TY - CONF A1 - Huesgen, Till A1 - Sharma, Ankit Bhushan A1 - Weimer, Julian A1 - Koch, Dominik A1 - Kallfass, Ingmar T1 - Thermisch und elektrisch optimiertes Leiterplatten-Prepackage für 100V/100A GaN Leistungshalbleiter T2 - MikroSystemTechnik Kongress 2021 - Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik und ihre Anwendungen - Innovative Produkte für zukunftsfähige Märkte: Proceedings, 8.-10. November 2021, Stuttgart-Ludwigsburg N2 - In dieser Arbeit wird ein Integrationskonzept für GaN Leistungshalbleiter in Leiterplattentechnologie vorgestellt. Das Konzept beruht auf thermisch optimierten Prepackages mit integrierten Temperatursensoren, die in Leiterplattenembeddingtechnologie hergestellt werden. Durch ein asymmetrisches Layout wird ein niederinduktiver Kommutierungskreis ermöglicht. Funktionsmuster mit einem 100 V / 120 A GaN HEMT wurden aufgebaut und erprobt. Die Bauteile sind elektrisch voll funktionsfähig und weisen einen thermischen Widerstand von 3,34 K/W auf. Dieser Wert liegt 35% unter dem eines kommerziellen Referenzbauteils. N2 - This paper describes an integration concept for GaN power semiconductors in PCB technology. The concept is based on thermally optimized Prepackages with integrated thermistors, fabricated by PCB embedding technologies. An asymmetrical layout enables the design of low inductive commutation loops, required for fast and efficient switching. Functional demonstrators with 100 V / 120 A GaN HEMT have been fabricated and tested in a lab-scale setting. The components are fully functional and show a thermal resistance of 3.34 K/W, 35% lower compared to a commercial reference package. KW - DrGaN Y1 - 2021 UR - https://opus4.kobv.de/opus4-hs-kempten/frontdoor/index/index/docId/1231 UR - https://www.vde-verlag.de/buecher/455656/mikrosystemtechnik-kongress-2021.html SN - 978-3-8007-5656-8 SN - 978-3-8007-5657-5 SP - 515 EP - 518 PB - VDE Verlag GmbH CY - Berlin ; Offenbach ER -