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Temperature and Frequency Dependent Characteristics of Amorphous Silicon Thin Film Transistors
(1995)
Bemessung mit Beschränkung der Rißbreiten hinsichtlich der Wasserundurchlässigkeit von Tunnelschalen
(1996)
Werden zweischalige Tunnelröhren mit einer Folienabdichtung versehen, kann bei entsprechender Formgebung und Betontechnologie, die begrenzte Abbindetemperaturen vorschreibt, eine unbewehrte Innenschale zur Ausfuehrung kommen. Mit grossen Rissbreiten ist zu rechnen, die jedoch die Tragfähigkeit nicht beeinflussen. Die Rissgefahr sollte aber unbedingt mit dem Auftraggeber abgesprochen werden. Wird die Innenschale direkt auf die Aussenschale betoniert, so reicht zur Aufnahme der Zwangsspannungen aus abfliessender Hydratationswaerme und Schwinden eine Mindestbewehrung von 1 Promille an der Bergseite und 2 Promille an der Luftseite der Innenschale aus. Bedingung ist jedoch eine gute Betontechnologie, die die Temperaturdifferenzen aus abfliessender Hydratationswaerme auf höchstens 20 K begrenzt. (A)
We report temperature measurements of inverted staggered amorphous silicon thin film transistor subthreshold conductance for devices with and without a top silicon nitride passivating layer. Subthreshold conductance activation energies clearly show the different conductance paths in the active layer of these devices. Transistors with no top nitride layer conduct in the bulk amorphous silicon, whereas the devices with a top nitride layer conduct at the interface between the amorphous silicon and the top nitride (a ‘‘back’’ channel). Gate bias stressing and light soaking experiments uphold the existence of the back channel. We also present two‐dimensional simulations that support our interpretation of the experimental data.
Analytical Models for Amorphous Silicon and Polysilicon TFTs for High Definition Display Technology
(1996)
Plattentragwerke
(1997)