TY - THES A1 - Mankovics, Daniel T1 - Luminescence investigation of bulk solar silicon and silicon thin films on glass substrate T1 - Lumineszenz-Untersuchungen von bulk-Solarsilizium und Silizium-Dünnfilmen auf Glassubstrat N2 - The aim of this work is to study the optical properties of crystal defects in multicrystalline solar silicon and poly-/microcrystalline silicon thin films on glass substrate. First a setup for photoluminescence imaging on multicrystalline silicon solar wafers was developed. This system is suitable for detecting band-to-band luminescence as well as defect-related luminescence at room temperature on large-scale wafers at different stages of their processing. Spectroscopic photoluminescence investigations of multicrystalline silicon solar wafers indicated a new intense luminescence line at ≈ 0.91 eV at room temperature. The origin of this line is probably found in a specific grain boundary. Furthermore, luminescence in the region of 0.8 eV was investigated in detail, and it was found that probably oxygen is responsible for a peak at 0.77 eV at 80 K. Electroluminescence investigations at room temperature at both materials exhibit extended defect structures such as grain boundaries. Furthermore, it can be concluded that electroluminescence imaging in reverse bias mode indicate on serious breakdown points in solar cells, which can lead to destruction of solar cells and modules. By comparing defect-related and reverse bias electroluminescence images, a difference in the spatial distribution of defects emitting D1 radiation and defects emitting light under reverse bias beyond -12 V is detectable. In addition, there seems to be a correlation in the distribution of non-doping impurities and photoluminescence. Concerning this, vertical slabs of two silicon blocks were examined by means of Fourier-transform infrared spectroscopy and photoluminescence. A correlation of the distributions of interstitial oxygen and the band-to-band luminescence profiles could be found. Additionally, a correlation between D3/D4 luminescence profile and nitrogen distribution in the blocks was observed. Finally, the growth process, particularly the transition from amorphous to microcrystalline silicon by PECVD, was studied by combined photoluminescence and Raman investigations. Formation of silicon nano-grains was detected by means of photoluminescence and Raman spectroscopy. N2 - Das Ziel dieser Arbeit ist es, die optischen Eigenschaften von Kristalldefekten in multikristallinem Solarsilizium und poly-/mikrokristallinen Silizium-Dünnschichten auf Glas-Substrat zu studieren. Zuerst wurde ein Aufbau für Photolumineszenz-Imaging an multikristallinem Silizium-Solarwafern entwickelt. Dieses System eignet sich zur Erfassung von Band-zu-Band-Lumineszenz sowie Defekt-Lumineszenz bei Raumtemperatur großer Solarwafer nach verschiedenen Prozessschritten. Spektroskopische Photolumineszenz-Untersuchungen von multikristallinen Silizium-Solarwafern zeigte eine neue intensive Lumineszenzlinie bei ≈ 0.91 eV bei Raumtemperatur. Der Ursprung dieser Linie liegt wahrscheinlich in einer bestimmten Korngrenze. Weiterhin wurde die Lumineszenz im Bereich von 0.8 eV im Detail untersucht, und es wurde gefunden, dass wahrscheinlich Sauerstoff für einen Peak bei 0.77 eV bei 80 K verantwortlich ist. Elektrolumineszenz Untersuchungen bei Raumtemperatur an beiden Materialien zeigen ausgedehnte Defektstrukturen wie Korngrenzen. Darüber hinaus kann der Schluss gezogen werden, dass das Elektrolumineszenz-Imaging im Rückwärtsvorspannungs-Modus auf schwerwiegende Durchbruchstellen in Solarzellen hinweist, die zur Zerstörung von Solarzellen und Modulen führen kann. Durch Vergleich von Defektlumineszenz- und Sperrvorspannungs-Elektrolumineszenz-Bildern ist ein Unterschied in der räumlichen Verteilung der Defekte, die D1 emittieren, und der Durchbruchlumineszenz unter Sperrvorspannung über -12 V erkennbar. Außerdem gibt es Hinweise auf einen Zusammenhang bei der Verteilung von nicht-dotierenden Verunreinigungen und der Lumineszenz. Hierzu wurden vertikale Scheiben zweier Siliziumblöcke mittels Fourier-Transformations-Infrarotspektroskopie und Photolumineszenz untersucht. Eine Korrelation der Verteilung von interstitiellem Sauerstoff und den Band-zu-Band-Lumineszenz-Profilen konnte gefunden werden. Außerdem wird eine Korrelation zwischen dem D3/D4 Lumineszenzprofil und der Stickstoffverteilung in den Blöcken beobachtet. Schließlich wurde der Wachstumsprozeß, insbesondere der Übergang von amorphem zu mikrokristallinem Silizium mittels PECVD, durch Kombination der Photolumineszenz- und Raman-Methoden untersucht. Bildung von Silizium-Nanokörnern wurde mittels Photolumineszenz- und Raman-Spektroskopie detektiert. KW - Silicon KW - Defects KW - Photoluminescence KW - Luminescence imaging KW - Silicon thin films KW - Silizium KW - Defekte KW - Photolumineszenz KW - Lumineszenz-Imaging KW - Silizium-Dünnfilme KW - Silicium KW - Dünnschichttechnik KW - Solarzelle KW - Fehleranalyse Y1 - 2015 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-35196 ER - TY - THES A1 - Krause, Christoph T1 - Investigation of particular crystal defects in solar silicon materials using electron beam techniques T1 - Untersuchung ausgewählter Kristalldefekte in Solarsilizium unter Verwendung von Elektronensondenverfahren N2 - The aim of this work is to describe and explain the properties of defects in multicrystalline (mc) and thin-film solar silicon (Si). For this reason, investigations with scanning electron microscope methods were performed, namely cathodoluminescence (CL), electron beam induced current (EBIC), electron backscatter diffraction (EBSD) and transmission electron microscopy (TEM). Additionally, photoluminescence (PL) and reverse-biased electro luminescence (ReBEL) measurements were also conducted. Through correlation of PL, ReBEL and EBIC, it was possible to localize breakdown sites at mc-Si solar cells. Problems that occurred during the thin-film EBIC investigations could be demonstrated and explained. For the first time cross sectional EBIC investigations could be performed on thin-film silicon tandem cells. At mc-Si, it was possible to observe the oxygen related P-line next to the common D1-line luminescence at 10 K clearly distinguishable from each other at once. Furthermore, a hitherto not comprehensively discussed intense luminescence line at 0.93 eV could be described in detail. Through correlation of PL, CL, EBIC, EBSD, and TEM measurements, the origin of the now named Di luminescence at 0.93 eV is postulated to be in connection with Frank partial dislocations, with two energetic levels inside the band gap, one at 112±9 meV below the conduction band and the other at 93±10 meV above the valence band. Finally, it was attempted to explain the behavior of twin boundaries at temperatures below 30 K, where these show an enhanced collection efficiency in comparison to the surrounding grains. An alteration of the local “freeze out” temperature, possibly by a local band gap narrowing, is suggested as a reason. Another conceivable explanation is a breakdown of the diode potential at the grains. N2 - Das Ziel dieser Arbeit ist es, das Auftreten von verschiedenen Defekten sowohl in multikristallinem als auch in Dünnschicht-Solar Silizium zu beschreiben. Die vielfältigen Möglichkeiten wie Defekte im Material auf Grund ihrer Eigenschaften nachgewiesen werden können wurden eingehend untersucht. Dazu wurden Rasterelektronenmikroskopie Verfahren wie Kathodolumineszenz (CL), Elektronenstrahl-induzierte Strom (EBIC) Messungen, rückgestreute Elektronenbeugungsuntersuchungen (EBSD) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) durchgeführt. Außerdem wurden auch Ergebnisse aus Photolumineszenz (PL) und Elektrolumineszenz unter Sperrvorspannung (ReBEL) zur Defektcharakterisierung herangezogen. Durch die Korrelation von ReBEL, PL und EBIC Daten war es möglich, Durchbruchstellen in mc-Si Solarzellen zu lokalisieren und mögliche Ursachen für diese aufzuzeigen. Die Anwendung von EBIC an dünnen Siliziumschichten sowie die damit verbundenen Präparations-, Mess- und Analyseprobleme konnten gezeigt und erläutert werden. Es war außerdem erstmals möglich EBIC Messungen an Querschnitten von Dünnschicht-Silizium-Tandemzellen erfolgreich durchzuführen und dadurch Informationen über die Rekombinationsaktivität von Defekten in unterschiedlichen Schichten der Zellen zu sammeln. Bei der Durchführung von CL Messungen an mc-Si bei 10 K konnte gezeigt werden, dass die in der Literatur mit Sauerstoffpräzipitaten in Verbindung gebrachte Lumineszenz bei 0.77 eV (P-Linie), auch parallel zur D1-Linie klar unterscheidbar auftreten kann, was bis dahin in dieser Art noch nicht publiziert wurde. Neben der P-Linie konnte eine intensive Lumineszenz bei 0.93 eV festgestellt werden, die ebenfalls bei Raumtemperatur messbar ist. Diese bis dahin nicht umfassend beschriebene Lumineszenz, welche im Laufe der Arbeit die Bezeichnung Di-Linie erhielt, wurde detailliert untersucht und beschrieben. Dazu wurden die Ergebnisse von PL, CL, EBIC, EBSD und TEM miteinander korreliert. Durch die umfassenden Untersuchungen konnte ein Zusammenhang mit Frank Partialversetzungen postuliert werden. Für diese Defektlumineszenz könnten zwei Defektlevel in der Bandlücke, bei 112 ± 9 meV unterhalb des Leitungsbandes und 93 ± 10 meV oberhalb des Valenzbandes, verantwortlich sein. Im letzten Teil der Arbeit wurde versucht, das Sammlungsverhalten von Zwillingskorngrenzen bei Temperaturen unterhalb von 30 K zu erklären. In diesem Temperaturbereich zeigen Zwillingskorngrenzen eine erhöhte Sammlungseffizienz im Vergleich zu den umgebenen Körnern. Als Ursache dafür wird ein lokaler Unterschied in der “Ausfriertemperatur” der Ladungsträger vermutet. Um eine derartige Schwankung auszulösen, könnte eine lokale Verkleinerung der Bandlücke, möglicherweise spannungsinduziert, in Frage kommen. Eine ebenfalls in Betracht kommende Erklärung wäre ein Zusammenbruch des Diodenpotentials im Bereich der Körner. KW - Defects KW - Silicon KW - EBIC KW - CL KW - Di luminescence KW - Defekte KW - Silizium KW - EBIC KW - CL KW - Di Lumineszenz KW - Solarzelle KW - Silicium KW - Zuverlässigkeit Y1 - 2015 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-34846 ER -