TY - THES A1 - Kiening, Hans T1 - System zur Beschreibung der objektiven Bildgüte digitaler Filmbelichter N2 - Ziel der im Weiteren vorgestellten Arbeit ist die Erstellung eines Mess- und Kalibriersystems für einen digitalen Filmbelichter: den ARRILASER. Während dessen Herstellung werden die einzelnen Produktionsstufen anhand der erreichten Bildqualität auf dem belichteten Negativ überprüft. Für diese Aufgabe waren zunächst die wichtigsten Parameter festzulegen, geeignete Messverfahren zu erstellen, zu systematisieren und weitgehend zu automatisieren. Einige der Gütekriterien, wie z.B. die Bildlage oder die Konvergenz in Richtung des schreibenden Laserstrahles, sind durch Softwareparameter kontrollierbar. Diese Parameter sollten durch eine Auswertung der Messdaten neu berechnet werden, um aufgetretene Belichtungsfehler zu kompensieren. Dies konnte anfänglich nur durch eine Vielzahl von Messgeräten erledigt werden. Für die Bestimmung geometrischer Größen wurde ein Messmikroskop mit X-Y-Tisch verwendet, für die Ermittlung von Filmdichten ein Densitometer sowie ein Mikrophotometer für die Messungen der optischen Übertragungsfunktion. Für die Überprüfung auf Artefaktfreiheit ergab sich eine weitere Schwierigkeit: Da sich ein Filmnegativ durch seine Maskierung und die umgekehrte Darstellung nicht für eine subjektive Betrachtung eignet, musste es zur Beurteilung erst auf Positiv umkopiert werden. Die durch den analogen Kopierprozesses zwangsläufig entstehenden Verluste schränken die Aussagekraft der Kopie deutlich ein. Es ist nicht mehr möglich eindeutig zu identifizieren, ob ein erkannter Fehler nicht erst durch die Kopie erzeugt wurde. Kurzum: die Qualitätsüberwachung gestaltete sich äußerst umständlich und war so absolut ungeeignet, die Serviceingenieure bei ihren inzwischen weltweiten (86 Installationen) Einsätzen zu unterstützen. Es bestand dringend der Bedarf, ein "transportables Verfahren" zu schaffen, das durch einen Techniker bedienbar, eine schnelle und signifikante Aussage über die wichtigsten Qualitätsparameter eines ARRILASER's erlaubt, Grenzwertüberschreitungen anzeigt und Kompensationsparameter berechnet. Realisiert wurde dies durch die Entwicklung eines Verfahrens, das eine Filmprobe zusammen mit einem hochpräzisen Referenzmuster scannt. Durch Kalibrierung jeder Messung auf die Referenz und durch Transformation der Messdaten in photometrische und geometrische Standardeinheiten, konnte für das System ein handelsüblicher Diascanner verwendet werden. Die Besonderheit des Verfahrens ist, dass anhand eines einzigen Testbildes alle relevanten Parameter weitgehend automatisch gemessen werden können. Im Verlauf der Entwicklung hat sich dieses Messsystem zu einem Produkt entwickelt, das ARRILASER-Kunden als Qualitätsüberwachungsinstrument angeboten wird. Ein Exemplar befindet sich derzeit bei Kodak (Rochester, USA) und soll nach erfolgreicher Zertifizierung als standardisiertes Messverfahren für die Qualitätsbewertung von 35 mm Cine-Film empfohlen werden. N2 - The aim of this dissertation was to come up with a measure and calibrationsystem for a digital filmrecorder the ARRILASER. All productionsteps of the ARRILASER are monitored via the objective image quality derived on the exposed negativ. So first of all we had to define the most important parameters aims and thresholds and we had to find a way how to measure them systematically and automise this process as much as possible. Some of the quality criteria, for example the image position or the convergence of the scanning laserbeam are adjustable with recorder-software parameters. These parameters had to be examined and recalculated to compensate for exposure errors. All this steps could only be measured with a bunch of measurement devices such as a measurement microscope with x/y-table for all geometry data, or a microphotometer for all densitometry values and the optical transfer function. While checking for exposure artefacts another problem occurred, due to the fact that all examination have been carried out on a negative, some of the artefacts became never visible because of the low negativ-gamma and so a print had to be made. Now when we checked the print we couldn't securily say wheter the artefact was introduced by the printer or not. Making a long story short, monitoring of the ARRILASER production as described above was neither feasible nor a possibilty which could habe been used by the service-engeneers in the field. There was a clear demand to find a way for a transportable, easy to use system that allows a fast and significant conclusion about important image quality parameters which would let a service technician instantly see tolerance exeedings and compute compensation parameters. This became possible by rescanned a filmprobe together with a higly precise manufactured referenceglass. Calibrating each scan to the reference and transforming the data into geometric and photometric standard units made it possible to use an inexpensive slidescanner. The beauty of this method is, that all relevant parameters can be determined more or less automatically by scanning a single frame. The system now is comercially available as a ARRI product and is currently certified from Kodak (Rochester, USA). Since December 2002 the system is applying for a international patent. KW - Film-Belichtungsanlage KW - Laserstrahlung KW - Bildqualität KW - Qualitätskontrolle KW - Kalibrieren KW - Scanner KW - MTF KW - Bildqualität KW - ARRILaser KW - Scanner KW - RMS Y1 - 2002 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000325 ER - TY - THES A1 - Wolansky, Dirk T1 - Niedertemperaturepitaxie zur Herstellung von SiGe/Si-HBTs N2 - In der Arbeit wird untersucht, inwieweit zwei Epitaxieverfahren (LPCVD- und RPCVDVerfahren) geeignet sind, Bor-dotierte Si/SiGe/Si-Heteroschichtstapel mit guter Homogenität und Reproduzierbarkeit herzustellen. Die Bewertung der Epitaxieverfahren erfolgte anhand von HBT-Parametern, deren Streuungen von Wafer zu Wafer und über den Wafer ermittelt und mit publizierten Referenzdaten des etablierten UHVCVD-Verfahrens verglichen wurden. Die besten Ergebnisse wurden für RPCVD-basierte Si/SiGe/Si-Schichstapel ermittelt. Schichtstapel beider Epitaxieverfahren haben eine geringe Dichte elektrisch aktiver Defekte. Als kritischer Epitaxieprozeßparameter wurde die Abscheidetemperatur ermittelt. Im Fall des LPCVD-Verfahrens hat die Trägergasgeschwindigkeit einen großen Einfluß auf die Homogenität des Boreinbaus. Mit dieser Arbeit wurde nachgewiesen, daß das RPCVDEpitaxieverfahren eine Alternative zum etablierten UHVCVD-Verfahren ist. N2 - In this thesis it is investigated how far two epitaxial methods (LPCVD and RPCVD) are applicable for the homogeneous and reproducible deposition of boron doped Si/SiGe/Si hetero layer stacks. The methods were evaluated by means of wafer to wafer and within wafer spread of HBT parameters as well as by comparison of these data with published data of the established UHVCVD epitaxial method. The best results were achieved for RPCVD based Si/SiGe/Si-layer stacks. It was found that layer stacks of both investigated epitaxial methods possess low densities of electrically active defects. The most critical process parameter is the deposition temperature. The carrier gas velocity influenced strongly the boron incorporation in the case of the LPCVD reactor. In result of this thesis it was found that the RPCVD method is an alternative to the established UHVCVD method. KW - Heterobipolartransistor KW - Germanium KW - Silicium KW - CVD-Verfahren KW - Niedrigtemperatur KW - Epitaxie KW - SiGe KW - HBT KW - CVD Y1 - 2003 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000408 ER - TY - THES A1 - Pierschel, Michael Dietmar T1 - Frequenzteiler mit niedriger Leistungsaufnahme N2 - Ziel dieser Arbeit ist die Vorstellung und Diskussion einer neuartigen Schaltungstechnik für Dual-Modulus Hochfrequenzvorteiler mit einem niedrigen Leistungsverbrauch. Diese neue Schaltungstechnik wird verifiziert im System einer Phasenregelschleife. Diese PLL ist das zentrale Element in Sender- und Empfängerschaltungen. In Frequenzsynthesizern der Mobilkommunikation werden bis zu 90% der Gesamtverlustleistung vom Dual-Modulus HF Vorteiler beansprucht. Mit Hilfe der in dieser Arbeit vorgestellten Schaltungstechnik kann annähernd das gleiche Produkt aus Geschwindigkeit und Verlustleistung für den HF Vorteiler erreicht werden, wie in einfachen Binärteilern. Grenzen einfacher CMOS Schaltungen werden verglichen mit denen der CML Schaltungstechnik. N2 - It is a goal of this paper to introduce and discuss a new circuit technique for dual-modulus high frequency dividers with low energy consumption. The new technique is verified in a PLL frequency synthesizer loop system. The PLL is a central element in a Transmitter/Receiver design. Frequency synthesizers, used in mobile communications, spent commonly up to 90% of the total energy used for the dual-modulus RF Prescaler. Using the new circuit technique, a dual-modulus prescaler may reach nearly the same product of velocity and energy consumption as simple binary divider reach. Limits of simple CMOS circuits are shown in comparison to the CML circuit technique. A PLL design study including circuit schematics is given in the Appendix. KW - Hochfrequenzschaltung KW - Frequenzteiler KW - Phasenregelkreis KW - Frequenzsynthese KW - Verlustleistung KW - Bitrate KW - Frequenzsynthese KW - PLL KW - Phasenregelschleife KW - Frequenzleiter KW - Dual-Modulus Teiler Y1 - 2002 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000288 ER - TY - THES A1 - Tost, Frank T1 - Signalstärkebasierte Ortung – Ein Beitrag zur probabilistischen, symbolischen, zellgenauen Ortung mobiler Netzwerkknoten innerhalb von Gebäuden T1 - Signal strength based localization - A contribution in probabilistic, symbolic, cell based localization of mobile objects in indoor environments N2 - Die vorliegende Dissertation setzt ein empfangssignalstärkebasiertes, probabilistisches, zweistufiges Ortungsverfahren zur symbolischen Lokalisierung von Objekten im Indoor-Bereich um. Dazu wird eine Hardware auf Basis der im 2,4 GHz ISM-Band arbeitenden Funktechnologie der Firma Nanotron zum Aufbau eines unidirektionalen Funknetzes entwickelt. Es besteht aus mobilen und stationären Netzwerkknoten und wurde in verschiedenen Umgebungsszenarien getestet. Neben dem für den Ortungsalgorithmus erforderlichen Signalstärkeparameter (AGC-Gain) wird ebenso die Sendeleistung als weiterer Systemparameter variiert. Die dadurch erweiterte Datenbasis vergrößert die Trennschärfe der diskreten a posteriori-Verteilung. Deren Modalwert bestimmt den geschätzten Aufenthalt des Mobilknotens im diskreten Raum. Der innerhalb einer ausgewählten Gebäudestruktur angewendete Basisalgorithmus liefert eine absolute Ortungsgenauigkeit von circa 73% und bestätigt so die prinzipielle Eignung des Verfahrens. Der mittlere Entfernungsfehler liegt für das 95. Perzentil bei 6,2 m. Bei einer mittleren Zellengröße von 5x5 m wird damit selbst im Fall einer Fehlortung mit hoher Wahrscheinlichkeit eine unmittelbare Nachbarzelle ausgewählt. Der flexible Aufbau erlaubt zusätzliche Untersuchungen an Parametern, welche Einfluss auf die Ortungsgenauigkeit haben. Darunter zählen Variationen der Höhe und Antennenausrichtung der Mobilknoten sowie Untersuchungen zur Hardwarestreuung. Dabei wird deutlich, dass in den beiden erstgenannten Fällen eine deutliche Verringerung der Trefferquote bis hin zu 37% auftritt. Hingegen belegt die hohe Reproduzierbarkeit der Ortungsgenauigkeit bei Verwendung baugleicher Netzwerkknoten die Übertragbarkeit einer mit einem Mobilknoten erstellten RadioMap auf andere Knoten. Das Ortungsverfahren wird neben dem primären Einsatzfeld im Indoor-Bereich ebenfalls im Outdoor-Bereich getestet. Dabei können Interferenzerscheinungen durch Mehrfachsignalausbreitung gesondert untersucht und modelliert werden. Im Anschluss werden Ansätze vorgestellt, welche das System unter verschiedenen Gesichtspunkten wie der Verringerung der erforderlichen Speicherkapazität, der Verringerung der Rechenzeit durch Eingrenzung des Suchraumes sowie die Erhöhung der Ortungsgenauigkeit durch verschiedene Filterstrukturen erweitern. In deren Ergebnis können die erforderliche Speicherkapazität um 93% gesenkt, die Rechenzeit um 42% verringert und die absolute Ortungsgenauigkeit auf 83% gesteigert werden. Die Arbeit schließt mit einer Diskussion der Ergebnisse und gibt Ausblicke auf aufbauende Forschungsschwerpunkte. N2 - A signal strength based, probabilistic, two-step procedure for symbolic localization of objects in indoor environment, using the Nanotron wireless technology is introduced and implemented. Therefore, the necessary hardware was developed to build a one-way radio network consisting of mobile and fixed network nodes. It was tested in different environmental scenarios. In addition to the signal strength value (AGC-gain) required for the Bayesian algorithm, the transmit power is used to increase the selectivity of the discrete a posteriori-distribution. Their modal value determines the estimated position of the mobile node in the discrete space. Within a selected building structure, the applied algorithm provides an absolute location accuracy of about 73%, confirming the general suitability of the procedure. The average distance error is 6,2 m for the 95. percentile. Even in the case of a wrong cell estimation, the algorithm selects an immediate neighboring cell with high probability under assumption of an average cell size of 5x5 m. The flexible structure allowes additional investigation of parameters which influence the positioning accuracy. These variations include studies about the mobile node height above ground and the direction of its antenna as well as hardware discrepancies. In the first two studies, a significant reduction in the hit ratio down to 37% was indicated. When combining the RadioMap with structurally identical nodes, the high reproducibility of the positioning accuracy shows the transferability of the location algorithm to other nodes. The detection method is tested in an indoor environment as well as in an outdoor area. The outdoor testfield had to be used to separately investigate and model interference effects caused by multipath fading. Various refinements such as reducing the required storage capacity, reducing the computation time by limiting the search space, and increasing the accuracy of positioning by various filter structures improve the system compared to its initial stage. In result, the memory capacity reduces by 93%, the computation time decreases by 42% and the absolute positioning accuracy increases up to 83%. More results are given in the thesis together with constructive views on research priorities. KW - Signal KW - Verstärkung KW - Netzwerke KW - Ortung KW - Ortung KW - Probabilistisch KW - Symbolisch KW - Gebäude KW - Signalstärke KW - Localization KW - Probabilistic KW - Symbolic KW - Indoor KW - Signal-strength Y1 - 2009 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-12421 ER - TY - THES A1 - Heuer, Henning T1 - Auf Tantal-Silizium basierende Diffusionsbarrieren zur Verkapselung funktionaler Bauelemente T1 - On tantalum silicon based diffusion barriers for encapsulation of functional elements N2 - Flexible Dünnschichtsolarzellen erfordern eine ebenfalls flexible Verkapselung, um das Absorbermaterial (z.B. Kupfer - Indium – 2 Selenide (CIS) vor der Eindiffusion von Feuchtigkeit und anderen Umwelteinflüssen zu schützen. Diffusionsbarrieren auf Tantal-Silizium Basis sind z. Z. bevorzugtes Material um die Kupferdiffusion in modernen Halbleiterbauelementen zu verhindern. In dieser Arbeit werden Tantal-Silizium-Stickstoff und Tantal-Silizium-Sauerstoff Schichten für die Verkapselung von zukünftigen flexiblen Dünnschichtsolarzellen untersucht und optimiert. CIS-Solarmodule wurden mit dünnen, auf Tantal basierten Barrieren beschichtet. Die Barrierewirkung der Verkapselung wurde untersucht, indem die Veränderungen des Wirkungsgrades dünnschichtverkapselter Module während eines 1000-stündigen beschleunigten Alterungstest bestimmt wurden. Eine wesentliche Verbesserung der Barrierewirkung gegen die Eindiffusion von Feuchtigkeit wurde mit einer reaktiv gesputterten Doppelschicht aus 250 nm Ta-Si-O und 15 nm Ta- Si-N erreicht. Dieses Doppelschichtsystem erreicht bei einer Dicke von 265 nm eine vergleichbare Schutzwirkung wie eine ca. 5 µm dicke Schicht aus SiO2. N2 - Flexible thin film solar cells require flexible encapsulation to protect the Copper – Indium – 2 Selenide (CIS) absorber layer from humidity and aggressive environmental influences. Tantalum-Silicon based diffusion barriers are currently a favorite material to prevent future semiconductor devices from copper diffusion. In this work Tantalum-Silicon-Nitrogen and Tantalum-Silicon-Oxygen films were investigated and optimized for thin film solar cell encapsulation of next-generation flexible solar modules. CIS solar modules were coated with Tantalum based barrier layers. The performance of the thin film barrier encapsulation was determined by measuring the remaining module efficiency after a 1000 h accelerated aging test. A significantly enhanced stability against humidity diffusion in comparison to SiO2-encapsulated modules was reached with a reactively sputtered thin film system consisting of 250 nm Ta-Si-O and 15 nm Ta- Si-N. KW - Tantal KW - Solarzelle KW - Verkapselung KW - Diffusionsbarrieren KW - Flexible Solarzellen KW - Tantal-Silizium KW - Dünne Schichten KW - Tantal KW - Solar cell KW - Encapsulation Y1 - 2006 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-10 ER - TY - THES A1 - Huang, Yan T1 - A tracking ADC with transient-driven self-clocking for digital DC-DC converters T1 - Ein Tracking-ADC mit signalverlaufsabhängigem Takt für digitale DC-DC Wandler N2 - With further scaling of CMOS technology noise disturbance, mismatch and process variation become the major constraints of analog DC-DC converters. Consequently, digitally assisted DC-DC converters are coming in the focus of new systems, because they are easier to be configurated in the applications than the typical analog DC-DC converters, while being more robust against noise disturbance and process variation. As interface devices between analog real world and digital signal processing, ADCs must be optimized for signals in digital DC-DC converters. But the existing synchronous ADCs, which require multiple clock cycles per conversion, as SAR and Pipeline ADCs, are not suitable for the application in DC-DC converters because of special signal characteristics. For stability reasons the digital feedback control in DC-DC converters requires a short group delay (dead time). So synchronous ADCs must be run at a sampling frequency as high as possible. But this approach results unfortunately in high power dissipation. Compared to the above mentioned ADCs, the delta-encoded or Tracking ADC exhibits the shortest group delay by performing the data conversion only in one clock cycle. It makes the digital feedback control of DC-DC converters possible to response the output exactly and simultaneously. However, the synchronized Tracking ADC still has to cover the double of broad signal bandwidth of disturbance, which appears at the output of DC-DC converters occasionally, dissipating unnecessary excessive power. This dissertation presents a new concept of Tracking ADC that selfadjusts the conversion rate depending on the slope of the input signal. For a slowly varying input, this Tracking ADC is self-clocked at a low frequency in normal mode, but once the signal varies fast and the slope exceeds a defined threshold, the conversion rate of the ADC is increased to track the signal accurately. By using the proposed solution not only the issue of input slope overload for typical Tracking ADCs is significantly improved, but also the average sampling rate is decreased. Therefore, the power dissipation of the proposed ADC is also reduced. As a proof of this concept, a 6-bit Tracking ADC with transient-driven self-clocking is implemented in 0.13μm CMOS technology. The prototype of the ADC occupies an area of 400μm×200μm. The maximum power dissipation is 84μW at a supply voltage of 1.4V, when operated at 50MS/s. The integral nonlinearity (INL) is better than 0.5LSB, and the effective number of bits (ENOB) at the sampling frequency of 12.5MHz is 4.4 bits, where the ideal ENOB is limited to 5 bits for 6-bit Tracking ADCs. N2 - Mit zunehmender Skalierung der CMOS Technologie werden Rauschen, Mismatch und Prozessabweichung zu einer Hauptbeschränkung in DC-DC Konvertern. Deshalb wird der digital unterstützte DC-DC Konverter als Alternative in neu entwickelten System bevorzugt. Digitale DC-DC-Konverter sind nicht nur viel einfacher zu konfigurieren, sondern noch robuster gegen Rauschen, Störung und Prozessschwankungen. Als ein Interface-Bauelement zwischen analoger Welt und digitalem Signal Prozess, müssen die ADCs für den Einsatz in digitalen DC-DC Konvertern optimiert werden. Die üblichen synchronen ADCs, wie SAR und Pipeline ADCs, brauchen mehrere Taktperioden für eine Konvertierung, und sind daher nicht geeignet für die Anwendung in DC-DC Konvertern. Um den Konverter stabil zu halten, erfordert die digitale Rückkopplung in DC-DC Konvertern eine sehr kurze Gruppenlaufzeit (Totzeit). Deswegen müssten synchrone ADCs sehr hoch getaktet werden. Dies würde dann aber auch eine hohe Verlustleistung nach sich ziehen. Im Vergleich hierzu hat der Zähler-Rampe oder Tracking ADC die kürzeste Gruppenverzögerung, indem die Konvertierung innerhalb einer Taktperiode durchgeführt wird. Damit kann das Ausgangssignal zeitlich von der digitalen Rückkopplung entnommen werden und die Regelung schnell reagieren. Trotzdem müssen synchrone Tracking- ADCs doppelt so schnell getaktet werden wie die Bandbreite des Rauschens und der Störungen. Deswegen hat auch dieser ADC mehr Leistungsverbrauch als unbedingt erforderlich. In dieser Arbeit wird ein neues Konzept für Tracking ADCs präsentiert, deren Konversionsgeschwindigkeit automatisch von der Flankensteilheit der Eingangssignale bestimmt wird. Das heißt, wenn sich das Eingangssignal langsam ändert, wird dieser ADC auch langsamer getaktet. Aber wenn das Eingangssignal sich schnell ändert, z.B. bei Transienten, wird der ADC sofort schneller getaktet werden, um dem Eingangssignal präzise zu folgen. Mit diesem Konzept werden nicht nur die Überlast beim Verfolgen von Transienten herabgesetzt, sondern auch noch die durchschnittliche Abtastrate reduziert. Folglich wird die Verlustleistung des ADCs deutlich reduziert. Zum Nachweis dieses Konzeptes wird ein 6-bit Tracking ADC mit transienten-gesteuertem Takt in einer 130nm CMOS Technologie implementiert. Der Prototyp des ADCs besitzt die Fläche mit 400μm×200μm. Die maximale Verlustleistung ist 84μW bei 1.4V Versorgungsspannung und einer Abtastfrequenz von 50MS/s. Die integrale Nichtlinearität ist besser als 0.5 LSB, und die effektive Auflösung (ENOB) bei der Abtastfrequenz vom 12.5MHz ist 4.4 Bit, wobei die ideale ENOB 5 Bit wäre. KW - ADC KW - Tracking KW - DC-DC converter KW - Self-clocking KW - Gleichspannungswandler KW - Analog-Digital-Umsetzer Y1 - 2014 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-31789 ER - TY - THES A1 - Rohde, Ulrich L. T1 - A novel approach for generating active inductors for microwave oscillators - Mathematical treatment and experimental verification of active inductors for microwave application T1 - Ein neuer Ansatz zum Entwurf aktiver Spulen für Mikrowellen-Oszillatoren - Mathematische Ableitung und experimentelle Verifikation von aktiven Spulen für Mikrowellen-Anwendungen N2 - Voltage controlled oscillators are commonly realized using varactor diodes in order to tune the resonator frequency. The drawback in practical implementation is the relatively high cost of the diodes, and the large space required for the inductors. Replacing the inductors by active tunable inductors would solve these issues and open a path for cost-effective small integrated oscillator designs. In the past, active-inductor approaches were not competitive due to the high phase noise inherent to the active inductor. This work investigates active inductor oscillators, and presents a novel approach that yields low phase-noise VCOs. The theoretical investigations are verified by measurements of demonstrator circuits. N2 - Spannungsgesteuerte Oszillatoren werden üblicherweise mithilfe von Varaktordioden abgestimmt. Der Nachteil in der paraktischen Ausführung dieser Schaltungen liegt in den vergleichsweise hohen Kosten der Dioden und dem großen Platzbedarf der Spulen. Das Ersetzen der Spulen durch aktive Spulen würde diese zwei Probleme lösen und den Weg für eine kostengünstige kompakte Integration ebnen. Bisher wiesen Schaltungen auf der Basis aktiver Spulen jedoch ein nicht akzeptables höheres Phasenrauschen auf, das den aktiven Spulen inhärent ist. Diese Arbeit untersucht Oszillatoren auf der Basis aktiver Spulen und schlägt einen neuen Ansatz vor, der den Entwurf phasenrauscharmer Oszillatoren ermöglicht. Die theoretische Ableitung wird durch Messungen an Demonstrator-Schaltungen unterstützt. KW - Oszillator; Spule KW - Hochfrequenztechnik KW - Phasenrauschen KW - Aktive Spule KW - Oszillator KW - Hochfrequenztechnik KW - Phasenrauschen KW - VCO KW - Active inductor KW - Oscillator KW - Radio frequnecy KW - Phase noise KW - VCO Y1 - 2011 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-22963 ER -