TY - THES A1 - Ganie, Umar Bashir T1 - Thermal analysis of lithium niobate tantalate bulk mixed crystals T1 - Thermische Analyse von Lithium-Niobat-Tantalat-Mischkristallen N2 - This study comprehensively investigated the thermal properties and phase behavior of lithium niobate-tantalate (đżđ‘–đ‘đ‘đ‘„đ‘‡đ‘Ž1âˆ’đ‘„đ‘‚3, LNT) solid solutions. The research used experimental techniques to explore the variation of the ferroelectric Curie temperature (Tc) as a function of composition. LNT single crystals were grown using the Czochralski method. The elemental composition of niobium (Nb) and tantalum (Ta) in these crystals was determined using X-ray fluorescence (XRF) analysis. Small, compositionally homogeneous samples were then selected for differential scanning calorimetry (DSC) measurements to determine specific heat capacities (Cp). The DSC measurements revealed a linear decrease in Tc with increasing Ta concentration in the LNT solid solution crystals. Additionally, the ferroelectric transition width was observed to be narrower in mixed crystals compared to pure LT. Differential Thermal Analysis (DTA) and crystal growth experiments were performed further to understand the phase behavior of LNT solid solutions. The heats of fusion for the end members, LN and LT, were measured using DTA, yielding values of 103 kJ/mol at 1531 K for LN and 289 kJ/mol at 1913 K for LT. These values were used as input parameters in a thermodynamic solution model implemented in the Factsage software. The solution model enabled the calculation of a phase diagram for LNT solid solutions, which was further optimized in the Calphad Factsage. Thermodynamic parameters for the Gibbs free energy of mixing of the solid solution were also generated. The resulting phase diagram showed good agreement with the experimental data. Additionally, the temperature-dependent thermal conductivity of pure LN, LT, and LNT solid solutions and selected doped LN and LT crystals (Mg, Zn) was investigated. Measurements were conducted across a temperature range from 300 K to 1300 K. The findings indicated that thermal conductivity increases with temperature, especially above 800 K, with a more pronounced effect in tantalum-rich solutions. The interplay of the Nb/Ta ratio and doping effects was particularly significant at high temperatures. These insights into the thermal conductivity of LNT and doped LN and LT crystals are crucial for optimizing growth conditions. Understanding thermal conductivity helps ensure homogeneous crystallization during the growth process, which remains a challenge in the production of LNT single crystals. N2 - Diese Arbeit fĂŒhrte eine umfassende Studie zur Untersuchung der thermischen Eigenschaften und Phasenverhalten von Lithiumniobat-Tantalat (đżđ‘–đ‘đ‘đ‘„đ‘‡đ‘Ž1âˆ’đ‘„đ‘‚3, LNT) Mischkristalle durch. Die Forschung nutzte experimentelle Techniken, um die Variation der ferroelektrischen Curie-Temperatur (Tc) in AbhĂ€ngigkeit von der Zusammensetzung zu untersuchen. LNT-Einkristalle wurden mit der Czochralski-Methode gezogen. Die Elementzusammensetzung von Niob (Nb) und Tantal (Ta) in diesen Kristallen wurde mittels Röntgenfluoreszenzanalyse (XRF) bestimmt. Kleine Proben mit homogener Zusammensetzung wurden dann fĂŒr Differential-Scanning-Kalorimetrie (DSC)-Messungen ausgewĂ€hlt, um die spezifischen WĂ€rmekapazitĂ€ten (Cp) zu bestimmen. Die DSC-Messungen zeigten eine lineare Abnahme der Tc mit zunehmender Ta-Konzentration in den LNT-Festlösungskristallen. ZusĂ€tzlich wurde beobachtet, dass die ferroelektrische Übergangsbreite in Mischkristallen enger war als in reinem LT. Differenzielle Thermoanalyse (DTA) und Kristallwachstumsexperimente wurden durchgefĂŒhrt, um das Phasenverhalten von LNT-Festlösungen weiter zu verstehen. Die SchmelzwĂ€rme der Endglieder LN und LT wurde mittels DTA gemessen und ergab Werte von 103 kJ/mol bei 1531 K fĂŒr LN und 289 kJ/mol bei 1913 K fĂŒr LT. Diese Werte wurden als Eingabeparameter in ein thermodynamisches Lösungsmodell verwendet, das in der Factsage-Software implementiert ist. Das Lösungsmodell ermöglichte die Berechnung eines Phasendiagramms fĂŒr LNT-Festlösungen, das weiter in Calphad Factsage optimiert wurde. Thermodynamische Parameter fĂŒr die freie Mischungsenthalpie der Mischkristallen wurden ebenfalls generiert. Das resultierende Phasendiagramm zeigte eine gute Übereinstimmung mit den experimentellen Daten. ZusĂ€tzlich wurde die temperaturabhĂ€ngige WĂ€rmeleitfĂ€higkeit von reinem LN, LT und LNT-Festlösungen sowie ausgewĂ€hlten dotierten LN- und LT-Kristallen (Mg, Zn) untersucht. Messungen wurden ĂŒber einen Temperaturbereich von 300 K bis 1300 K durchgefĂŒhrt. Die Ergebnisse zeigten, dass die WĂ€rmeleitfĂ€higkeit mit der Temperatur zunimmt, insbesondere ĂŒber 800 K, mit einem ausgeprĂ€gteren Effekt in tantalreichen Lösungen. Das Zusammenspiel des Nb/Ta-VerhĂ€ltnisses und der Dotierungseffekte war bei hohen Temperaturen besonders signifikant. Diese Erkenntnisse zur WĂ€rmeleitfĂ€higkeit von LNT- und dotierten LN- und LT-Kristallen sind entscheidend fĂŒr die Optimierung der Wachstumsbedingungen. Das VerstĂ€ndnis der WĂ€rmeleitfĂ€higkeit trĂ€gt dazu bei, eine homogene Kristallisation wĂ€hrend des Wachstumsprozesses sicherzustellen, was nach wie vor eine Herausforderung bei der Herstellung von LNT-Einkristallen darstellt. KW - Thermal conductivity KW - Lithium niobate tantalate KW - Mixed crystals KW - Crystal growth KW - Thermal analysis KW - Phase diagram KW - Mischkristalle KW - KristallzĂŒchtung KW - Thermische Analyse KW - Phasendiagramm KW - WĂ€rmeleitfĂ€higkeit KW - Tantalate KW - Lithium KW - Niob KW - Mischkristall KW - Phasendiagramm KW - TemperaturabhĂ€ngigkeit KW - Phasengleichgewicht Y1 - 2025 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-69813 ER - TY - THES A1 - Reichmann, Felix T1 - Germanium, Zinn und (Zink-) Galliumoxid fĂŒr fortschrittliche Mikro- und Optoelektronik : Einblicke in die elektronische Struktur der OberflĂ€che mit Photoemissionstechniken T1 - Germanium, tin and (zinc) gallium oxide for advanced micro- and optoelectronics : insights into the surface electronic structure with photoemission techniques N2 - Historically, Ge is one of the oldest materials in the semiconductor industry and its (001) surface has been the subject of extensive investigations by photoelectron spectroscopy. I am going to challenge the predominant attribution of a semi-conducting nature of the Ge(001) surface in this thesis. My investigations reveal the presence of a Ge(001) surface state above the Fermi-level, occupied at room temperature. Employing time- and temperature-dependent angle-resolved photoelectron spectroscopy, I will demonstrate that the presence of this surface state is evidence for the conducting nature of the surface at room temperature. Sparked by the remarkable properties of the GeSn-alloy and a trend towards Ge-Sn-related multiquantum well fabrication, I investigate the surface electronic structure of Ge(001) after adsorption and incorporation of Sn. With an in-depth analysis of surface core-level shifts, I will extend the growth model of the Sn wetting layer formation by also detailing structural changes in the subsurface region. At the same time, the modifications of the electronic structure will be detailed, observing the removal of the Ge(001) surface states, the creation of a new, Sn-related surface state and the initial stages of the Schottky barrier formation. ÎČ-Ga₂O₃ a transparent semi-conducting oxide that has sparked a lot of interest over the last decade, because it offers an ultra-wide band gap and high break down voltage. However, due to its monoclinic crystal structure, device fabrication is rather challenging and researchers are already looking into alternative materials. One of these candidates is Ï”-Ga₂O₃ and this work presents a combined study by photoelectron spectroscopy and ab initio calculations of its electronic structure. (Hard) X-rays reveal the impact of photoelectron recoil and the absence of a band bending to the surface, while the dispersion of experimentally determined valence states compares favorably with the calculations based on hybrid density-functional theory. Another alternative to ÎČ-Ga₂O₃ be ZnGa₂O₄ and I will present an investigation on the electronic structure of its (100) surface. Due to the novelty of ZnGa₂O₄ single-crystals, I am first going to explore the preparation of a clean and well-ordered surface by standard in-situ sputtering and annealing. I will show that already low annealing temperatures induce Zn-deficiency, leading to non-stoichiometric surfaces, further exacerbated by sputtering. By changing the sputtering parameters and the annealing conditions, the preparation of a surface with sufficient quality for subsequent investigations will be demonstrated. The results by photoemission techniques compare favorably with the expectations from theory and allowing the first fundamental insights into the surface electronic structure. N2 - Ge ist eines der Ă€ltesten Materialien in der Geschichte der Halbleiter-Industrie und die Ge(001) OberflĂ€che wurde bereits umfassend durch Photoelektronenspektroskopie untersucht. Die dominierende Zuschreibung einer halbleitenden Eigenschaft der OberflĂ€che werde ich in dieser Dissertation anfechten. Meine Untersuchungen zeigen einen Ge(001) OberflĂ€chenzustand oberhalb des Fermi-Niveaus, der bei Raumtemperatur besetzt ist. Durch zeit- und temperaturabhĂ€ngige, winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie werde ich zeigen, dass die Beobachtung dieses Zustands der Beweis fĂŒr die leitende Eigenschaft der OberflĂ€che, bei Raumtemperatur, ist. Inspiriert von den außergewöhnlichen Eigenschaften der GeSn-Legierung und einem Trend hin zu Ge-Sn-basierten Multi-Quantentopfstrukturen, werde ich die Modifizierung der Ge(001) OberflĂ€chenbandstruktur nach Adsorption von Sn untersuchen. Mit einer detaillierten Analyse von Energie-Niveau-Verschiebungen, der inneren Elektronen der OberflĂ€chenatome, werde ich das Modell des Sn-Wachstums auf der Ge (001) OberflĂ€che, um die darunter liegenden Schichten erweitern. Gleichzeitig werden Änderungen in der elektronischen Struktur gemessen. So kann die Entfernung von Ge(001) OberflĂ€chenzustĂ€nden, die Entstehung eines neuen, Sn-basierten OberflĂ€chenszustands und die ersten Stufen der Formation der Schottky-Barriere beobachtet werden. ÎČ-Ga₂O₃ ist ein transparentes halbeleitendes Oxid, welches im vergangenen Jahrzehnt dank seiner extrem breiten BandlĂŒcke und hohen Durchbruchspannung großes Interesse geweckt hat. Jedoch ist die Herstellung von Bauteilen aufgrund der monoklinischen Kristallstruktur eine Herausforderung und Wissenschaftler suchen bereits nach alternativen Materialien. Ein möglicher Kandidat ist Ï”-Ga₂O₃ und in dieser Arbeit wird dessen elektronische Bandstruktur mit einer Kombination aus Photoelektronenspektroskopie und ab initio Berechnungen untersucht. (Harte) Röntgenstrahlung erlaubt die Beobachtung von RĂŒckstoßeffekten der Photoelektronen und die Abwesenheit von Bandverbiegungen, wĂ€hrend die Dispersionen der experimentell gemessenen ValenzbandzustĂ€nde Berechnungen mit hybrid-density-functional-Theorie bestĂ€tigen. Eine andere Alternative zu ÎČ-Ga₂O₃ könnte ZnGa₂O₄ sein und ich werde eine Untersuchung der elektronischen Struktur, der (100)-OberflĂ€che prĂ€sentieren. Aufgrund die Neuartigkeit von ZnGa₂O₄-Einkristallen werde ich zuerst die Vorbereitung einer sauberen und kristallinen OberflĂ€che mittels in-situ Sputtern und Heizen untersuchen. Ich werde zeigen, dass es selbst bei niedrigen Heiztemperaturen zu Zn-Mangel in der OberflĂ€che kommt, welcher sich durch Sputtern verschlimmert. Durch das Ă€ndern der Sputterparameter und der Bedingungen beim Heizen, werde ich eine OberflĂ€che mit hinreichender QualitĂ€t fĂŒr eine weitergehende Charakterisierung der elektronischen Struktur demonstrieren. Die Ergebnisse aus der Photoelektronenspektroskopie passen zu theoretischen Berechnungen der Bandstruktur und liefern somit die ersten Einsichten in die elektronische Struktur der OberflĂ€che. KW - Angle-resolved photoemission spectroscopy KW - X-ray photoelectron spectroscopy KW - Germanium-tin KW - Zinc gallium oxide KW - Surface science KW - ARPES KW - Gallium-Zink-Oxid KW - XPS KW - HalbleiteroberflĂ€che KW - Bandstruktur KW - Elektronenstruktur KW - Germaniumverbindungen KW - Galliumverbindungen KW - ARPES KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie Y1 - 2022 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-62080 ER - TY - THES A1 - Franck, Max T1 - Synthesis of hexagonal boron nitride on CMOS-compatible substrates via chemical vapor deposition T1 - Wachstum von hexagonalem Bornitrid auf CMOS-kompatiblen Substraten mittels chemischer Gasphasenabscheidung N2 - About 20 years ago, the discovery of an easy method to exfoliate single atomic layers of graphene opened the door for the investigation of 2D materials. They often exhibit superior electrical and mechanical properties compared to their 3D counterparts, and in addition, entirely new physical properties emerge at these ultra-low thickness scales, making 2D materials a highly interesting topic of materials research. A large variety of 2D materials with various electrical properties have since been discovered: graphene is a conductor with an extremely high charge carrier mobility, several transition metal dichalcogenides are direct bandgap semiconductors with the bandgap value being dependent on the chemical composition, and hexagonal boron nitride (hBN) is an insulator. This means that, in principle, all the building blocks for 2D microelectronic devices are available, which would mark the ultimate miniaturization. In practice, this vision is far from being realized, as large-scale fabrication methods for 2D materials and their heterostructures are still under development. Hexagonal boron nitride has a large range of applications, as it plays a central role in 2D microelectronics: not only are dielectrics a crucial part of microelectronic devices, but hBN is also necessary to shield other 2D materials from contact with the 3D environment, which causes deterioration of their intrinsic properties. Further potential applications are deep UV optoelectronics, thermal neutron detection, and single-photon emitters for quantum communication. While synthesis of single-crystalline hBN monolayers and high-quality multilayers has been demonstrated on a 2" wafer scale, it relies on catalytic transition metals, such as Cu, as the growth substrates. Obviously, one layer does not a device make, and thus transfer of the grown hBN films is usually employed to fabricate full devices. Unfortunately, this leaves behind metal contaminations at concentrations that are incompatible with the stringent purity requirements in CMOS manufacturing lines. In order to facilitate integration of 2D materials into established CMOS technology, which is deemed the most promising route for their large-scale adoption, synthesis of hBN on CMOS-compatible substrates, such as Si, Ge, and dielectrics, is desirable. At the beginning of my work, almost no literature on this topic was available, especially not for Ge and Si substrates. In this thesis, a growth process for hBN on Ge(001) via high-vacuum chemical vapor deposition is developed. The influence of various process parameters on the morphology, structure, and crystalline quality of the grown films is studied, and the growth process is optimized towards ultra-thin, smooth, and high-quality hBN. Additionally, the efficacy of standard characterization methods is evaluated and alternatives are explored. Furthermore, the optimized growth process is applied to Si(001) and graphene growth substrates, also yielding high-quality hBN films. N2 - Als vor etwa 20 Jahren eine einfache Methode entdeckt wurde, monoatomare Schichten Graphen aus Graphit zu isolieren, öffnete dies die TĂŒr zur Untersuchung der Klasse der 2D-Materialien. Die elektrischen und mechanischen Eigenschaften dieser Materialien sind denen ihrer 3D-Entsprechungen oft ĂŒberlegen, und zusĂ€tzlich ergeben sich durch die extrem geringe Schichtdicke völlig neue physikalische Eigenschaften, wodurch 2D-Materialien ein hochinteressantes Forschungsthema bilden. Es wurde bereits eine große Vielfalt an 2D-Materialien mit unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften entdeckt: Graphen ist leitfĂ€hig mit einer extrem hohen LadungstrĂ€gerbeweglichkeit, diverse Übergangsmetalldichalkogenide sind direkte Halbleiter, und hexagonales Bornitrid (hBN) ist ein Isolator. Prinzipiell sind also alle Bausteine vorhanden, um eine 2D-Mikroelektronik zu verwirklichen, in der Praxis sind wir von dieser Vision aber noch weit entfernt, weil ĂŒberhaupt erst Prozesse zur großskaligen Produktion von 2D-Materialien und entsprechender Heterostrukturen entwickelt werden mĂŒssen. Hexagonales Bornitrid hat ein breites Anwendungsfeld, da ihm eine zentrale Rolle in der 2D-Mikrolektronik zukommt: Dielektrika sind nicht nur essentieller Bestandteil mikroelektronischer Bauelemente, hBN wird außerdem benötigt, um andere 2D-Materialien von der dreidimensionalen Außenwelt abzuschirmen, da der direkte Kontakt mit selbiger ihre intrinsischen Eigenschaften verschlechtert. Erfolgreiches Wachstum monokristalliner hBN-Monolagen auf 2"-Wafern wurde zwar schon demonstriert, fußt aber auf der Verwendung von katalytischen Übergangsmetallen (z.B. Cu) als Substrat. Eine Schicht macht noch kein Bauelement, und entsprechend muss zur Herstellung eines vollstĂ€ndigen Bauelements die hBN-Schicht transferiert werden. Leider fĂŒhrt dies zu Metallkontaminationen, deren Konzentration nicht mit den strengen Reinheitsanforderungen von CMOS-Produktionslinien vereinbar ist. Da die Integration in bestehende CMOS-Technologie aber der beste Weg ist, eine wirtschaftliche Produktion von Bauelementen zu verwirklichen, die von den besonderen Eigenschaften der 2D-Materialien profitieren, werden hBN-Wachstumsprozesse auf CMOS-kompatiblen Substraten (z.B. Si, Ge, oder Dielektrika) benötigt. Gegenstand dieser Dissertation ist die Entwicklung eines Wachstumsprozesses fĂŒr hBN auf Ge(001) mittels chemischer Gasphasenabscheidung. Der Einfluss verschiedener Prozessparameter auf die Morphologie, Struktur und kristalline QualitĂ€t der gewachsenen Schichten wird untersucht, und der Prozess dahingehend optimiert, möglichst dĂŒnne, glatte, und hochkristalline hBN-Schichten zu erhalten. Außerdem wird die Anwendbarkeit von Standard-Charakterisierungsmethoden auf diese ultradĂŒnnen hBN Schichten sowie mögliche Alternativen evaluiert. Des Weiteren wird der optimierte Wachstumsprozess auf Si(001)- und Graphensubstrate ĂŒbertragen, was in hBN-Schichten mit Ă€hnlich hoher QualitĂ€t resultiert. KW - Chemical vapor deposition KW - Hexagonal boron nitride KW - 2D materials KW - Thin film deposition KW - Chemische Gasphasenabscheidung KW - Hexagonales Bornitrid KW - 2D-Materialien KW - DĂŒnnschichtabscheidung KW - Zweidimensionales Material KW - DĂŒnnschichttechnik KW - Bornitrid KW - Hexagonaler Kristall KW - CVD-Verfahren Y1 - 2025 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-71925 ER - TY - THES A1 - Akhtar, Fatima T1 - Graphene synthesis under Si-CMOS compatible conditions T1 - Graphen-Synthese unter Si-CMOS-kompatiblen Bedingungen N2 - Due to the unique electronic band structure, graphene has opened the great potential to extend the functionality of a large variety of graphene-based devices in health and environment, energy storage, or various microelectronic applications, to mention a few. At this point, the implementation of graphene into Silicon (Si) semiconductor technology is strongly dependent on several key challenges. Among them, high-quality and wafer-scale graphene synthesis on CMOS compatible substrates is of the highest importance. Though large-area graphene can be achieved on substrates like copper, platinum, silicon carbide, or single-crystal Ni, however, high growth temperatures, unavailability of large scale, or contamination issues are the main drawbacks of their usage. In this PhD work, 8-inch scale graphene synthesis is attempted on alternative substrates such as epitaxial Germanium on Si and polycrystalline Nickel on Si. To achieve the growth of the highest quality of graphene, this work focuses on the investigations of various nucleation and growth mechanisms, substrate–graphene interfaces, effects of different substrate orientations, and detailed microscopic and macroscopic characterization of the grown films. Finally, it should also be stressed that the experiments in this work were carried out in a standard BiCMOS pilot-line, making this study unique, as its results might directly pave the way to further graphene integration and graphene-based device prototyping in mainstream Si technologies. N2 - Durch seine einzigartige Bandstruktur hat Graphen ein großes Feld zur Erweiterung der FunktionalitĂ€t graphenbasierter Bauelemente im Gesundheitswesens und der Umwelttechnologie, zur Speicherung von Energie, fĂŒr neue Verbundstoffe und fĂŒr mikroelektronischen Anwendungen, um nur Einige zu nennen, eröffnet. Gerade der Einsatz von Graphen in der siliziumbasierten Halbleitertechnologie hĂ€ngt stark von einigen wesentlichen Voraussetzungen ab. Darunter ist die hohe QualitĂ€t der Abscheidung von Graphen auf CMOS-kompatiblen Substraten von grĂ¶ĂŸter Wichtigkeit und bisher noch nicht gelöst. Obwohl hochqualitatives Graphen auf Substraten wie Kupfer, Platin, Siliziumcarbid oder einkristallinem Nickel hergestellt werden kann, sind hohe Wachstumstemperaturen, großflĂ€chige Beschichtung oder Kontaminationen HinderungsgrĂŒnde fĂŒr deren Einsatz. In der Promotionsarbeit wird die Graphenabscheidung auf alternative 200mm Substrate, wie einkristallinem Germanium auf Silizium und polykristallines Nickel auf Silizium untersucht. Um die beste WachstumsqualitĂ€t von Graphen zu erreichen, ist der Fokus dieser Arbeit auf verschiedene Nukleations- und Wachstumsmechanismen, auf Graphen-Substrat wechselwirkungen, Effekte verschiedener Substratorientierung sowie detaillierter mikroskopischer und makroskopischer Charakterisierung der gewachsenen Schicht gerichtet. Abschließend sollte erwĂ€hnt werden, dass diese Experimente in einer Standardpilotlinie (BiCMOS) durchgefĂŒhrt wurden, um mit den Ergebnissen dieser Arbeit den Weg zur Graphenintegration und zu graphenbasierten prototypischen Bauelementen in die industrielle Silizium-technologie zu ebnen. KW - Graphene KW - Chemical vapor deposition KW - Growth KW - Oxidation KW - Germanium KW - Nickel KW - Graphen KW - CVD KW - Wachstum KW - Oxidation KW - Graphen KW - Keimbildung KW - Wachstum KW - CVD-Verfahren KW - Nickel KW - Germanium Y1 - 2022 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-59270 ER - TY - THES A1 - Mahmoodinezhad, Ali T1 - Atomic layer deposition and characterization of metal oxide thin films T1 - Atomlagenabscheidung und Charakterisierung von Metalloxid-DĂŒnnfilmen N2 - This thesis describes low temperature growth of wide band gap metal oxide thin films deposited by thermal (T-) and plasma-enhanced (PE-) atomic layer deposition (ALD) techniques in which high quality materials are grown with atomic level precision. Metal oxides are extensively investigated due to their exceptional physical and chemical properties, including relatively wide band gap, high dielectric constant and high thermal stability. This variety of properties results in a wide range of different applications. Thin films of indium oxide (InOx), gallium oxide (GaOx), zinc oxide (ZnOx), and quaternary InOx/GaOx/ZnOx (IGZO), in addition to the well-known aluminum oxide (AlOx), and the catalyst cerium oxide (CeOx), have proven to be superior candidates for many applications; from microelectronics and optoelectronics to gas sensor devices. The demanding requirements of low-temperature deposition processes for thermal sensitive substrates, which include high layer homogeneity and conformality over large areas, makes ALD a pioneer deposition technique. Although many oxides have been grown by TALD and PEALD, the deposition of wide band gap oxides at low temperatures are rarely reported and/or being investigated. In this work, the deposition method of the individual binary oxide films and combining the respective binary processes into the developed super-cycle growth of quaternary compound have been investigated at relatively low-temperatures by TALD and PEALD. Besides, the growth characteristics and chemical properties of the deposited films were evaluated by in-situ and ex-situ characterization techniques such as spectroscopic ellipsometry (SE) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), where the influence of ALD process parameters on the growth mechanism and films composition are discussed in detail for any potential applications. N2 - Diese Dissertation beschreibt das Tieftemperaturwachstum von Metalloxid-DĂŒnnfilmen mit breiter BandlĂŒcke, die durch thermische (T-) und plasmaunterstĂŒtzte (PE-) Atomlagenabscheidungstechniken (ALD) abgeschieden werden, bei denen hochwertige Materialien mit atomarer PrĂ€zision aufgewachsen werden. Metalloxide werden aufgrund ihrer außergewöhnlichen physikalischen und chemischen Eigenschaften, einschließlich einer relativ großen BandlĂŒcke, einer hohen DielektrizitĂ€tskonstante und einer hohen thermischen StabilitĂ€t, ausfĂŒhrlich untersucht. Aus dieser Vielfalt an Eigenschaften ergibt sich ein breites Spektrum an unterschiedlichen Anwendungen. DĂŒnnfilme aus Indiumoxid (InOx), Galliumoxid (GaOx), Zinkoxid (ZnOx) und quaternĂ€rem InOx/GaOx/ZnOx (IGZO), zusĂ€tzlich zu dem wohlbekannten Aluminiumoxid (AlOx) und dem Katalysator Ceroxid (CeOx), haben sich fĂŒr viele Anwendungen als ausgezeichnete Kandidaten erwiesen; von der Mikroelektronik und Optoelektronik bis hin zu GassensorgerĂ€ten. Die anspruchsvollen Anforderungen von Niedertemperatur-Abscheidungsprozessen fĂŒr thermisch empfindliche Substrate, zu denen eine hohe SchichthomogenitĂ€t und -konformitĂ€t ĂŒber große FlĂ€chen gehören, machen ALD zu einer bahnbrechenden Abscheidungstechnik. Obwohl viele Oxide durch TALD und PEALD gezĂŒchtet wurden, wird die Abscheidung von Oxiden mit breiter BandlĂŒcke bei niedrigen Temperaturen selten berichtet oder untersucht. In dieser Arbeit wurden das Abscheidungsverfahren der einzelnen binĂ€ren Oxidfilme und die Kombination der jeweiligen binĂ€ren Prozesse zu dem entwickelten Superzyklus-Wachstum der quaternĂ€ren Verbindung bei relativ niedrigen Temperaturen durch TALD und PEALD untersucht. Außerdem wurden die Wachstumseigenschaften und chemischen Eigenschaften der abgeschiedenen Filme durch In-situ- und Ex-situ-Charakterisierungstechniken wie spektroskopische Ellipsometrie (SE) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) bewertet. Dabei wurde der Einfluss von ALD-Prozessparametern auf den Wachstumsmechanismus und der Filmzusammensetzung im Detail fĂŒr mögliche Anwendungen diskutiert. KW - Thermal atomic layer deposition KW - Plasma-enhanced atomic layer deposition KW - Indium gallium zinc oxide KW - Aluminum oxide KW - Cerium oxide KW - Thermische Atomlagenabscheidung KW - PlasmaunterstĂŒtzte Atomlagenabscheidung KW - IGZO KW - AlOx KW - CeOx KW - Tieftemperatur KW - Atomlagenabscheidung KW - Beschichtung KW - Metallschicht KW - DĂŒnne Schicht KW - Aluminiumoxide KW - Ceroxide KW - Indiumoxide Y1 - 2022 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-61343 ER -