TY - JOUR A1 - Hartmann, Michael A1 - Zimmermann, R. A1 - Stolz, Heinrich T1 - Kinetics of Screening in Optically Excited Semiconductors JF - Physica Status Solidi (B) N2 - Kinetic equations for the density correlation and density-density response function are derived. Solving these equations numerically and comparing its solution with the adiabatic approximation the change in the transmitted spectrum of a single electronic transition is calculated where a red-shift can be observed. Es werden kinetische Gleichungen für die Di Dichtekorrelationsfunktion und die Dichte-Dichte-Responsefunktion abgeleitet. Die numerische Lösung dieser Gleichungen wird mit der adiabatischen Approximation verglichen. Die Berechnung der Änderung im Transmissionsspektrum für einen einzelnen elektronischen Übergang ergibt eine Rotverschiebung. KW - Physics KW - Kinetics Y1 - 1990 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:0298-opus4-6028 VL - 159 IS - 1 SP - 35 EP - 42 ER - TY - JOUR A1 - Zimmermann, R. A1 - Hartmann, Michael T1 - Theory of the dynamical stark effect of excitons in CdS JF - Journal of Crystal Growth N2 - The dynamical Stark effect of excitons in CdS bulk crystals has been measured recently using differential transmission spectroscopy (DTS). A general DTS formula is derived taking into account exciton-exciton interaction. A perculiar influence of the pump and test polarization on its magnitude is predicted. Concerning the dephasing (transverse relaxation), coupling to optical phonons is treated on a microscopic level. A density-matrix approach leads to the imaginary part of the exciton-phonon self energy. Its strong frequency dependence which shows up as a non-Markoff relaxation strongly suppresses the relaxation for the pump pulse at large detuning. A more sophisticated approach using the non-equilibrium Green function gives deeper insight into the underlying scattering processes. KW - Physics Y1 - 1990 N1 - Volltext aus urheberrechtlichen Gründen nicht verfügbar. Full text due to copyright not available. VL - 101 IS - 1-4 SP - 341 EP - 345 ER - TY - JOUR A1 - Zimmermann, R. A1 - Hartmann, Michael T1 - Resonant and Off-Resonant Light–Matter Interaction in Semiconductors Kinetics and Transients JF - Physica Status Solidi (B) N2 - Kinetic problems for off-resonance excitation (dynamical Stark effect) and resonant excitation (laser-induced gaps) are studied. Within the Hartree-Fock theory, Stark shift and bleaching of the exciton line are evaluated. The influence of photon statistics on light-induced gaps is investigated. Open questions concerning the transient response are clarified. Es werden kinetische Probleme für nichtresonante Anregung (dynamischer Stark-Effekt) und resonante Anregung (laserinduzierte Lücken) betrachtet. Im Rahmen der Hartree-Fock-Theorie werden Stark-Verschiebung und Oszillatorstärkenänderung für die Exzitonlinie berechnet. Der Einfluß der Photon-Statistik auf die lichtinduzierten Lücken wird untersucht. Einige offene Fragen des Kurzzeit-Response werden geklärt. KW - Physics KW - Kinetics KW - Semiconductors Y1 - 1988 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:0298-opus4-6048 VL - 150 IS - 2 SP - 365 EP - 378 ER - TY - JOUR A1 - Hartmann, Michael A1 - Zimmermann, R. A1 - Stolz, Heinrich T1 - Carrier Kinetics in a Semiconductor with Light-Induced Gaps JF - Physica Status Solidi (B) N2 - Due to the influence of a strong electromagnetic field an induced gap is expected to occur in the band structure of a semiconductor. In this paper the influence of the damping by electron–phonon collisions and by recombination on the new band structure is investigated. Taking into account damping kinetic equations for the electrons are derived and discussed with the help of calculations. Unter dem Einfluß eines starken elektromagnetischen Feldes kommt es in der Bandstruktur eines Halbleiters zur Ausbildung eines Zusatzgaps. In dieser Arbeit wird der Einfluß der Dämpfung durch Elektron–Phononstöße und Rekombination auf die neue Bandstruktur untersucht. Weiterhin werden kinetische Gleichungen unter Berücksichtigung der Dämpfung abgeleitet und an Hand von numerischen Berechnungen diskutiert. KW - Physics KW - Kinetics KW - Semiconductors Y1 - 1988 N1 - Volltext aus urheberrechtlichen Gründen nicht verfügbar. Fulltext due to copyright not available. VL - 146 IS - 1 SP - 357 EP - 369 ER -