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    <issue>128(35)</issue>
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    <type>article</type>
    <publisherName>Wiley-VCH Verlag</publisherName>
    <publisherPlace>Weinheim</publisherPlace>
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    <title language="deu">Bismut-haltige p-Dotanden mit großer Bandlücke für optoelektronische Anwendungen</title>
    <abstract language="deu">Zehn neue p‐Dotanden für die Leitfähigkeitsdotierung von organischen Halbleitern wurden identifiziert. Der wesentliche Vorteil der elektrophilen Tris(carboxylato)‐Bismut(III)‐Verbindungen ist die niedrige Absorption der damit dotierten Schichten. Diese Eigenschaft zusammen mit ihren niedrigen Herstellungskosten sowie der guten Verdampfbarkeit und Stabilität macht diese Dotanden sehr attraktiv für Anwendungen in der organischen Elektronik.</abstract>
    <parentTitle language="deu">Angewandte Chemie</parentTitle>
    <author>Sébastien Pecqueur</author>
    <author>Anna Maltenberger</author>
    <author>Marina A. Petrukhina</author>
    <author>Marcus Halik</author>
    <author>Arndt Jaeger</author>
    <author>Dominik Pentlehner</author>
    <author>Günter Schmid</author>
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      <type>uncontrolled</type>
      <value>p-Dotanden</value>
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      <type>uncontrolled</type>
      <value>Organische Halbleiter</value>
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      <value>Bismut</value>
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    <collection role="ddc" number="54">Chemie</collection>
    <collection role="ddc" number="620">Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten</collection>
    <collection role="institutes" number="">Fakultät für Chemische Technologie und Wirtschaft</collection>
    <thesisPublisher>Technische Hochschule Rosenheim</thesisPublisher>
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