@misc{BeyerHarendtKoschligetal.1998, author = {Beyer, Harald and Harendt, Andreas and Koschlig, Tobias and Rolle, Siegfried and Roß, Werner and Volkmann, Hans}, title = {Das Institut f{\"u}r Plasma- und Lasertechnik der Technischen Fachhochschule Wildau}, series = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2/1998}, volume = {4}, journal = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2/1998}, number = {2}, issn = {0949-8214}, doi = {10.15771/0949-8214_1998_2_3}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-7488}, pages = {16 -- 23}, year = {1998}, abstract = {Am 31.12.1996 endete das Wissenschaftler-Integrations-Programm (WIP) in den neuen L{\"a}ndern. Es war angelegt worden, um Teilen der in der Akademie der Wissenschaften der DDR arbeitenden (und mehrfach positiv evaluierten) Wissenschaftlern eine {\"U}bergangsphase zu finanzieren, in der sie einerseits ihre Arbeit kontinuierlich fortsetzen konnten und andererseits die Integration in einer Hochschule erfolgen sollte, da die Forschungslandschaft der DDR an die bundesdeutschen Strukturen anzupassen waren. Das vorab auf zwei Jahre angelegte, 1992 gestartete Programm konnte bis 1996 verl{\"a}ngert werden, wenn es gelang, eine Hochschule zu finden, die bekundete, an einer Integration dieser Wissenschaftler in ihrer Einrichtung interessiert zu sein. Zielhochschule der Wissenschaftler in der von Prof. Dr. sc. H. G{\"u}ndel gegr{\"u}ndeten Gruppe, die sich in Fortf{\"u}hrung ihrer langj{\"a}hrigen Forschungst{\"a}tigkeit auf dem Gebiet der nichtthermischen Plasmen (auch Niedertemperaturplasmen), insbesondere zur Erzeugung von Laserlicht besch{\"a}ftigte und auch noch besch{\"a}ftigt, war die TFH Wildau. Dies war f{\"u}r eine Berliner Einrichtung einerseits ungew{\"o}hnlich, andererseits auch nahe: In der Gr{\"u}ndungsphase der TFH Wildau lag ein besonderes Schwergewicht auf den modernen Technologien, was sich auch dadurch ausdr{\"u}ckte, daß es einen Fachbereich Physikalische Technik gab, der heute im Fachbereich Ingenieur- und Wirtschaftsingenieurwesen als Studienrichtung weiter besteht. Da sich f{\"u}r die Zukunft eine immer breitere, auch ingenieurm{\"a}ßige Anwendung der Plasma- und Lasertechnik abzeichnet und an den Deutschen Fachhochschulen dieses Gebiet (insbesondere die Plasmatechnik) kaum in der Lehre vertreten wird, wurde von beiden Seiten - der TFH Wildau auf der einen und der sich damals noch als WIP AG Niedertemperaturplasmen bezeichnenden Gruppe aus Berlin auf der anderen - eine Integration in einem Institut f{\"u}r Plasma- und Lasertechnik (IPLT) der TFH Wildau im Fachbereich Physikalische Technik angestrebt.}, language = {de} } @misc{HarendtBeyerRolle2002, author = {Harendt, Andreas and Beyer, Harald and Rolle, Siegfried}, title = {Die n{\"a}herungsweise L{\"o}sung der elektrostatischen Aufgabe mit der Finite - Element - Methode zur Modellierung behinderter elektrischer Entladungen}, series = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2002}, volume = {7}, journal = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2002}, issn = {0949-8214}, doi = {10.15771/0949-8214_2002_4}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-6852}, pages = {15 -- 24}, year = {2002}, abstract = {Es wird erl{\"a}utert, warum man mit der Finite-Element-Methode (FEM) das elektrostatische Problem mit Grenzfl{\"a}chen und darauf befindlichen Fl{\"a}chenladungen prinzipiell nicht l{\"o}sen kann. Es werden dann Verfahren entwickelt, dies n{\"a}herungsweise zu tun. Anschließend wird eine Methode entwickelt, die es gestattet, aus den so erhaltenen L{\"o}sungen n{\"a}herungsweise konsistent auf die Ausgangsgleichungen zur{\"u}ckzurechnen und so den Driftterm der Kontinuit{\"a}tsgleichung f{\"u}r die hydrodynamische Modellierung einer Gasentladung zu ermitteln.}, language = {de} } @misc{BeyerHarendtRolleetal.2000, author = {Beyer, Harald and Harendt, Andreas and Rolle, Siegfried and Ross, Werner and Volkmann, Hans}, title = {TE-CO2-Laser mit variabler Impulsdauer}, series = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2/2000}, volume = {5}, journal = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2/2000}, number = {2}, issn = {0949-8214}, doi = {10.15771/0949-8214_2000_2_2}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-7006}, pages = {13 -- 16}, year = {2000}, abstract = {Laserbearbeitungsverfahren wie Pr{\"a}zisionschneiden und Bohren erfordern den Einsatz von Laserimpulsen mit angepasster Impulsleistung (10 kW) und Impulsdauer (10 μs bis zu einigen 100 μs). Transversal elektrisch (TE) angeregte Impuls-CO2 -Laser werden bei Gasdr{\"u}cken bis zu einigen 100 kPa betrieben. In diesem Bereich begrenzen jedoch einsetzende Plasmainstabilit{\"a}ten die m{\"o}gliche elektrische Anregungsdauer f{\"u}r ein homogenes nichtthermisches Entladungsplasma auf einige 100 ns [1]. Eine Verl{\"a}ngerung der Laserimpulsdauer ist durch Ver{\"a}nderung der Energietransportzeit im Lasermedium m{\"o}glich. In [2,3] wurde dies durch eine Herabsetzung des CO2 -Anteils im Gasgemisch sowie durch Herabsetzung des Gasdrucks erreicht. Mit der zus{\"a}tzlichen Verminderung des Heliumanteils [4] kann die Laserimpulsdauer bis zu 1000 μs ausgedehnt werden.}, language = {de} } @misc{BeyerPurschSchumacher2000, author = {Beyer, Harald and Pursch, Heinz and Schumacher, Andreas}, title = {Untersuchung des spektralen Einkoppelverhaltens von Lichtwellenleitersensoren}, series = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2/2000}, volume = {5}, journal = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2/2000}, number = {2}, issn = {0949-8214}, doi = {10.15771/0949-8214_2000_2_3}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-7018}, pages = {17 -- 20}, year = {2000}, abstract = {In Schaltanlagen des Niederspannungsnetzes k{\"o}nnen St{\"o}rlichtb{\"o}gen zu erheblichen Sch{\"a}den f{\"u}hren. Die Ursache der Lichtb{\"o}gen ist vielf{\"a}ltig und reicht von {\"U}berschl{\"a}gen an Isolationsstrecken {\"u}ber Blitzeinschl{\"a}ge in das Netz bis zu Kurzschl{\"u}ssen, die bei Wartungs- oder Montagearbeiten verursacht werden k{\"o}nnen. Die Wirkungen von St{\"o}rlichtb{\"o}gen sind erheblich und k{\"o}nnen die Zerst{\"o}rung der Schaltanlage zur Folge haben. Die Kl{\"o}ckner-Moeller GmbH hat ein St{\"o}rlichtbogenschutzsystem (ARCON) entwickelt, das in die Schaltanlagen integriert wird. Da das Auftreten der St{\"o}rlichtb{\"o}gen nicht vorhersehbar ist, wird die gesamte Schaltanlage von Sensoren auf der Basis von Lichtwellenleitern {\"u}berwacht. F{\"u}r diesen Einsatzzweck sind die Sensoren so konzipiert, dass das Licht des Bogens nicht {\"u}ber die Stirnfl{\"a}che des Lichtleiters, sondern seitlich {\"u}ber den Mantel in den Kern eingekoppelt wird. Die Leuchterscheinungen jedes sich bildenden Lichtbogens k{\"o}nnen von dem Sensor erfasst und an einen Detektor weitergeleitet werden, dessen Signal die Schutzmaßnahmen einleitet. Dadurch kann der Strom noch w{\"a}hrend der ersten Halbwelle abgeschaltet und der Schaden begrenzt werden.}, language = {de} } @inproceedings{GeislerBauerHaaketal.2008, author = {Geisler, Sebastian and Bauer, Joachim and Haak, Ulrich and Stolarek, David and Schulz, K. and Wolf, H. and Meier, W. and Trojahn, M. and Matthus, E. and Beyer, Harald and Old, G. and Marschmeyer, Steffen and Kuck, B.}, title = {Double exposure technology for KrF lithography}, publisher = {Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-15176}, pages = {65 -- 73}, year = {2008}, abstract = {The application of Double Exposure Lithography (DEL) would enlarge the capability of 248 nm exposure technique to smaller pitch. We will use the DEL for the integration of critical layers for dedicated applications requiring resolution enhancement into 0.13 μm BiCMOS technology. In this paper we present the overlay precision and the focus difference of 1st and 2nd exposure as critical parameters of the DEL for k1 ≤ 0.3 lithography (100 nm half pitch) with binary masks (BIM). The realization of excellent overlay (OVL) accuracy is a main key of double exposure and double patterning techniques. We show the DEL requires primarily a good mask registration, when the wafer stays in the scanner for both exposures without alignment between 1st and 2nd exposure. The exposure tool overlay error is more a practical limit for double patterning lithography (DPL). Hence we prefer the DEL for the resolution enhancement, especially if we use the KrF high NA lithography tool for 130 nm generation. Experimental and simulated results show that the critical dimension uniformity (CDU) depends strongly on the overlay precision. The DEL results show CDU is not only affected by the OVL but also by an optical proximity effect of 1st and 2nd exposure and the mask registration. The CD uniformity of DEL demands a low focus difference between 1st and 2nd exposure and therefore requires a good focus repeatability of the exposure tool. The Depth of Focus (DOF) of 490 nm at stable CD of lines was achieved for DEL. If we change the focus of one of the exposures the CD-focus performance of spaces was reduced with simultaneous line position changing. CDU vs. focus difference between 1st and 2nd exposure demands a focus repeatability <100 nm for the exposure tool. Summary, the results show DEL has the potential to be a practical lithography enhancement method for device fabrication using high NA KrF tool generation.}, language = {en} } @inproceedings{GeislerBauerHaaketal.2008, author = {Geisler, Sebastian and Bauer, Joachim and Haak, Ulrich and Jagdhold, Ulrich A. and Pliquett, R. and Matthus, E. and Schrader, R. and Wolf, H. and Baetz, U. and Beyer, Harald and Niehoff, Martin}, title = {Optical proximity correction for 0.13 um SiGe:C BiCMOS}, publisher = {Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-15194}, pages = {376 -- 381}, year = {2008}, abstract = {We present results for a rule based optical proximity (RB-OPC) and a model based optical proximity correction (MB-OPC) for 0.13 μm SiGe:C BiCMOS technology. The technology provides integrated high performance heterojunction bipolar transistors (HBTs) with cut-off frequencies up to 300 GHz. This requires an optical proximity correction of critical layers with an excellent mask quality. This paper provides results of the MB-OPC and RB-OPC using the Mentor Calibre software in comparison to uncorrected structures (NO-OPC). We show RB- and MB-OPC methods for the shallow trench and gate layer, and the RB-OPC for the emitter window-, contact- and metal layers. We will discuss the impact of the RB- and MB-OPC rules on the process margin and yield in the 0.13 μm SiGe:C BiCMOS technology, based on CD-SEM data obtained from the evaluation of the RB- and MB-OPC corrected SRAM cells.}, language = {en} } @misc{BeyerHofmannTrutzetal.2013, author = {Beyer, Harald and Hofmann, Mandy and Trutz, Sebastian and Lux, Helge and Stissel, Sven and Mehr, Wolfgang and Schrader, Sigurd and Siemroth, Peter}, title = {Großfl{\"a}chige Abscheidung von Graphen - Ein wichtiger Schritt f{\"u}r neuartige Bauelemente}, series = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2013}, volume = {17}, journal = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2013}, issn = {0949-8214}, doi = {10.15771/0949-8214_2013_1_27}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-3169}, pages = {154 -- 159}, year = {2013}, abstract = {Das wachsende Interesse an Graphen beruht auf seiner unverwechselbaren Bandstruktur und seinen damit zusammenh{\"a}ngenden herausragenden physikalischen Eigenschaften. Es wird daher weltweit nach einem Verfahren gesucht, Graphen großfl{\"a}chig und mit hoher Qualit{\"a}t abzuscheiden. In einer an der TH Wildau [FH] speziell f{\"u}r diese Aufgabe konzipierten Reaktionskammer wurde die Herstellung mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf katalytischen Metalloberfl{\"a}chen f{\"u}r verschiedene Parameter studiert und deren Vertr{\"a}glichkeit mit der CMOS -Technologie untersucht. Die ersten Tests erfolgten auf Nickel, da hier eine im Volumen stattfindende katalytische Reaktion einsetzt. In weiteren Schritten fiel die Wahl auf Kupfer, da hier die Reaktion an der Oberfl{\"a}che stattfindet und daher ein stabilerer Prozess realisiert werden konnte. Die Qualit{\"a}tspr{\"u}fung der erzeugten Schichten erfolgte mittels Ramanspektrometrie.}, language = {de} } @misc{BeyerHarendtHugetetal.2001, author = {Beyer, Harald and Harendt, Andreas and Huget, Karin and Koschlig, Tobias and Rolle, Siegfried and Ross, Werner and Volkmann, Hans}, title = {Das Institut f{\"u}r Plasma- und Lasertechnik an der TFH Wildau - Entwicklung und Kooperation mit anderen Einrichtungen}, series = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2001}, volume = {6}, journal = {Wissenschaftliche Beitr{\"a}ge 2001}, issn = {0949-8214}, doi = {10.15771/0949-8214_2001_6}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:526-opus4-8518}, pages = {38 -- 41}, year = {2001}, abstract = {Die Plasmatechnik geh{\"o}rt mittlerweile zu den Schl{\"u}sseltechnologien des nachhaltigen Wachstums und der Bew{\"a}ltigung des Strukturwandels der deutschen Wirtschaft. Plasmaverfahren sind zur Voraussetzung f{\"u}r die Herstellung von Chips f{\"u}r Hochleistungscomputer geworden. Mit Plasmatechnologien werden Werkstoffoberfl{\"a}chen veredelt und Materialien mit neuen Eigenschaften erzeugt. Es gibt Plasmalampen, die ohne Verwendung von Quecksilber hohe Lichtausbeuten und gute Farbwiedergabe erreichen. Auch bei der Entsorgung toxischer Stoffe und von Abf{\"a}llen kommen Plasmatechnologien zum Einsatz. Das Bundesministerium f{\"u}r Bildung und Forschung (BMBF) hat in einer Brosch{\"u}re die Anwendung und Forschung auf dem Gebiet der Plasmatechnik in Deutschland zusammengestellt. In Deutschland wird j{\"a}hrlich eine Industrieproduktion von 45 Mio. € durch die Plasmatechnologie erst erm{\"o}glicht. Vor diesem Hintergrund soll die Entwicklung der Forschung und Ausbildung auf dem Gebiet der Plasmatechnik an der TFH Wildau beschrieben werden.}, language = {de} }