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During the last decades the research and implementation of integrated circuits in W-band (Frequencies from 75 GHz to 111 GHz) or frequencies beyond were mainly dominated by GaAs technologies due to their high-performance devices. However, the low-cost requirement of commercial consumer products limits the application of GaAs technologies. Recently, the advents of 200 GHz fT SiGe:C technologies pave the way for realizing the millimeter-wave circuits with their lower cost and excellent performance. This work is focused on the design and implementation of circuits in IHP's low-cost SiGe:C technology at W-band and frequencies beyond. Different types of high-speed frequency dividers as benchmarking circuits are designed and measured to show the speed and power performance of the SiGe technology in this work. Furthermore, this work includes the design and implementation of 77 GHz/79 GHz automotive radar front-end circuits. The results are compared with the state-of-the-art to demonstrate the performance of the circuit and technology. The aim is to show the design techniques and the possibility of adopting IHP's low-cost SiGe:C technology to realize high performance circuits for high-speed applications such as future automotive radar system.
In der Arbeit wird untersucht, inwieweit zwei Epitaxieverfahren (LPCVD- und RPCVDVerfahren) geeignet sind, Bor-dotierte Si/SiGe/Si-Heteroschichtstapel mit guter Homogenität und Reproduzierbarkeit herzustellen. Die Bewertung der Epitaxieverfahren erfolgte anhand von HBT-Parametern, deren Streuungen von Wafer zu Wafer und über den Wafer ermittelt und mit publizierten Referenzdaten des etablierten UHVCVD-Verfahrens verglichen wurden. Die besten Ergebnisse wurden für RPCVD-basierte Si/SiGe/Si-Schichstapel ermittelt. Schichtstapel beider Epitaxieverfahren haben eine geringe Dichte elektrisch aktiver Defekte. Als kritischer Epitaxieprozeßparameter wurde die Abscheidetemperatur ermittelt. Im Fall des LPCVD-Verfahrens hat die Trägergasgeschwindigkeit einen großen Einfluß auf die Homogenität des Boreinbaus. Mit dieser Arbeit wurde nachgewiesen, daß das RPCVDEpitaxieverfahren eine Alternative zum etablierten UHVCVD-Verfahren ist.