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In zukünftigen eingebetteten Systemen ist bei zunehmender Integrationsdichte mit einer abnehmenden Zuverlässigkeit zu rechnen. Insbesondere lang laufende Systeme werden mit fortschreitender Zeit Alterungserscheinungen aufweisen, die sich durch den permanenten Ausfall einzelner Komponenten bemerkbar machen. Um die Funktionstüchtigkeit solcher Systeme auch für einen langen Zeitraum zu gewährleisten, sind Funktionen erforderlich, die die Erkennung, Lokalisierung und Behandlung solcher permanenter Fehler erlauben. Diese Funktionen sind dabei in das System zu integrieren. Es existieren dafür bereits verschiedene Ansätze auf unterschiedlichen Systemebenen. Das Spektrum solcher Ansätze reicht von einer Reparatur auf Transistorebene über die Reparatur einzelner Komponenten, die aus einigen dutzend bis einigen tausend Transistoren bestehen, bis hin zu Reparaturansätzen, die komplette Prozessorkerne in einem System ersetzen. Jeder Ansatz hat dabei seine spezifischen Vor- und Nachteile. Das betrifft insbesondere den Aufwand zur Administration der Reparatur sowie die Anwendbarkeit auf beliebige Hardwarestrukturen. Bisher wurden die Reparaturmethoden isoliert entwickelt. In Systemen mit zunehmender Komplexität wird jedoch ein hierarchischer Ansatz benötigt, der die existierenden Techniken ebenenübergreifend verbindet. Dadurch kann eine Zerlegung des Systems in verschiedene Gruppen vorgenommen werden, wobei für jede Gruppe eine spezifische Reparaturmethodik besonders geeignet ist. Es entsteht dadurch ein teils hierarchisch organisierter Reparaturansatz, der unterschiedliche Reparaturtechniken miteinander kombiniert.
Es werden für das hierarchische Verfahren insbesondere software-basierte Reparaturansätze betrachtet, da diese nur einen geringen Administrationsaufwand in Hardware erfordern. Die Nutzung fehlerhafter Komponenten im Prozessor wird dabei durch die Anpassung des ausgeführten Programms an die aktuelle Fehlersituation vermieden. Diese Anpassung kann beispielsweise auf Systemebene, durch Verlagerung eines Programms von einem Prozessorkern auf einen anderen Kern oder auf der Ebene von Prozessorkernen, wobei die Benutzung einzelner Komponenten eines Kerns vermieden wird, erfolgen. Diese Anpassungen lassen sich durch Techniken, wie sie im Backend eines Compilers eingesetzt werden, bewerkstelligen. Die Reparatur auf den verschiedenen Ebenen erfordert dabei unterschiedlich mächtige Backends. Das reicht von einem Backend, das nur eine Ablaufplanung ändert, über ein Backend, das darüber hinaus noch die Registervergabe anpasst, bis hin zu einem Backend, das den Programmcode zweier Prozessorkerne vertauscht und an den jeweiligen Kern anpasst. Die Ausführung der software-basierten Reparatur soll dabei möglichst durch den fehlerhaften Kern selbst ausgeführt werden. In schwerwiegenden Fällen erfolgt eine administrierte Reparatur auf der Systemebene durch einen zur Reparaturzeit bestimmten Prozessorkern des Systems. Der Aufwand für entsprechende Backends sowie deren Möglichkeit zur Fehlerbehandlung werden in dieser Arbeit untersucht.
In the framework of this thesis, synchrotron radiation based spectroscopy methods are applied to study the electronic structures of stoichiometric Rutile single crystals and TiO2 thin films, and the initial stage of chromium and cobalt growth on TiO2 thin films. Resonance photoemission spectroscopy of clean TiO2 at the Ti L2,3 edges led to Auger-like features, with kinetic energies corresponding to the Ti L2,3M4,5M4,5 Auger decay channels. The presence of these features is assigned to origin from a d2L2 charge transfer state. The resonance of the Ti L3M2,3V Auger channel at the Ti L2 edge is assigned to the L2L3V Coster-Kronig Auger, followed by the normal L3M2,3V Auger decay. The deposition of chromium on the TiO2 film causes a strong interaction at the interface, in which TiO(2-x) is formed together with chromium in the Cr 3+ state. Besides the oxidized component, contribution of metallic chromium is found as well. In the ultra-low coverage regime, post-deposition oxidation is observed, in which metallic chromium is oxidized to Cr2O3, accompanied by re-oxidation of the substrate to TiO2. The interface reaction is also reflected by the appearance of two defect states in the band gap. Resonant photo-emission at the Cr 2p and Ti 2p edges shows well distinguishable Cr 3d respectively Ti 3d character of the respective states. Indications for self-cleaning properties are found by removal of surface carbon during storage in UHV, but the influence of chromium on these properties is not studied in detail. The interaction between cobalt and TiO2 is weaker than that of chromium and TiO2. Nevertheless, an interface reaction is found, in which some of the deposited cobalt is oxidized, while the oxide support is partly reduced. The particular oxidation state of Cobalt is identified by means of multiplet calculation including charge transfer and crystal field effects. The calculated XAS and XPS spectra indicate Co 2+ in a tetrahedral coordination with four oxygen atoms. The metallic component of cobalt gives rise to a broad resonance in the valence band down to -20 eV, with a pronounced satellite feature that reflects the oxidized component.