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Eine stetig gleichbleibende hohe Qualität zu fertigen, ist erklärtes Ziel des Spritzgießgewer-bes. Aus technischen oder wirtschaftlichen Gründen ist es jedoch nicht möglich, für konstan-te Produktionsrahmenbedingungen zu sorgen. Die effizienteste Methode ist , die Schwan-kungen über die Wahl der richtigen Prozessführungsmethode auszugleichen. Im ersten Teil der Arbeit konnte herausgefunden werden, welche praxisrelevanten Störgrö-ßen einen Einfluss auf den Spritzgießprozess haben und wie sie sich auswirken. Bei den Materialparametern sind Änderungen der Viskosität (15 %) und der Einfriertemperatur des Materials (4 °C) am Einzug festzustellen. Zusätzlich veränderte sich das Messverhalten der Drucksensoren, wodurch ein Drift von 5 bar entstand. Störgrößenbedingt änderten sich auch die Prozesstemperaturen um 1 °C. Im zweiten Teil der Arbeit werden diverse, während der Arbeit entwickelte, Prozessfüh-rungsmethoden miteinander verglichen. Aufgabe war es, die im ersten Teil gefundenen rea-len störgrößenbedingten Einflüsse zu kompensieren. Es stellte sich heraus, dass sich ledig-lich die materialbedingten Schwankungen nicht ausgleichen lassen. Zumindest können de-ren Auswirkungen durch eine Regelung der werkstoffnahen Parameter abschwächt werden.
Recent development of GaN power transistors with blocking voltages up to 650V enables novel power electronics applications with outstanding performance in high-frequency operation. This paper demonstrates a class E power amplifier with 13.56MHz switching frequency for inductively coupled DC power supplies. Continuous wave output power up to 200W is achieved with 95% Power Added Efficiency (PAE).
Benedigtbeuerer Reinraumtage
(2015)
Optimieren durch Simulieren
(2015)
A DDR2 DRAM test setup is developed and implemented on the Griffin III ATE test system from HILEVEL Technologies. The test system provides a raw platform for performing various mixed signal and digital tests. In order to configure patterns easily in a vector format, a software platform is developed to manage test patterns according to the user's analysis needs. As examples, retention test patterns with disabled self-refresh are applied to 2 Gbit DDR2 SDRAM of two different DRAM vendors. The devices are characterized in respect to their intrinsic leakage and data retention behavior under the influence of stress conditions such as temperature or access algorithm. The tests are automated and test data is logged for an off-line data analysis. Data is recorded before and after solder simulation steps in order to observe a retention time degradation.