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Bei der Schultersteife handelt es sich um ein häufiges Krankheitsbild in der Orthopädie bzw. Schulterchirurgie, das sowohl bei Ärztinnen und Ärzten (Allgemeinmedizinerinnen und mediziner, Fachärztinnen und -ärzte) als auch bei sonstigem medizinischem Fachpersonal, z.B. der Physiotherapie oder Pflege, nur einen geringen Bekanntheitsgrad besitzt. Zielorientierung dieser Leitlinie war es, eine fundierte Hilfestellung und Richtlinie in Bezug auf das Krankheitsbild für Ärztinnen, Ärzte und medizinisches Fachpersonal zu schaffen, den aktuellen evidenz-basierten Wissensstand zu vermitteln und eine bessere Patientinnen- und Patientenversorgung zu erzielen, inkl. der intensiven Aufklärung der Betroffenen durch die behandelnden Berufsgruppen und – wenn von den Betroffenen gewünscht – einer gemeinsamen Entscheidungsfindung bezüglich der Behandlung.
The average strain state of Ge films grown on Si(111) by surfactant mediated epitaxy has been compared to the ordering of the interfacial misfit dislocation network. Surprisingly, a smaller degree of average lattice relaxation was found in films grown at higher temperature. On the other hand, these films exhibit a better ordered dislocation network. This effect energetically compensates the higher strain at higher growth temperature, leading to the conclusion that, apart from the formation of misfit dislocations, their ordering represents an important channel for lattice-strain energy relaxation.
For a characterization of interface and “bulk” properties of Ge films grown on Si(111) by Sb surfactant-mediated epitaxy, grazing incidence x-ray diffraction and transmission electron microscopy have been used. The interface roughness, defect structure, and strain state have been investigated in dependence of film thickness and growth temperature. For all growth parameters, atomically smooth interfaces are observed. For thin Ge layers, about 75% of the strain induced by the lattice mismatch is relaxed by misfit dislocations at the Ge/Si interface. Only a slight increase of the degree of relaxation is found for thicker films. At growth temperatures below about 600 °C, the formation of twins is observed, which can be avoided at higher temperatures.