobias A1 - Rolle, Siegfried A1 - Ross, Werner A1 - Volkmann, Hans T1 - Das Institut für Plasma- und Lasertechnik an der TFH Wildau - Entwicklung und Kooperation mit anderen Einrichtungen T2 - Wissenschaftliche Beiträge 2001 N2 - Die Plasmatechnik gehört mittlerweile zu den Schlüsseltechnologien des nachhaltigen Wachstums und der Bewältigung des Strukturwandels der deutschen Wirtschaft. Plasmaverfahren sind zur Voraussetzung für die Herstellung von Chips für Hochleistungscomputer geworden. Mit Plasmatechnologien werden Werkstoffoberflächen veredelt und Materialien mit neuen Eigenschaften erzeugt. Es gibt Plasmalampen, die ohne Verwendung von Quecksilber hohe Lichtausbeuten und gute Farbwiedergabe erreichen. Auch bei der Entsorgung toxischer Stoffe und von Abfällen kommen Plasmatechnologien zum Einsatz. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) hat in einer Broschüre die Anwendung und Forschung auf dem Gebiet der Plasmatechnik in Deutschland zusammengestellt. In Deutschland wird jährlich eine Industrieproduktion von 45 Mio. € durch die Plasmatechnologie erst ermöglicht. Vor diesem Hintergrund soll die Entwicklung der Forschung und Ausbildung auf dem Gebiet der Plasmatechnik an der TFH Wildau beschrieben werden. Y1 - 2001 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:526-opus4-8518 SN - 0949-8214 VL - 6 SP - 38 EP - 41 ER -