TY - JOUR A1 - Oleynik, Paul A1 - Ryzhak, Diana A1 - Schlipf, Jon A1 - Alvarado Chavarin, Carlos A1 - Yamamoto, Yuji A1 - Berkmann, Fritz A1 - Ratzke, Markus A1 - Fischer, Inga Anita T1 - Influence of illumination conditions on photoluminescence enhancement in an Al/Si/Ge metasurface JF - Optics Express N2 - Strong field enhancement supported by metasurfaces at resonance can be used to control and enhance the spontaneous emission rate of emitters. This is particularly relevant for emitters with comparatively low quantum yield such as germanium. Here, we investigate the µ-photoluminescence response obtained from a hybrid metasurface comprising a square lattice of Al/Si/Ge pillars. We explore how variations in excitation energy, excitation intensity and number of excited meta-atoms affect the spectral dependence of the photoluminescence signal and, in particular, the contribution of the metasurface to it. Our metasurface exhibits a magnetic dipole collective lattice resonance, whose contribution to the photoluminescence signal increases with increasing number of excited meta-atoms. Measuring only one metasurface under different illumination conditions can potentially be an alternative approach to probe the transition between finite-size effects and collective effects. KW - Field enhancement KW - Germanium KW - Light emitting diodes KW - Photonic crystals KW - Quantum light sources KW - Scanning electron microscop Y1 - 2025 U6 - https://doi.org/10.1364/OE.577751 SN - 1094-4087 VL - 34 IS - 1 SP - 78 EP - 86 PB - Optica Publishing Group CY - Washington D.C. ER - TY - JOUR A1 - Sengül, Akant A1 - Reiter, Sebastian A1 - Lotfi, Zahra A1 - Efremenko, Julia A1 - Laroussi, Arwa A1 - Corley-Wiciak, Agnieszka Anna A1 - Ratzke, Markus A1 - Mirsky, Vladimir M. A1 - Wenger, Christian A1 - Fischer, Inga Anita T1 - Titanium nitride plasmonic nanohole arrays with polymer coating : optical properties and their humidity-induced modifications JF - Optical Materials Express N2 - The use of titanium nitride (TiN) for the fabrication of plasmonic structures such as nanohole arrays (NHAs) can enable their integration into optoelectronic devices on the silicon (Si) platform, for example, for the realization of on-chip chemical sensors and biosensors based on refractometric transduction. With a corresponding functionalization of the TiN nanohole arrays, these ultra-compact devices can be utilized in the development of various affinity sensors and sensor systems, such as cost-effective electronic noses for the early detection of gases in the food industry or agriculture. In this work, we focus on two types of coating for functionalization of TiN nanohole arrays: electrochemically synthesized poly-N-methylaniline and layer-by-layer deposited polyacrylic-acid/poly-allylamine (PAA/PAH). Our investigation comprises the experimental characterization of the optical properties of TiN nanhole arrays coated with polymer layers of different thicknesses as well as a comparison with simulation results. We demonstrate the potential of our setup sensing applications by measuring changes in optical properties of TiN nanohole arrays coated with PAA/PAH upon exposure to air of different humidity. KW - Chemical sensors KW - Extraordinary optical transmission KW - Localized surface plasmon resonance KW - Optical coatings KW - Optical properties KW - Refractive index Y1 - 2025 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-72739 SN - 2159-3930 VL - 16 IS - 2 SP - 184 EP - 196 PB - Optica Publishing Group CY - Washington D.C. ER - TY - THES A1 - Perez-Bosch Quesada, Emilio T1 - In-depth electrical characterization of HfO₂-based memristive devices for their integration in CMOS-compatible neuromorphic systems T1 - Elektrische Charakterisierung von HfO₂-basierten memristiven Bauelementen zur Integration in CMOS-kompatible neuromorphe Systeme N2 - The rapid development of information and communication technologies is reaching critical limits that might compromise the global digitalization progress, one of the main economy pillars nowadays. Among others, limits like the end of Moore’s law, derived from miniaturization issues in nano-scale devices; the need for massive data processing parallelization due to the ever-increasing amount of data generated in every single aspect of our daily routine; and the acute increase of the annual electricity consumption in data center due to energy inefficiency in their computational architectures. Therefore, the need for partial or complete migration of current computing paradigms towards more sustainable ones is of paramount importance to bypass these limits. Neuromorphic computing systems inspired by the neural and synaptic activity of the human brain irrupted as an innovative alternative to merge memory and computing units, traditionally separated following the von Neumann architecture. Emerging non-volatile memory technologies, specifically the Resistive Random Access Memory (RRAM) technology, are playing important roles in the development of new computing paradigms due to their outstanding properties, namely, fast switching, high scalability, long state retention and their multilevel-cell capabilities, among others. The later stands out as a key feature to increase memory densities at lower area cost and it lately gathered special interest concerning neuromorphic applications. Due to the uncertainty surrounding the stochastic processes governing the resistive switching of the RRAM technology, here is still scarce number of real RRAM-based hardware implementations. In this work, motivated by the impact of the inherent stochasticity of the RRAM technology on neuromorphic systems’ performance, a thorough wafer-scale electrical characterization is carried out over HfO2-based RRAM devices to study their quasistatic response. Their non-idealities are identified, in a way that they could be modelled and potentially mitigated to enhance the memristive devices stability and thus, their performance carrying out multiply-accumulate (MAC) tasks, fundamental operations for the implementation of artificial intelligence (AI) applications. This characterization supports the adaptation of three physics-based compact models and an empirical study of vector-matrix multiplication (VMM) operations performed using real RRAM devices for neuromorphic applications. The impact of the devices’ non-idealities on the final operation results is assessed along consecutive VMMs. This work sets the baseline of the quasistatic characterization of IHP’s RRAM devices and opens the way towards real ardware neuromorphic systems with such technology. N2 - Durch die immer schnelle voranschreitende Entwicklung von Informations- und Kommunikationstechnologien werden kritische Grenzen erreicht, die dem globalen Digitalisierungsprozess im Wege stehen. Eine dieser Grenzen ist das Mooresche Gesetz, welches den Skalierungsprozess von integrierten Schaltkreisen beschreibt. Außerdem steigt der Bedarf der Informationsverarbeitung von digitalen Daten und damit dem globalen Energieverbrauch stetig an. Deshalb müssen herkömmliche Rechnerstrukturen durch neue nachhaltigere Konzepte, welche energiesparender arbeiten sollen, ersetzt werden. In klassischen von-Neumann Computern sind das Speicher- und Rechenwerk voneinander getrennt. Eine Möglichkeit, die angesprochenen Grenzen zu überwinden, sind neuromorphe Rechner, welche von neuronalen Strukturen inspiriert sind, in denen speichernde Bauelemente gleichzeitig einen Teil der Rechnung Übernehmen (In-Memory Computing). Eine dafür geeignete Technologie ist RRAM (Resistive Random Access Memory), dank deren Eigenschaften wie: Nichtflüchtigkeit, gute Skalierbarkeit, schnelles Schaltverhalten, lange Rentention-Zeiten und der Speichermöglichkeit mehrerer Bits pro Zelle. Gerade die zuletzt genannte Eigenschaft ist wichtig, um kompakte In-Memory Computing Einheiten für neuromorphe Anwendungen zu entwickeln. Des Weiteren können RRAM-Speicherzellen zusammen mit Transistoren in integrierten Schaltkreisen gefertigt werden. Auf Grund verschiedener Nicht-Idealitäten der RRAM-Bauelemente gibt es bis zum heutigen Zeitpunkt nur wenige neuromorphe RRAM-Systeme. In dieser Arbeit wird eine umfängliche On-Wafer Untersuchung zum statischen Verhalten von integrierten HfO2-basierten RRAM-Bauelementen durchgeführt. Die angesprochenen Nicht-Idealitäten werden auf Grundlage der Messwerte quantisiert und Empfehlungen, wie dieses stochastische Verhalten für Anwendungen der künstlichen Intelligenz genutzt werden können gegeben. Diese Charakterisierung hilft bei der Adapation von drei physikalischen RRAM-Modellen. Ausgehend von den Messungen wird der Einsatz von RRAMs für die Berechnung von Vektor-Matrix Multipliationen (VMMs) überprüft. Diese mathematische Operation ist in neuromorphen Anwendungen allgegenwärtig. Es wird weiterhin untersucht, wie die Nicht-Idealitäten der RRAMs sich auf das Rechenergebnis auswirkt. Diese Arbeit legt durch die Charakterisierung von IHP‘s RRAM-Technologie den Grundstein für energieeffiziente neuromorphe Hardware-Beschleuniger mit eben dieser Technologie. KW - Vector-matrix multiplications, KW - Neuromorphic computing KW - RRAM KW - Non-volatile KW - Vektor-Matrix-Multiplikationen KW - RRAM KW - Neuromorphes Rechnen KW - Neuromorphing KW - Neuronales Netz KW - Resistive RAM Y1 - 2024 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-67815 ER - TY - THES A1 - Schlipf, Jón Benedikt T1 - Enhancement of group-IV optoelectronic sensing devices through materials engineering and nanostructuring T1 - Verbesserung von optoelektronischen Sensoren der Gruppe IV durch Werkstofftechnik und Nanostrukturierung N2 - Driven by the continuous research progress in integrated electronics towards increasing complexity and miniaturization, semiconductor technology has not only yielded very powerful electronic devices, but also provided the necessary tools for miniaturization of mechanical, optical and other functions into micro- and nanoscale devices. While transistor scaling approaches the physical limits mainly governed by heat dissipation, further advances are predicted to stem from the integration of additional functionality into integrated circuits instead. For the case of photonics and optoelectronics, which have plenty of applications in computing, communications and sensing, silicon devices have been applied commercially for several years. While being compatible with mainstream electronics, silicon does not offer the optimum properties for mediation between optics and electronics compared to, for example, III-V materials. To alleviate this, properties can be improved both through wavelength-scale structuring and exploitation of resonances, and through alloying with other group-IV materials like germanium and tin. Both of these avenues are studied within this work. On one hand, nanophotonic structures, most notably metasurfaces, and corresponding simulation and optimization algorithms, are developed for selective filtering and enhancement of light-matter interactions. On the other hand, group-IV materials are studied, most notably their non-destructive characterization with optical methods. N2 - Auf dem Weg zu kontinuierlicher Steigerung von Komplexität und Miniaturisierung in der Elektronik hat die Halbleiterindustrie nicht nur sehr effektive elektronische Bauelemente hervorgebracht, sondern auch die Werkzeuge für die Miniaturisierung mechanischer, optischer und weiterer Funktionen in den Mikro- und Nanometerbereich geliefert. Während die Skalierung von Transistoren langsam durch die Energieverluste und resultierende Erwärmung beschränkt wird, werden weitergehende Fortschritte eher in der Integration zusätzlicher Funktionalitäten in integrierte Schaltkreise erwartet. Im Bereich der Photonik und Optoelektronik mit zahlreichen Anwendungen in Rechentechnik, Nachrichtentechnik und Sensorik werden Silizium-basierte Bauelemente seit einigen Jahren kommerziell eingesetzt. Während diese kompatibel zu einem Großteil der Elektronik sind, bietet Silizium im Vergleich zu beispielsweise III-V-Materialien für die Verbindung von Optik und Elektronik suboptimale Eigenschaften. Abhilfe bietet die Verbesserung von Bauelementeigenschaften sowohl durch Strukturierung auf der Größenskala der Wellenlänge als auch durch die Legierung mit anderen Gruppe-IV-Materialien wie Germanium und Zinn. Diese Arbeit beschreibt Forschung in beiden Richtungen. Auf der einen Seite wurden nanophotonische Strukturen, vor allem sogenannte Metaoberflächen, zur Verstärkung und selektiven Filterung der Interaktion von Licht und Materie und die dazu nötigen entsprechenden Simulations- und Optimierungsverfahren entwickelt. Auf der anderen Seite beschäftigt sich die Arbeit mit der Weiterentwicklung von siliziumkompatiblen Materialien der vierten Hauptgruppe, vor allem mit der nicht destruktiven Charakterisierung solcher Materialien mit optischen Verfahren. KW - Metasurface KW - Group-IV KW - Plasmonics KW - Photodetector KW - Nanophotonik KW - Plasmonik KW - Gruppe-IV-Materialien KW - Integrierte Schaltung KW - Nanophotonik KW - Plasmonik KW - Silicium KW - Germanium Y1 - 2024 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-67979 ER - TY - THES A1 - Becker, Lucas T1 - The influence of the early relaxation phase on the threading dislocation density in strain relaxed Si₁₋ₓGeₓ buffer layers on Si(001) substrates T1 - Der Einfluss der frühen Relaxationsphase auf die Durchstoßversetzungsdichte in Spannungs-relaxierten Si₁₋ₓGeₓ Pufferschichten auf Si(001) Substraten N2 - The integration of germanium (Ge) on silicon (Si) for microelectronics applications requires strain-relaxed SiGe buffer layers (SRB) as virtual substrates. However, the presence of threading dislocations in these layers remains a challenge, as they can affect device performance. Existing methods achieve threading dislocation densities (TDD) around 1 x 10⁵ cm⁻², but a further reduction is desired for industrial applications. A SiGe backside deposition technique originally intended to compensate for wafer bowing surprisingly improves the TDD. The underlying physics remained poorly understood until now. In this work it is shown, that the SiGe backside deposition leads to a parasitic SiGe layer at the edge of the wafer. Partial relaxation of this layer generates dislocations, which fundamentally change the relaxation mechanism of subsequently deposited SiGe layers on the front side. These preexisting dislocations glide from the edge to the center of the wafer, preventing the formation of dislocation bundles and pile-ups. As a result, the TDD decreases significantly for layers with low Ge content. Adjusting the growth conditions and dislocation glide kinetics optimizes early relaxation, achieving a TDD reduction to 4x10⁴ cm⁻² for 25% Ge buffer layers. Additionally, a novel ring deposition technique provides controlled preexisting dislocations at the wafer’s edge, offering better control over the dislocation reservoir than uncontrolled parasitic deposition. Although initial results show promising results, further optimization is needed due to localized mechanical damage during processing. In summary, this research provides insights into strained SiGe layer relaxation, dislocation physics, and their impact on the TDD. By understanding these mechanisms, an enhancement of established buffer approach can be achieved and novel strategies for further TDD reduction can be developed. N2 - Die Integration von Germanium (Ge) auf Silizium (Si) für mikroelektronische Anwendungen erfordert spannungs-relaxierte SiGe-Pufferschichten als virtuelle Substrate. Allerdings stellen Durchstoßversetzungen in diesen Schichten eine Herausforderung dar, da sie die Leistung von Bauelementen beeinträchtigen können. Bestehende Methoden zur Versetzungsreduktion erreichen Versetzungsdichten (TDD) von etwa 1 x 10⁵ cm⁻², aber eine weitere Reduzierung ist für die industrielle Anwendung wünschenswert. Ein Verfahren zur SiGe-Rückseitenabscheidung, das ursprünglich die Waferverbiegung kompensieren sollte, verbessert überraschenderweise die TDD. Die zugrundeliegenden physikalischen Zusammenhänge waren bisher nur unzureichend bekannt. In dieser Arbeit wird gezeigt, dass die SiGe-Rückseitenabscheidung zu einer parasitären SiGe Schicht am Rande des Wafers führt. Die partielle Relaxation dieser Schicht erzeugt Versetzungen, die den Relaxationsmechanismus der nachfolgend auf der Vorderseite abgeschiedenen SiGe-Schichten grundlegend verändern. Diese bereits vorhandenen Versetzungen gleiten vom Rand des Wafers zum Zentrum, wodurch Versetzungsbündel und lokale Anhäufungen verhindert werden. Infolgedessen kann die Versetzungsdichte bei Schichten mit geringem Ge-Gehalt deutlich reduziert werden. Durch Anpassung der Wachstumsbedingungen und der Kinetik des Versetzungsgleitens kann die frühe Relaxationsphase optimiert werden und somit eine Reduzierung der TDD auf 4x10⁴ cm⁻² für 25% Ge-Pufferschichten erreicht werden. Darüber hinaus wurde eine neuartige Ringdepositionstechnik entwickelt, um für mehr Kontrolle über die Versetzungen am Rande des Wafers zu sorgen als unkontrollierte parasitären Abscheidung. Obwohl erste Ergebnisse vielversprechend sind, ist eine weitere Optimierung aufgrund lokaler mechanischer Schäden während der Verarbeitung notwendig. Zusammenfassend liefert diese Arbeit Einblicke in die Relaxation von verspannten SiGe-Schichten, Versetzungsphysik und deren Auswirkungen auf die TDD. Durch das Verständnis dieser Mechanismen kann der etablierte Pufferansatz verbessert und neue Strategien zur weiteren TDD-Reduzierung entwickelt werden. KW - Silicon KW - Germanium KW - Epitaxy KW - Dislocation KW - Wafer KW - Silizium KW - Epitaxie KW - Versetzungen KW - Wafer KW - Wafer KW - Silicium KW - Epitaxie KW - Versetzung Y1 - 2023 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-67431 ER - TY - THES A1 - Tetzner, Henriette T1 - Investigations of the electrical activity of defects in group IV and group III-N alloys integrated on Si substrates T1 - Untersuchung von elektrisch aktiven Defekten in Gruppe IV und Gruppe III-N epitaktischen Schichten integriert auf Si Substraten N2 - The hetero-integration of group IV and III-V epitaxial layers on silicon (Si) substrates enables novel devices for optoelectronic and high-power applications. However, lattice and thermal mismachtes lead to an unavoidable formation of defects in hetero-epitaxy. The consideration of these defects is important in semiconductor devices as they affect material properties and impair the device performances. Besides the structural characterization of the unintentional introduced defects and the question of it’s origin, it is essential to evaluate their electrical activity in order to describe their impact on the device performance. This work explores the electrical activity of threading dislocations (TDs) in Ge-rich SiGe heterostructures integrated on Si substrates as well as the electrical active defects introduced by the growth of aluminium-nitride (AlN) seed layers for the integration of gallium-nitride (GaN) on Si substrates. I demonstrated a defect-related p-type conductivity of intrinsically grown Si ₀ ̣₀₆Ge ₀ ̣₉₄/Ge that reaffirms previous work of similar intrinsic Ge-based material. Moreover, I detailed the threading dislocation related leakage currents in rectifying devices, revealing a power law dependence on the threading dislocation density (TDD). By a variation of temperature I determined the dominant mechanism of transport of this leakage currents in different temperature regimes, for which I suggested possible interactions with TD related defect states. Through the reduction of leakage currents in the fabricated MOS capacitors I was able to examine an effective carrier concentration of 5-6x10¹⁵cm⁻³ in the nominally intrinsic Si ₀ ̣₀₆Ge ₀ ̣₉₄ epitaxial layer, which decreases down to 1x10¹⁵cm⁻³in the Ge buffer underneath. By applying deep level transient spectroscopy (DLTS) I found one dominant hole trap at mid-gap position confirming the presence of an TD-related effective generation-recombination center. In addition, I investigated the hole trapping kinetics of this defect level and associated it with point defects that are trapped in the strain field around threading dislocations. I obtained insights into defect formation in the Si substrate and at the AlN/Si interface in dependence of the AlN growth temperature. A low temperature growth step prevented a deep in-diffusion of Al atoms into the Si substrate with simultaneous increase of the maximal p-type doping in the vicinity of the AlN/Si interface. Furthermore, I found a bulk hole trap inside the Si substrate at mid-gap position that showed an increase in density by applying a low temperature growth step. In contrast, the defect states at the AlN/Si interface decreased when a low temperature growth step was applied, in comparison to AlN layers grown at continuous high temperatures. N2 - Die Heterointegration von epitaktischen Gruppe IV und Gruppe III-V Schichten auf Silizium (Si) ermöglicht die Herstellung von innovativen Bauelementen für optoelektronische- und Hochleistungsanwendungen. Jedoch führen Gitterfehlanpassungen und Unterschiede in den Wäremausdehnungskoeffizienten zur unvermeidbaren Bildung von Defekten, welche verschiedene Materialeigenschaften beeinflussen und die Funktionsweise der Bauteile beeinträchtigen. Neben der strukturellen Charakterisierung der Defekte und der Frage nach deren Entstehung, ist es unerlässlich ihre elektrische Aktivität zu untersuchen, um den Einfluss auf die Bauteilperformance korrekt beschreiben zu können. Diese Arbeit untersucht die elektrische Aktivität von Durchstoßversetzungen in Silizium- Germanium (SiGe) Heterostrukturen mit hohem Germanium (Ge) Anteil, gewachsen auf Si Substraten, wie auch die elektrisch aktiven Defekte, welche durch das Wachstum von Alumiunnitrit (AlN) Schichten entstehen, die dazu genutzt werden um Galiumnitrit (GaN) auf Si zu wachsen. Ich konnte eine defektbedingte p-Dotierung in den undotiert gewachsenen Si ₀ ̣₀₆Ge ₀ ̣₉₄/Ge Schichten nachweisen. Darüber hinaus habe ich die versetzungsabhängigen Leckströme in gleichrichtenden Bauteilen beschrieben, wobei eine Potenzgesetzabhängigkeit von der Versetzungsdichte festegellt wurde. Durch eine Variation der Temperatur konnte ich die dominierenden Transportmechanismen der Leckströme bestimmen und habe mögliche Interaktionen mit den versetzungsbedingten Defektbändern beschrieben. Durch das erfolgreiche Unterdrücken der Leckströme in MOS Kondensatoren bestimmte ich eine effektive Ladungsträgerkonzentration in der intrinsischen Si0.06Ge0.94 Schicht in Höhe von 5-6x10¹⁵cm⁻³. In der darunter liegenden Ge-Pufferschicht sank diese Ladungsträgerkonzentration auf 1x10¹⁵cm⁻³. Mit Hilfe von Transientenspektroskopie tiefer Störstellen (DLTS) bestimmte ich eine löchereinfangende Störstelle in der Mitte der Bandlücke, die ein versetzungs-bedingtes Generation-Rekombinationszentrum in der untersuchten Si ₀ ̣₀₆Ge ₀ ̣₉₄/Ge Heterostruktur bestätigte. Zusätzlich untersuchte ich die Löchereinfangkinetik des gefunden Defektlevels und ordnete es daraufhin Punktdefekten zu, die im Spannungsfeld der Durchstoßversetzugen lokalisiert sind. Ich gewann Kenntnisse über elektrisch aktive Defekte im Si Substrat und an der AlN/Si Grenzfläche in Abhängigkeit der AlN Wachstumstemperatur. Ein Wachstumsschritt bei verringerter Temperatur verhinderte das tiefe Eindringen von Al Atomen in das Si Substrat im Vergleich zum AlN Wachstum bei konstant hoher Temperatur, wohingegen die maximale Dotierung in der Nähe der AlN/Si Grenzfläche anstieg. Des Weiteren beobachtete ich ein Defektlevel im Si Subsrtat in der Mitte der Bandlücke. Die Konzentration dieses Defektlevels nimmt zu, wenn der Wachstumsschritt bei verringerter Temperatur durchgeführt wird. Im Gegensatz dazu nehmen die Defekte an der AlN/Si Grenzfläche ab. KW - Silicon-germanium KW - Extended defects KW - Electrical active defects KW - Silizium-Germanium KW - Durchstoßversetzungen KW - Elektrisch aktive Defekte KW - DLTS KW - C-V KW - Siiicium KW - Germanium KW - MOS KW - Gitterbaufehler KW - Elektrischer Durchbruch Y1 - 2023 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-66819 ER - TY - JOUR A1 - Han, Weijia A1 - Reiter, Sebastian A1 - Schlipf, Jon A1 - Mai, Christian A1 - Spirito, Davide A1 - Jose, Josmy A1 - Wenger, Christian A1 - Fischer, Inga A. T1 - Strongly enhanced sensitivities of CMOS compatible plasmonic titanium nitride nanohole arrays for refractive index sensing under oblique incidence T1 - Stark verbesserte Empfindlichkeit von CMOS-kompatiblen plasmonischen Titannitrid-Nanoloch-Arrays für die Brechungsindex-Messungen unter nicht-senkrechtem Lichteinfall JF - Optics Express N2 - Titanium nitride (TiN) is a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) compatible material with large potential for the fabrication of plasmonic structures suited for device integration. However, the comparatively large optical losses can be detrimental for application. This work reports a CMOS compatible TiN nanohole array (NHA) on top of a multilayer stack for potential use in integrated refractive index sensing with high sensitivities at wavelengths between 800 and 1500 nm. The stack, consisting of the TiN NHA on a silicon dioxide (SiO2) layer with Si as substrate (TiN NHA/SiO2/Si), is prepared using an industrial CMOS compatible process. The TiN NHA/SiO2/Si shows Fano resonances in reflectance spectra under oblique excitation, which are well reproduced by simulation using both finite difference time domain (FDTD) and rigorous coupled-wave analysis (RCWA) methods. The sensitivities derived from spectroscopic characterizations increase with the increasing incident angle and match well with the simulated sensitivities. Our systematic simulation-based investigation of the sensitivity of the TiN NHA/SiO2/Si stack under varied conditions reveals that very large sensitivities up to 2305 nm per refractive index unit (nm RIU−1) are predicted when the refractive index of superstrate is similar to that of the SiO2 layer. We analyze in detail how the interplay between plasmonic and photonic resonances such as surface plasmon polaritons (SPPs), localized surface plasmon resonances (LSPRs), Rayleigh Anomalies (RAs), and photonic microcavity modes (Fabry-Pérot resonances) contributes to this result. This work not only reveals the tunability of TiN nanostructures for plasmonic applications but also paves the way to explore efficient devices for sensing in broad conditions. N2 - Titannitrid (TiN) ist ein CMOS-kompatibles Material mit großem Potenzial für die Herstellung plasmonischer Strukturen, die sich für die Bauelementintegration eignen. Die vergleichsweise großen optischen Verluste können sich jedoch nachteilig auf die Anwendung auswirken. In dieser Arbeit wird ein CMOS-kompatibles TiN-Nanoloch-Array (NHA) auf einem Mehrschichtstapel vorgestellt, das für die integrierte Brechungsindexmessung mit hoher Empfindlichkeit bei Wellenlängen zwischen 800 und 1500 nm eingesetzt werden kann. Der Stapel, bestehend aus dem TiN NHA auf einer Siliziumdioxid (SiO2)-Schicht mit Si als Substrat (TiN NHA/SiO2/Si), wurde in einem industriellen CMOS-kompatiblen Prozess hergestellt. Das TiN NHA/SiO2/Si zeigt Fano-Resonanzen in den Reflexionsspektren bei schrägem Einfallswinkel, die durch Simulationen sowohl mit Finite-Differenzen-Zeitbereichsmethoden (FDTD) als auch Rigorous Coupled Wave Analysis (RCWA) gut reproduziert werden. Die aus den spektroskopischen Charakterisierungen abgeleiteten Empfindlichkeiten nehmen mit zunehmendem Einfallswinkel zu und stimmen gut mit den simulierten Empfindlichkeiten überein. Unsere systematische simulationsbasierte Untersuchung der Empfindlichkeit des TiN NHA/SiO2/Si-Stapels unter verschiedenen Bedingungen zeigt, dass sehr große Empfindlichkeiten bis zu 2305 nm RIU-1 vorhergesagt werden, wenn der Brechungsindex des Dielektrikums oberhalb des NHAs ähnlich dem der SiO2-Schicht ist. Wir analysieren im Detail, wie das Zusammenspiel zwischen plasmonischen und photonischen Resonanzen wie Oberflächenplasmonpolaritonen (SPPs), lokalisierten Oberflächenplasmonenresonanzen (LSPRs), Rayleigh-Anomalien (RAs) und photonischen Mikrokavitätsmoden (Fabry-Pérot-Resonanzen) zu diesem Ergebnis beiträgt. Diese Arbeit zeigt nicht nur die Abstimmbarkeit von TiN-Nanostrukturen für plasmonische Anwendungen, sondern ebnet auch den Weg für die Erforschung effizienter Geräte für die Erkennung unter verschiedensten Bedingungen. KW - TiN KW - Plasmonics KW - Plasmonik KW - Plasmonik KW - Photonik KW - Titannitrid KW - Plasmonics KW - Photonics Y1 - 2023 U6 - https://doi.org/10.1364/OE.481993 SN - 1094-4087 VL - 31 IS - 11 SP - 17389 EP - 17407 PB - Optica Publishing Group CY - Washington, DC ER - TY - THES A1 - Reichmann, Felix T1 - Germanium, Zinn und (Zink-) Galliumoxid für fortschrittliche Mikro- und Optoelektronik : Einblicke in die elektronische Struktur der Oberfläche mit Photoemissionstechniken T1 - Germanium, tin and (zinc) gallium oxide for advanced micro- and optoelectronics : insights into the surface electronic structure with photoemission techniques N2 - Historically, Ge is one of the oldest materials in the semiconductor industry and its (001) surface has been the subject of extensive investigations by photoelectron spectroscopy. I am going to challenge the predominant attribution of a semi-conducting nature of the Ge(001) surface in this thesis. My investigations reveal the presence of a Ge(001) surface state above the Fermi-level, occupied at room temperature. Employing time- and temperature-dependent angle-resolved photoelectron spectroscopy, I will demonstrate that the presence of this surface state is evidence for the conducting nature of the surface at room temperature. Sparked by the remarkable properties of the GeSn-alloy and a trend towards Ge-Sn-related multiquantum well fabrication, I investigate the surface electronic structure of Ge(001) after adsorption and incorporation of Sn. With an in-depth analysis of surface core-level shifts, I will extend the growth model of the Sn wetting layer formation by also detailing structural changes in the subsurface region. At the same time, the modifications of the electronic structure will be detailed, observing the removal of the Ge(001) surface states, the creation of a new, Sn-related surface state and the initial stages of the Schottky barrier formation. β-Ga₂O₃ a transparent semi-conducting oxide that has sparked a lot of interest over the last decade, because it offers an ultra-wide band gap and high break down voltage. However, due to its monoclinic crystal structure, device fabrication is rather challenging and researchers are already looking into alternative materials. One of these candidates is ϵ-Ga₂O₃ and this work presents a combined study by photoelectron spectroscopy and ab initio calculations of its electronic structure. (Hard) X-rays reveal the impact of photoelectron recoil and the absence of a band bending to the surface, while the dispersion of experimentally determined valence states compares favorably with the calculations based on hybrid density-functional theory. Another alternative to β-Ga₂O₃ be ZnGa₂O₄ and I will present an investigation on the electronic structure of its (100) surface. Due to the novelty of ZnGa₂O₄ single-crystals, I am first going to explore the preparation of a clean and well-ordered surface by standard in-situ sputtering and annealing. I will show that already low annealing temperatures induce Zn-deficiency, leading to non-stoichiometric surfaces, further exacerbated by sputtering. By changing the sputtering parameters and the annealing conditions, the preparation of a surface with sufficient quality for subsequent investigations will be demonstrated. The results by photoemission techniques compare favorably with the expectations from theory and allowing the first fundamental insights into the surface electronic structure. N2 - Ge ist eines der ältesten Materialien in der Geschichte der Halbleiter-Industrie und die Ge(001) Oberfläche wurde bereits umfassend durch Photoelektronenspektroskopie untersucht. Die dominierende Zuschreibung einer halbleitenden Eigenschaft der Oberfläche werde ich in dieser Dissertation anfechten. Meine Untersuchungen zeigen einen Ge(001) Oberflächenzustand oberhalb des Fermi-Niveaus, der bei Raumtemperatur besetzt ist. Durch zeit- und temperaturabhängige, winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie werde ich zeigen, dass die Beobachtung dieses Zustands der Beweis für die leitende Eigenschaft der Oberfläche, bei Raumtemperatur, ist. Inspiriert von den außergewöhnlichen Eigenschaften der GeSn-Legierung und einem Trend hin zu Ge-Sn-basierten Multi-Quantentopfstrukturen, werde ich die Modifizierung der Ge(001) Oberflächenbandstruktur nach Adsorption von Sn untersuchen. Mit einer detaillierten Analyse von Energie-Niveau-Verschiebungen, der inneren Elektronen der Oberflächenatome, werde ich das Modell des Sn-Wachstums auf der Ge (001) Oberfläche, um die darunter liegenden Schichten erweitern. Gleichzeitig werden Änderungen in der elektronischen Struktur gemessen. So kann die Entfernung von Ge(001) Oberflächenzuständen, die Entstehung eines neuen, Sn-basierten Oberflächenszustands und die ersten Stufen der Formation der Schottky-Barriere beobachtet werden. β-Ga₂O₃ ist ein transparentes halbeleitendes Oxid, welches im vergangenen Jahrzehnt dank seiner extrem breiten Bandlücke und hohen Durchbruchspannung großes Interesse geweckt hat. Jedoch ist die Herstellung von Bauteilen aufgrund der monoklinischen Kristallstruktur eine Herausforderung und Wissenschaftler suchen bereits nach alternativen Materialien. Ein möglicher Kandidat ist ϵ-Ga₂O₃ und in dieser Arbeit wird dessen elektronische Bandstruktur mit einer Kombination aus Photoelektronenspektroskopie und ab initio Berechnungen untersucht. (Harte) Röntgenstrahlung erlaubt die Beobachtung von Rückstoßeffekten der Photoelektronen und die Abwesenheit von Bandverbiegungen, während die Dispersionen der experimentell gemessenen Valenzbandzustände Berechnungen mit hybrid-density-functional-Theorie bestätigen. Eine andere Alternative zu β-Ga₂O₃ könnte ZnGa₂O₄ sein und ich werde eine Untersuchung der elektronischen Struktur, der (100)-Oberfläche präsentieren. Aufgrund die Neuartigkeit von ZnGa₂O₄-Einkristallen werde ich zuerst die Vorbereitung einer sauberen und kristallinen Oberfläche mittels in-situ Sputtern und Heizen untersuchen. Ich werde zeigen, dass es selbst bei niedrigen Heiztemperaturen zu Zn-Mangel in der Oberfläche kommt, welcher sich durch Sputtern verschlimmert. Durch das ändern der Sputterparameter und der Bedingungen beim Heizen, werde ich eine Oberfläche mit hinreichender Qualität für eine weitergehende Charakterisierung der elektronischen Struktur demonstrieren. Die Ergebnisse aus der Photoelektronenspektroskopie passen zu theoretischen Berechnungen der Bandstruktur und liefern somit die ersten Einsichten in die elektronische Struktur der Oberfläche. KW - Angle-resolved photoemission spectroscopy KW - X-ray photoelectron spectroscopy KW - Germanium-tin KW - Zinc gallium oxide KW - Surface science KW - ARPES KW - Gallium-Zink-Oxid KW - XPS KW - Halbleiteroberfläche KW - Bandstruktur KW - Elektronenstruktur KW - Germaniumverbindungen KW - Galliumverbindungen KW - ARPES KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie Y1 - 2022 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-62080 ER - TY - THES A1 - Yang, Penghui T1 - Impact of alkali treatments on the surface and interface properties of Chalcopyrite thin-film solar cell absorbers T1 - Der Einfluss von Alkalibehandlungen auf die Oberflächen- und Grenzflächeneigenschaften von Chalkopyrit-Dünnschicht-Solarzellabsorbern N2 - This thesis focuses on the investigation and characterization of the surfaces and interfaces of chalcopyrite-based Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) thin film solar cells using various x-ray and electron spectroscopies. In particular, the impact of alkali post deposition treatments (PDT) on the chemical and electronic surface and interface structure of CdS/CIGSe absorbers is studied. The structure of “real world” CdS/CIGSe interfaces and how they are impacted by different alkali PDTs was investigated by a combination of different x-ray spectroscopies. The interface formation is characterized by studying sample sets with different CdS thicknesses. The chemical environment for indium and cadmium is revealed by deriving the modified Auger parameter α'(In) and α'(Cd) using the kinetic energy of most prominent Auger line together with the binding energy of the chosen core level. A more complex situation is found for CdS/CIGSe samples that underwent NaF+KF PDT, where a K-In-Se compound is initially present on top of the chalcopyrite absorber. The conversion of the K-In-Se type species into a Cd-In-(O,OH,S,Se) interface compound is recorded at short CBD-CdS deposition times. It appears the majority of K that is present at the surface of the NaF+KF PDT CIGSe absorber is dissolved in the CBD and partially re-deposited as K-O type species. The Cd/S ratio clearly deviates from the stoichiometry expected for CdS, and a Cd(O,OH,S)-like compound is likely formed. The electronic structure of CdS/CIGSe interface is similarly more complex for the NaF+KF PDT compared to the NaF PDT case, where only Cd(O,OH,S) buffer was formed. In an attempt to shed more light into this complex situation, the impact of evaporated alkali metals (K, Rb, Cs) on the surface structure of CIGSe was studied in-system by synchrotron-based hard x- ray photoelectron spectroscopy (HAXPES), aiming at understanding the underlying mechanism of the interfacial effect of alkalis on the performance of CIGSe devices. In the case of K deposition, two K species are observed by x-ray absorption near-edge structure (XANES) and HAXPES, one of which species disappears at high annealing temperature. Furthermore, three new In contributions (In-O and K-In-Se, metallic In species) can be observed after K evaporation. The evolution of chemical contribution supports the formation of a K-In-Se and Cu-poor CIGSe (1:3:5) bilayer structure that is similar to what was reported for “real world” NaF+KF PDTs. Deposition of heavy alkali metals (Rb, Cs) induced the formation of alkali selenide phases after alkali evaporation and during low temperature annealing. Similar chemical changes as seen for the K composition (i.e. presence of metallic In, In-O, and alkali-O) are observed. However, detailed analysis of the Alk/Se ratio and composition provide direct evidence for the formation of a Alk-(In)-Se and (Cu,Alk)(In, Ga)Se2 bilayer. The insights from these studies promise to provide crucial aid to fully exploit alkali pre-treatments in scientific and industrial CIGSe production, and will deliberate use of this means of surface/interface tailoring to push efficiencies even further. N2 - Diese Dissertation konzentriert sich auf die Untersuchung und Charakterisierung der Ober- und Grenzflächen in Chalkopyrit-basierten Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) Dünnschicht-Solarzellen mit verschiedenen Röntgen- und Elektronenspektroskopien. Insbesondere werden die Auswirkungen von Alkali-Nachbehandlungen (post deposition treatments, PDT) auf die chemischen und elektronischen Oberflächen- und Grenzflächenstrukturen in CdS/CIGSe Schichtstapeln untersucht. Die Eigenschaften von “realen” CdS/CIGSe Grenzflächen und wie verschiedene Alkali-PDTs diese beeinflussen, wurde durch eine Kombination verschiedener Röntgenspektroskopien untersucht. Die Ausbildung der Grenzfläche wurde mittels einer CdS-Dickenserie untersucht. Die chemische Umgebung von Indium und Cadmium wurde durch die Betrachtung der modifizierten Auger-Parameter α'(In) und α'(Cd) identifiziert. Für CdS/CIGSe-Proben bei denen der CIGSe Absorber vor der CdS Abscheidung einer NaF+KF PDT unterzogen wurde finden wir eine komplizierte Grenzflächenstruktur. Die K-In-Se-Verbindung die sich durch das PDT zunächst auf dem Chalkopyritabsorber ausbildet wandelt sich in der Anfangsphase der CdS Abscheidung im chemischen Bad in eine Cd-In-(O,OH,S,Se) Grenzflächenverbindung um. Zudem scheint es, dass die Mehrheit des vorhandenen Kalium, sich im chemischen Bad löst und teilweise als K-O Verbindung wieder auf dem CIGSe Absorber abgelagert wird. Das Cd/S Verhältnis weicht deutlich von der für CdS erwarteten Stoichiometrie ab, und es bildet sich wahrscheinlich eine Cd(O,OH,S) ähnliche Verbindung für lange Abscheidezeiten aus. Die elektronische Struktur der CdS/CIGSe Grenzfläche ist für den NaF+KF PDT Fall ähnlich komplexer als im NaF PDT-Fall, wo wir quasi eine abrupte Grenzfläche zwischen Absorber und Cd(O,OH,S) Puffer finden. Um mehr Licht in diese komplexe Situation zu bringen, wurden entsprechende Modellsystem unterscucht. Hierfür wurden die Alkalimetalle (K, Rb, Cs) direkt auf die Oberflächenstruktur von CIGSe aufgedampft und im gleichen Vakuumsystem mittels synchrotron-basierter Hart-Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (HAXPES) untersucht. Nach der Abscheidung von Kalium konnten wir zwei K Spezies identifizieren, von denen eine bei hohen Temperaturen thermischer Nachbehandlung verschwindet. Darüber hinaus können drei neue In-Verbindungen (In-O und K-In-Se, metallisches In) nach der Abscheidung von K beobachtet werden. Die Entwicklung der chemischen Struktur mit höher werdenden Temperaturen während der thermischen Nachbehandlung unterstützt das Bild einer K-In-Se/Cu-arme CIGSe (1:3:5) Doppelschicht-Struktur – ist also ganz ähnlich was für “reale” NaF+KF PDT CIGSe Proben berichtet wird. Die Abscheidung von schweren Alkalimetallen (Rb, Cs) induziert die Bildung von Alkaliselenidphasen. Ähnliche chemische Veränderungen wie im K-Experiment (d.h. Vorhandensein von metallischem In, In-O und Alkali-O) werden auch hier beobachtet. Eine detaillierte Analyse des Alk/Se-Verhältnisses und der Zusammensetzung liefert jedoch direkte Beweise für die Bildung einer Alk-(In)-Se/(Cu,Alk)(In, Ga)Se2 Doppelschicht. Die Erkenntnisse aus dieser Arbeit können dazu beitragen, Alkali-Vorbehandlungen auch in der industriellen CIGSe-Produktion einzusetzen und voll auszuschöpfen. Ein bewusstes Nutzen der identifizierten Oberflächen-/Grenzflächenanpassung könnte die Wirkungsgrade entsprechender Solarzellen sogar noch steigern. KW - Alkali PDT KW - Surface KW - Interface KW - Grenzflächen KW - Alkali-Nachbehandlungen KW - Oberflächen KW - CIGSe KW - Solarzelle KW - Oberfläche KW - Alkalien KW - Grenzfläche Y1 - 2020 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-51772 ER - TY - THES A1 - Schlykow, Viktoria Diana T1 - Selective growth and characterization of GeSn nanostructures on patterned Si wafers T1 - Selektives Wachstum und Charakterisierung von GeSn Nanostrukturen auf strukturierten Si Wafern N2 - Over the past seven decades Si microelectronics have developed rapidly. The success of the growing microelectronic industry is also caused by the expansion of materials in addition to Si. Open challenges are the monolithic integration of group IV devices on Si photonics as well as overcoming the size mismatch between electronic parts in the nm range and photonic parts in the µm scale. In this thesis the future application of GeSn NIs on Si as a photodetector is evaluated. The key element required for high performance optoelectronic devices is the formation of high-quality GeSn nano-islands (NIs), i.e. overcoming growth challenges such as introduction of defects due to lattice and thermal mismatch between GeSn and Si substrate as well as suppression of Sn precipitation caused by the limited solid solubility of Sn in Ge. To achieve high-quality nanostructures, the selective growth of GeSn NIs on Si(001) seeds via molecular beam epitaxy is investigated, exploiting the advantages of nanoheteroepitaxy (NHE), i.e. growth on nano-patterned substrates. The best compromise between selective growth of GeSn on Si nano-pillars at significant higher growth temperature than the eutectic temperature of GeSn and the incorporation of Sn into the Ge lattice was achieved at 600°C. X-ray diffraction studies confirmed the substitutional incorporation of 1.4at.% Sn into the NIs avoiding considerable Si interdiffusion from the substrate. Transmission electron microscopy images have shown that dislocations and stacking faults caused by plastic relaxation of the GeSn NIs are located near the NIs/substrate interface and thus, dislocation-free GeSn NIs can be formed, due to gliding out of the threading arms triggered by the NHE approach. The high crystal quality of the GeSn NIs, enables the investigation of the bandgap by μ-photoluminescence (PL) analyses, demonstrating the shrinkage of the direct bandgap with increasing Sn content in the quasi-direct semiconductor. All NIs however feature a β-Sn droplet on their nano-facets. To suppress the out-diffusion of Sn and hence increase the Sn concentration of the GeSn alloy, the GeSn NIs were overgrown with a thin Ge cap layer. The Ge cap successfully hinders the formation of Sn segregates on top of the NIs. Capping at 600 °C and 650°C results in an enrichment of Sn at the surface, forming a GeSn crust with 8±0.5at.% Sn. This wetting layer both enhances the optoelectronic properties of the NI core and exhibits a relatively strong PL emission attributed to direct radiative recombination. Finally, a first demonstration of a GeSn NIs based photodetector was successful, due to the utilization of Al nano-antennas exhibiting an enhanced light coupling into the GeSn NIs at a wavelength of 700nm. The responsible mechanisms is the local plasmonic field enhancement of the incoming light. The manipulation of the resonance wavelength into the telecommunication regime, i.e. >1550nm, have to be investigated in future studies. N2 - In den letzten sieben Jahrzehnten hat sich durch den Einsatz neuer Materialien die Si-basierte Mikroelektronik-Industrie enorm weiterentwickelt. Offene Fragestellungen sind die monolithische Integration von Gruppe-IV-basierten Bauteilen auf Si-Photonischen Chips sowie die Größendiskrepanz zwischen elektronischen und photonischen Bauteilen. Im Rahmen dieser Doktorarbeit soll untersucht werden, ob GeSn-Nano-Inseln (NI) auf Si Wafern für die Verwendung als Photodetektor geeignet sind. Ein wesentlicher Aspekt zur Realisierung von optoelektronischen Hochleistungsbauteilen ist das Wachstum von hoch kristallinen GeSn-NI, d.h. die Einbringung von Defekten aufgrund von Gitter- und thermischer Fehlanpassung zwischen den GeSn-NI und dem Si-Substrat sowie Sn-Segregation aufgrund der geringen Löslichkeit von Sn in Ge müssen vermieden werden. Unter der Verwendung des Nanohetereopitaxie (NHE) Ansatzes wird das selektive Wachstum von GeSn-NI mithilfe von Molekularstrahlepitaxie untersucht. Der beste Kompromiss zwischen selektivem GeSn Wachstum auf nanostrukturierten Si(001) und dem Einbau von Sn in das Ge-Gitter wurde bei 600°C erreicht, was bei weitem die eutektische Temperatur von GeSn überschreitet. Analysen mithilfe von Röntgendiffraktometrie ergaben einen substitutionellen Einbau von 1.4at.% Sn in die NI ohne erhebliche Si-Interdiffusion aus dem Si Substrat. Aufnahmen mittels von Transmissionselektronenmikroskopie zeigten, dass sich Versetzungen und Stapelfehler aufgrund plastischer Relaxation nur an der NI/Substrat-Grenzfläche befinden, da Versetzungsarmen aufgrund NHE herausgleiten können. Die hohe Kristallqualität der versetzungsfreie GeSn-NI ermöglicht es, die Bandlücke mithilfe von Photolumineszenz (PL) Spektroskopie zu charakterisieren. Dabei konnte festgestellt werden, dass es zu einer Verringerung der direkten Bandlücke mit steigendem Sn-Gehalt im quasi-direkten Halbleiter kommt. Alle Inseln weisen β-Sn-Tropfen auf ihren Nano-Fazetten aufgrund der Diffusion des überschüssigen Sn auf. Um den Sn-Gehalt in der GeSn-Legierung zu erhöhen, wurden die GeSn-NI im Nachhinein mit einer dünnen Ge-Deckschicht überwachsen. Diese Ge-Deckschicht verhindert die Bildung von β-Sn-Segregaten auf den GeSn-NI. Zusätzlich bildet sich bei 600°C und 650°C eine GeSn Kruste mit 8±0.5at.% Sn aus. Diese Benetzungsschicht verbessert die optoelektronischen Eigenschaften des Inselkerns und weist gleichzeitig eine relativ starke PL Emission aufgrund der direkten Bandlücke auf. Schließlich war eine erste Demonstration eines Photodetektors basierend auf GeSn-NI durch die Verwendung von Al-Nano-Antennen erfolgreich, um eine verstärkte Lichteinkopplung in die GeSn-NI bei einer Wellenlänge von 700nm zu erreichen. Der zugrundeliegende Mechanismus ist die lokale plasmonische Feldverstärkung des einfallenden Lichtes. Die Manipulation der Resonanzwellenlänge in den Telekommunikationsbereich, d.h. >1550nm, sollte in zukünftigen Studien untersucht werden. KW - Group IV KW - Nanoheteroepitaxy KW - Photoluminescence KW - Selective growth KW - Gruppe IV KW - Nanoheteroepitaxie KW - Photolumineszenz KW - Selektives Wachstum KW - Germanium KW - Zinn KW - Silicium KW - Heteroepitaxie KW - Photodetektor Y1 - 2019 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-48860 ER -