@article{ZimmermannHartmann1988, author = {Zimmermann, R. and Hartmann, Michael}, title = {Resonant and Off-Resonant Light-Matter Interaction in Semiconductors Kinetics and Transients}, series = {Physica Status Solidi (B)}, volume = {150}, journal = {Physica Status Solidi (B)}, number = {2}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:0298-opus4-6048}, pages = {365 -- 378}, year = {1988}, abstract = {Kinetic problems for off-resonance excitation (dynamical Stark effect) and resonant excitation (laser-induced gaps) are studied. Within the Hartree-Fock theory, Stark shift and bleaching of the exciton line are evaluated. The influence of photon statistics on light-induced gaps is investigated. Open questions concerning the transient response are clarified. Es werden kinetische Probleme f{\"u}r nichtresonante Anregung (dynamischer Stark-Effekt) und resonante Anregung (laserinduzierte L{\"u}cken) betrachtet. Im Rahmen der Hartree-Fock-Theorie werden Stark-Verschiebung und Oszillatorst{\"a}rken{\"a}nderung f{\"u}r die Exzitonlinie berechnet. Der Einfluß der Photon-Statistik auf die lichtinduzierten L{\"u}cken wird untersucht. Einige offene Fragen des Kurzzeit-Response werden gekl{\"a}rt.}, language = {en} } @article{HartmannZimmermannStolz1988, author = {Hartmann, Michael and Zimmermann, R. and Stolz, Heinrich}, title = {Carrier Kinetics in a Semiconductor with Light-Induced Gaps}, series = {Physica Status Solidi (B)}, volume = {146}, journal = {Physica Status Solidi (B)}, number = {1}, pages = {357 -- 369}, year = {1988}, abstract = {Due to the influence of a strong electromagnetic field an induced gap is expected to occur in the band structure of a semiconductor. In this paper the influence of the damping by electron-phonon collisions and by recombination on the new band structure is investigated. Taking into account damping kinetic equations for the electrons are derived and discussed with the help of calculations. Unter dem Einfluß eines starken elektromagnetischen Feldes kommt es in der Bandstruktur eines Halbleiters zur Ausbildung eines Zusatzgaps. In dieser Arbeit wird der Einfluß der D{\"a}mpfung durch Elektron-Phononst{\"o}ße und Rekombination auf die neue Bandstruktur untersucht. Weiterhin werden kinetische Gleichungen unter Ber{\"u}cksichtigung der D{\"a}mpfung abgeleitet und an Hand von numerischen Berechnungen diskutiert.}, language = {en} }