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Kinetic equations for the density correlation and density-density response function are derived. Solving these equations numerically and comparing its solution with the adiabatic approximation the change in the transmitted spectrum of a single electronic transition is calculated where a red-shift can be observed.
Es werden kinetische Gleichungen für die Di Dichtekorrelationsfunktion und die Dichte-Dichte-Responsefunktion abgeleitet. Die numerische Lösung dieser Gleichungen wird mit der adiabatischen Approximation verglichen. Die Berechnung der Änderung im Transmissionsspektrum für einen einzelnen elektronischen Übergang ergibt eine Rotverschiebung.
Due to the influence of a strong electromagnetic field an induced gap is expected to occur in the band structure of a semiconductor. In this paper the influence of the damping by electron–phonon collisions and by recombination on the new band structure is investigated. Taking into account damping kinetic equations for the electrons are derived and discussed with the help of calculations.
Unter dem Einfluß eines starken elektromagnetischen Feldes kommt es in der Bandstruktur eines Halbleiters zur Ausbildung eines Zusatzgaps. In dieser Arbeit wird der Einfluß der Dämpfung durch Elektron–Phononstöße und Rekombination auf die neue Bandstruktur untersucht. Weiterhin werden kinetische Gleichungen unter Berücksichtigung der Dämpfung abgeleitet und an Hand von numerischen Berechnungen diskutiert.