@incollection{BlahnikovaMuellerWaasetal., author = {Blahn{\´i}kov{\´a}, Barbora and M{\"u}ller, D. and Waas, M. and Lechner, Alfred}, title = {Multilyzer - Mikrofluidisches Echtzeitmesssystem f{\"u}r die Analyse umweltrelevanter Substanzen}, series = {7. MikroSystemTechnik Kongress "MEMS, Mikroelektronik, Systeme", 23.-25. Oktober 2017, M{\"u}nchen}, booktitle = {7. MikroSystemTechnik Kongress "MEMS, Mikroelektronik, Systeme", 23.-25. Oktober 2017, M{\"u}nchen}, publisher = {VDE-Verlag}, address = {M{\"u}nchen}, isbn = {978-3-8007-4491-6}, pages = {382 -- 385}, abstract = {Die {\"u}berm{\"a}ßige Verwendung von stickstoffbasierten D{\"u}ngemitteln in der Landwirtschaft stellt eine Gef{\"a}hrdung f{\"u}r die Umwelt und Lebewesen dar. So ist die Analyse von Boden- und Grundwasser zu einem wesentlichen Bestandteil der Nachhaltigkeit und der {\"o}kologischen Erhaltung geworden. Daf{\"u}r bietet der Multilyzer eine passende L{\"o}sung. Der Multilyzer ist ein mikrofluidisches Analysesystem zur Bestimmung niedrigster Konzentrationen von Nitrat, Nitrit und Ammonium, die alle wesentliche Bestandteile des Stickstoffkreislaufs sind. Welche bei {\"U}berm{\"a}ßiger Aufnahme im K{\"o}rper krebserregend wirken und den Sauerstofftransport im Blutkreislauf st{\"o}ren. Der Aufbau ist eine Kombination aus Absorptions- und Fluoreszenzspektroskopie. Der Betrieb mit einer 12 Volt Batterie erm{\"o}glicht die Verwendung des Multilyzer-Systems zur Online-Messung im Feld. Somit k{\"o}nnen sehr kurze Analysezeiten realisiert und der Einfluss von Umwandlungs- bzw. Abbauprozessen vermieden werden. Das gesamte Messsystem wird im Kompetenzzentrum Nanochem an der OTH Regensburg entwickelt, inklusive Fertigungstechnologien, Software- und Hardwaresteuerung.}, language = {de} } @incollection{BetzLechner, author = {Betz, Michael A. and Lechner, Alfred}, title = {Sprayganik - Spraytool f{\"u}r organische Halbleiter}, series = {7. MikroSystemTechnik Kongress "MEMS, Mikroelektronik, Systeme", 23.-25. Oktober 2017, M{\"u}nchen}, booktitle = {7. MikroSystemTechnik Kongress "MEMS, Mikroelektronik, Systeme", 23.-25. Oktober 2017, M{\"u}nchen}, publisher = {VDE-Verlag}, address = {M{\"u}nchen}, isbn = {978-3-8007-4491-6}, pages = {747 -- 750}, abstract = {Spr{\"u}hbeschichtung stellt einen kosteng{\"u}nstigen und materialeffizienten aber komplexen Prozess dar. Um diese Vorteile f{\"u}r die Abscheidung teurer organischer Halbleiter zu nutzen, wurde ein Spr{\"u}hbeschichter entwickelt, der neueste Anforderungen an den Prozess erf{\"u}llt. Zudem konnten selbstansaugende Mikrospr{\"u}hd{\"u}sen mikrotechnologisch in Silizium realisiert werden, welche bereits eine bis zu vierfache Materialeffizienz im Vergleich zu herk{\"o}mmlichen airbrush-D{\"u}sen nachweisen konnten. Die neueste D{\"u}sengeneration zeigt nun eine weiter verbesserte Zerst{\"a}ubung, was bei gespr{\"u}hten OPDs zu einer reduzierten Dunkelstromdichte von 9,1×10-6 mA·cm-2 (-5 V) und erh{\"o}hten externen Quanteneffizienz von 78,5\% (530 nm, -5 V) f{\"u}hrt.}, language = {de} } @article{BauhuberMikrievskijLechner, author = {Bauhuber, Michael and Mikrievskij, Andreas and Lechner, Alfred}, title = {Isotropic wet chemical etching of deep channels with optical surface quality in silicon with HNA based etching solutions}, series = {Materials Science in Semiconductor Processing}, volume = {16}, journal = {Materials Science in Semiconductor Processing}, number = {6}, publisher = {Elsevier}, doi = {10.1016/j.mssp.2013.05.017}, pages = {1428 -- 1433}, abstract = {Online trace analysis based on UV/Vis spectroscopy requires long detection paths. Therefore an isotropic wet etch process in silicon is developed to fabricate a 300 µm deep channel with low channel wall roughness for desired light guidance application. Four etchant compositions were compared in terms of etching rate, surface roughness and selectivity in a beaker process. The best fitting mixture was selected. To further increase the surface quality (bubble issue) a spin etcher tool is used for producing the channels. The dependence of homogeneity and defect density on media flux, and rotation velocity was investigated. Results show that high rotation velocity and high media flux lead to great defects in the channel wall. Through rotation of the wafer during etching, the etching rate of silicon rises compared to the beaker process due to the rapid removal of etch products and simultaneous supply of fresh etchant. After 38 min of etching, 300 µm deep semi-circular channels with high optical quality (Rq=10 nm±2 nm) over 3 m were produced.}, language = {de} }