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    <publishedYear>2017</publishedYear>
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    <publisherName>VDE-Verlag</publisherName>
    <publisherPlace>München</publisherPlace>
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    <title language="deu">Leuchtdiodenchips mit dreidimensional epitaktisch gewachsenen kristallinen GaN Säulen</title>
    <abstract language="deu">Um die Eigenschaften von Leuchtdioden zu verbessern und den Herstellungsprozess zu vereinfachen, wurde ein erweitertes Verfahren der metallorganischen Gasphasenepitaxie verwendet, um dichtgepackte dreidimensionale GaN-Säulen mit hohen Aspektverhältnis auf Chipoberflächen zu wachsen. Diese selbstorganisierenden dreidimensionalen Strukturen sollen einerseits die lichtabstrahlende Oberfläche der Leuchtdiode bei gleichbleibender Chipgröße vergrößern und andererseits durch die nichtpolaren Kristallebenen an den Seiten- und Deckflächen der Säulen die Effizienz dieser Bauteile erhöhen. Messungen an ersten Bauteilen, die mit dieser Methode realisiert wurden, zeigen eine homogene blaue Emission bei Wellenlängen von 450 nm und abgestrahlte Lichtleistungen von bereits mehr als 50 mW bei Stromdichten von 120 A/cm². Diese Ergebnisse sind bereits sehr vielversprechend und lassen eine deutliche Performancesteigerung bei Optimierung der Herstellungstechnologie erwarten.</abstract>
    <abstract language="eng">In order to increase the performance and to simplify the production of light emitting diode chips, an advanced metal organic vapor-phase-epitaxy process was used for the growth of densely packed high-aspect-ratio GaN microrods on the chip surface. The purpose of these self-organizing structures is, to increase the effective light emitting surface of the chip as well as to improve the efficiency. Measurements on first structures have shown blue emission at wavelengths of 450 nm and emitted output power of more than 50 mW at current densities of 120 A/cm². These promising results let us expect a significant improvement when optimizing the fabrication process further.</abstract>
    <parentTitle language="deu">7. MikroSystemTechnik Kongress "MEMS, Mikroelektronik, Systeme", 23.-25. Oktober 2017, München</parentTitle>
    <additionalTitle language="eng">Light emitting diodes based on three-dimensional epitaxial grown crystalline GaN rods</additionalTitle>
    <identifier type="isbn">978-3-8007-4491-6</identifier>
    <enrichment key="opus.import.date">2022-07-03T14:30:54+00:00</enrichment>
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    <licence>Keine Lizenz - Es gilt das deutsche Urheberrecht: § 53 UrhG</licence>
    <author>Robert Damian Ławrowski</author>
    <author>Sonja Deml</author>
    <author>T. Varghese</author>
    <author>T. Schimpke</author>
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      <value>Aufbauorganisation</value>
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      <value>dreidimensionale Struktur</value>
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      <value>Fertigungstechnologie</value>
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      <value>Herstellungsablauf</value>
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      <value>metallorganische Gasphasenepitaxie</value>
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    <collection role="institutes" number="FakANK">Fakultät Angewandte Natur- und Kulturwissenschaften</collection>
    <collection role="othforschungsschwerpunkt" number="16317">Sensorik</collection>
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