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Bei der Schultersteife handelt es sich um ein häufiges Krankheitsbild in der Orthopädie bzw. Schulterchirurgie, das sowohl bei Ärztinnen und Ärzten (Allgemeinmedizinerinnen und mediziner, Fachärztinnen und -ärzte) als auch bei sonstigem medizinischem Fachpersonal, z.B. der Physiotherapie oder Pflege, nur einen geringen Bekanntheitsgrad besitzt. Zielorientierung dieser Leitlinie war es, eine fundierte Hilfestellung und Richtlinie in Bezug auf das Krankheitsbild für Ärztinnen, Ärzte und medizinisches Fachpersonal zu schaffen, den aktuellen evidenz-basierten Wissensstand zu vermitteln und eine bessere Patientinnen- und Patientenversorgung zu erzielen, inkl. der intensiven Aufklärung der Betroffenen durch die behandelnden Berufsgruppen und – wenn von den Betroffenen gewünscht – einer gemeinsamen Entscheidungsfindung bezüglich der Behandlung.
Silicon tip arrays were fabricated by means of reactive ion etching followed by oxidation for final sharpening and molybdenum thin film coating. The field-emission (FE) properties of these Mo-coated p-Si tip arrays were systemically investigated by different measurement techniques. Integral measurements in diode configuration yielded a turn-on field (for 1 nA) of 22 V/μm and nearly stable FE currents up to 6.6 μA at 38 V/μm. The effective field enhancements factor extracted from the FN plots is about 180. Detailed investigations of these FE arrays were also performed by means of field emission scanning microscopy combined with electron microscopy. A rather limited efficiency of the tips (50% at 1500 V) and FE homogeneity (180 nA at 700 V) might be correlated with the varying morphology of the tips and the presence of oxides. Local I-V measurements of selected single tips revealed both activation and deactivation effects, which finally resulted in nearly reproducible I-V curves. Current stability measurements at a constant voltage showed rather large fluctuations (0.1-1 μA) of the FE current, which could be reduced up to 1.7% by using of a PID-regulated voltage source. SEM images showed unchanged tip shape after the current processing.
Aligned square arrays of black silicon (b-Si) on top of pillars were fabricated on p-type silicon substrate by a deep-etching step combined with a b-Si process. Two 10×10 arrays with pillar heights of 8 μm and 20 μm and one b-Si reference sample without pillars were investigated. Integral field emission (FE) measurements of the arrays yielded rather low onset-fields between 6.4 V/μm and 13.5 V/μm and field enhancement factors between 430 and 800. The I-V curves showed typical Fowler-Nordheim behavior for low fields, whereas a saturation region was observed at higher fields. The maximum integral current in the saturation region was 8 μA at a field of 20 V/μm. The stability of the emission current was investigated over 3 hours and revealed moderate fluctuations of ± 8% in the saturation region. Voltage scans showed well-aligned FE from nearly all pillars.
Fragestellung
Es soll in dieser Computersimulationsstudie untersucht werden, wie der Osteosyntheseverbund Platte mit Schrauben im Verbund mit einer im mittleren Drittel gebrochenen Clavicula durch das Bewegungsausmaß
in vivo belastet ist. Was sind die grundlegenden Kräfte die auf Clavicula und Implantat wirken und welchen Einfl uss hat die Bruchform.
Methodik
Die Muskel- und Gelenkkräfte sowie die Belastung des Implantatverbundes wurden mit einer muskuloskelletalen
Simulationssoftware (AnyBody Technology, V.4) berechnet. Hierfür wurden mit einem komplexen Model des menschlichen Körpers folgende Bewegungen analysiert: eine Flexion von 160° und Abduktion 160° mit
einem Gewicht von 2 kg in der Hand. Aus CT-Patientendaten wurden zwei dreidimensionale Modelle des Clavicula-Implantat Verbundes gebildet, die sich in der Frakturform unterscheiden (Querfraktur und vertikale
Fraktur). In beiden Modellen wurde eine Claviculaosteosynthese in superiorer Position mit einer 6 Loch LCP mit 2 Schrauben pro Hauptfragment verwendet. Die Materialeigenschaften wurden aus der Dichte des Materials sowie aus Literaturdaten verwendet. Die Muskel- und Gelenkkräfte aus der muskuloskelletalen Berechnung wurden auf das Finite Elemente Modell übertragen und die Spannungen und Dehnungen des Implantat-Knochenverbundes
wurden berechnet.
Ergebnisse
Es zeigte sich, dass die simulierte in vivo Belastung stark abhängig vom Flexionswinkel ist. Das Implantat ist in der superioren Lage auf Biegung belastet, welche maximale Werte im Überschulterniveau erreicht. Die Bruchform mit anatomischer Reposition und Kontakt der Hauptfragmente zueinander führt zu einer deutlichen Entlastung des Osteosyntheseverbundes im Vergleich zu einer Bruchform mit vertikaler Fraktur.
Schlussfolgerung
Aus den Analysen ist eine Positionierung der Plattenosteosynthese für die im mittleren Drittel frakturierte Clavicula in anterior-superiorer Lage wünschenswert. Die anatomische Reposition entlastet den Osteosyntheseverbund und sollte möglichst erreicht werden. Die Nachbehandlung sollte ein Bewegungsausmaß für den Arm für 4 Wochen für einfache Bruchformen auf 70° Flexion und Abduktion limitieren und für komplexe Bruchformen diese Limitierung ausgedehnt werden.
Semiconductor field emitters are suitable candidates for applications, which require a very stable field emission (FE) current and a high emission uniformity over the entire emission area. By using different materials and geometries, we are able to vary the FE characteristics within a wide range. Each specific application requires its own optimized design for the cathode as well as for the other parts of the FE electron source. To meet as many of these requirements as possible while using only a limited number of different prefabricated components, we established a modular system concept for our FE electron source. This allows the implementation of almost every cathode material. For first characterizations, we used gated p-type Si cathodes with 16 tips. We obtained stable FE currents of 0.4 μA for a grid-potential of 400 V and a gate potential of 100 V. Almost 100% of the electrons are emitted towards the grid-electrode. Parasitic leakage paths, as well as the electron emission towards the gate-electrode can be neglected. Approximately 10% of the electrons are transmitted through the grid and reach the external anode. This is in good agreement with the optical transmission through the grid-mesh.