TY - THES A1 - Dechant, Eduard T1 - Aufbau- und Verbindungstechniken auf Basis von Leiterplattentechnologien für WBG-Leistungstransistoren T1 - Packaging and interconnection technologies based on printed circuit board technologies for WBG power transistors N2 - Diese Arbeit untersucht Aufbau- und Verbindungstechniken auf Basis von Leiterplattentechnologien für Wide-Bandgap-Leistungstransistoren mit schnellen Schaltvorgängen. Mit dem Ziel ein überschwingungsfreies Schalten zu erreichen, werden niederinduktive Konzepte für Zweilevel- und Dreilevel-Inverter im Hinblick auf verschiedene Schichtdicken bzw. Leiterplattentechnologien vorgestellt und diskutiert. Dabei konnte gezeigt werden, dass Schaltzellen unter Berücksichtigung von parasitären Kapazitäten so niederinduktiv gestaltet werden können, dass ein Überschwingen beim Schaltvorgang keine Limitierung mehr darstellt. Neuartige Aufbau- und Verbindungstechniken, wie die Integration der Halbleiter in den Kern der Leiterplatte, können zudem die elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften im Vergleich zu konventionellen Bauelementen verbessern. Dünnfilmtechnologien zeigen eine bessere Störfestigkeit bzw. ein geringeres Übersprechen auf andere Signalleitungen. Außerdem wurden Filtermaßnahmen zur Reduzierung von hochfrequenten Störspannungen, die durch kurze Schaltzeiten entstehen, untersucht. N2 - This work investigates packaging and interconnection technologies based on printed circuit board technologies for wide-bandgap semiconductors with fast switching transients. In order to minimize voltage overshoots and ringing, low-inductance designs for two- and three-level topologies are presented and the influence of the layer thickness with respect to circuit board technologies is discussed. Due to the low inductance designs, voltage overshoots are no longer a limitation for switching cells. Novel packaging and interconnection technologies, such as the integration of bare dies in the core of the circuit board, improve the electrical, thermal and mechanical properties compared to discrete components. A benefit of thin-film technologies is the interference immunity. Furthermore, filters for reducing high-frequency interference voltages caused by fast switching were investigated. KW - WBG-Leistungstransistoren Y1 - 2022 UR - https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220614-1648042-1-0 ER - TY - CHAP A1 - Dechant, Eduard A1 - Seliger, Norbert A1 - Kennel, Ralph T1 - Common Mode DGS EMI Filter Integrated into a GaN Half Bridge Switching Cell T2 - Procceedings International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM 2022) KW - EMI filter, DGS, GaN-HEMTs, Switching Cell Y1 - 2022 PB - Mesago ER - TY - CHAP A1 - Seliger, Norbert A1 - Dechant, Eduard A1 - Kennel, Ralph T1 - EMI mitigation by substrate integrated common mode filter T2 - Proceedings of 12th International Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2022) KW - EMI filter, DGS, GaN-HEMTs Y1 - 2022 PB - VDE CY - Berlin (Germany) ER -