TY - JOUR A1 - Pecqueur, Sébastien A1 - Maltenberger, Anna A1 - Petrukhina, Marina A. A1 - Halik, Marcus A1 - Jaeger, Arndt A1 - Pentlehner, Dominik A1 - Schmid, Günter T1 - Bismut-haltige p-Dotanden mit großer Bandlücke für optoelektronische Anwendungen JF - Angewandte Chemie N2 - Zehn neue p‐Dotanden für die Leitfähigkeitsdotierung von organischen Halbleitern wurden identifiziert. Der wesentliche Vorteil der elektrophilen Tris(carboxylato)‐Bismut(III)‐Verbindungen ist die niedrige Absorption der damit dotierten Schichten. Diese Eigenschaft zusammen mit ihren niedrigen Herstellungskosten sowie der guten Verdampfbarkeit und Stabilität macht diese Dotanden sehr attraktiv für Anwendungen in der organischen Elektronik. KW - p-Dotanden KW - Organische Halbleiter KW - Bismut Y1 - 2016 IS - 128(35) PB - Wiley-VCH Verlag CY - Weinheim ER -