TY - THES A1 - Globig, Daniel T1 - Entwicklung eines Verfahrens zur schnellen Detektion aromatischer Spurenstoffe in Wasserproben basierend auf der Kopplung von Laserionisation, Ionenfallen - Massenspektrometrie und automatisierter Festphasenanreicherung N2 - Das Ziel der vorliegenden Arbeit bestand in der Entwicklung eines schnellanalytischen Verfahrens zur Bestimmung aromatischer Spurenstoffe in Wasserproben. Das Verfahren basiert auf der Kopplung der Festphasenmikroextraktion (SPME) mit der Lasermassenspektrometrie (LAMS). Für die Probenanreicherung wurde ein vollautomatisiertes Verfahren in Form der „in-tube SPME“ entwickelt. Nach der Anreicherung werden die Analyten gaschromatographisch getrennt und in einem kommerziellen Ionenfallen - Massenspektrometer nachgewiesen, dass für die Laserionisation modifiziert wurde. Relevante Verfahrensparameter (Sensitivität, Linearität, Reproduzierbarkeit…) wurden für Polyzyklische Aromatische Kohlenwasserstoffe (PAK) überprüft. Die in der Wasseranalytik geforderten Nachweisgrenzen zur Untersuchung von polyzyklischen Aromaten werden mit der vollautomatisierten, analytischen Technik problemlos erreicht. Die Zeitdauer für eine Analyse ist dabei gering. Bei einer Anreicherungszeit von nur 30 min wurden PAK’s bis zu einer Konzentration von 1 ng/l nachgewiesen. Die Ergebnisse der Untersuchung von Umweltproben zeigen, dass mit der entwickelten instrumentellen Technik ein schnellanalytische Methode zur Verfügung steht, die sowohl im Labor, als auch im Feld zur spurenanalytischen Bestimmung von Aromaten in Wasserproben eingesetzt werden kann. N2 - The purpose of this thesis was the development of rapid analytical method for trace analysis of aromatics in water. This analytical method is based on the combination of solid phase microextraction (SPME) and laser mass spectrometry (LAMS). A fully automated procedure was developed in which analytes are extracted from a liquid sample by means of in-tube solid-phase microextraction. After the extraction, analytes are separated by gas chromatography and analyzed in a commercial ion trap mass spectrometer that was modified for laser multiphoton ionization. Important method parameters (e.g. sensitivity, linearity, repeatability) were checked for polycyclic aromatic hydrocarbons (PAH). Required detection limits for the investigation of polycyclic aromatics in water samples are reached without any problems with this fully automated, analytical technique. The period for an analysis is small. At an extraction time of only 30 minutes PAH's were detected up to a concentration of 1 ng/l. The results of the investigation from environmental samples show that a fast analytical method is available with this developed instrumental technique. The method can be used for lab or field measurements to analyse aromatic hydrocarbons in small concentrations. KW - Spurenanalyse KW - Organischer Stoff KW - Ionenfalle KW - Lasermassenspektrometrie KW - Multiphotoionisation KW - Festphasenmikroextraktion KW - Gaschromatographie Y1 - 2005 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000833 ER - TY - THES A1 - Arguirov, Tzanimir Vladimirov T1 - Electro-optical properties of dislocations in silicon and their possible application for light emitters T1 - Elektro-optischen Eigenschaften von Versetzungen in Silizium und deren mögliche Anwendung für Licht-Emitter N2 - This thesis addresses the electro-optical properties of silicon, containing dislocations. The interest in those properties is driven mainly by two practical reasons. One is the optical characterisation of multicrystalline silicon for solar cells, and the other is the design of light emitting diodes based on silicon by enhancement of silicon radiative properties via introduction of dislocations. The work demonstrates that dislocation specific radiation may provide a means for optical diagnostics of solar cell grade silicon. It provides insight into the mechanisms governing the dislocation recombination activity, their radiation, and how are they influenced by other defects present in silicon. We demonstrate that photoluminescence mapping is useful for monitoring the recombination activity in solar cell grade silicon and can be applied for identification of contaminants, based on their photoluminescence signatures. It is shown that the recombination at dislocations is strongly influenced by the presence of metals at the dislocation sites. The dislocation radiation activity correlates with their electrical activity. Thus, photoluminescence mapping at room temperature may provide a means for revealing and characterising of dislocation-rich regions in multicrystalline silicon. It is shown that the dislocation and band-to-band luminescence are essentially anti-correlated. The band-to-band intensity being related to the diffusion length of minority carriers can be used for measurements of diffusion length, as long as the surface recombination rate is controlled. Moreover, photoluminescence mapping can be used for the detection of optically active defects in solar grade materials. Thus, betaFeSi2 precipitates, with a luminescence at 0.8 eV, were detected within the grains of block cast materials. They exhibit a characteristic feature of quantum dots, namely blinking. The second aspect of the thesis concerns the topic of silicon based light emitters for on-chip optical interconnects. The goal is an enhancement of sub-band-gap or band-to-band radiation by controlled formation of dislocation-rich areas in microelectronics-grade silicon as well as understanding of the processes governing such enhancement. For light emitters based on band-to-band emission it is shown, that internal quantum efficiency of nearly 2 % can be achieved, but the emission is essentially generated in the bulk of the wafer. On the other hand, light emitters utilizing the emission from dislocation-rich areas of a well localized wafer depth were explored. Three different methods for reproducible formation of a dislocation-rich region beneath the wafer surface were investigated and evaluated in view of their room temperature sub-band-gap radiation: (1) silicon implantation and annealing, (2) epitaxially grown SiGe buffer, and (3) direct wafer bonding. The most promising dislocation-based emitter appears the utilization of a dislocation network produced by wafer bonding. It is shown, that monochromatic D1 radiation (wavelength 1.5 µm) can be generated in a well localised depth of the wafer. The radiation is not absorbed in silicon and such localized emitter can, potentially, be coupled with silicon waveguides and Ge-based detectors for optical interconnects. N2 - Diese Dissertation befasst sich mit den elektro-optischen Eigenschaften von Silizium mit Versetzungen. Das Interesse an den Versetzungseigenschaften beruht vor allem auf zwei praktischen Gründen: Die versetzungsspezifische Lumineszenz erlaubt einerseits optische Charakterisierung von multikristallinen Silizium für Solarzellen und anderseits die Entwicklung einer Silizium-basierten Leuchtdiode. Die Arbeit untersucht zunächst den Einsatz der Versetzungs-spezifische Lumineszenz für die optische Diagnostik von multikristallinen (Versetzungsreichen) Silizium für Solarzellen. Sie liefert Erkenntnisse über die Mechanismen für die versetzungsbedingte Rekombination, Versetzungsstrahlung, und darüber, wie diese durch andere Defekte im Silizium beeinflusst werden. Es wird gezeigt, dass Photolumineszenz-Mapping anwendbar ist für eine großflächige Analyse der Rekombination in Solarzellen-Silizium und für die Identifizierung von Verunreinigungen angewendet werden kann. Es wird gezeigt, dass metallische Verunreinigungen starken Einfluss auf die Rekombination im Bereich der Versetzungen haben und dass die Strahlungsaktivität mit ihrer elektrischen Aktivität korreliert. Versetzungs- und Band-Band-Lumineszenz sind im Wesentlichen antikorrelieret. Die Band-Band-Intensität ist abhängig von der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger. Daher kann Band-Band Strahlung als Maß für die Diffusionslänge benutzt werden, sofern die Oberflächenrekombination bekannt ist. Darüber hinaus kann Photolumineszenz-Mapping auch für den Nachweis von optisch aktiven Defekten in Solarzellen-Silizium verwendet werden. So wurden betaFeSi2 Ausscheidungen, mit einer Strahlungsenergie von 0,8 eV, innerhalb der Körner von Blockguss Silizium nachgewiesen. Sie zeigen ein charakteristisches Merkmal von Quantenpunkten, das sogenannte Blinken. Der zweite Aspekt der Forschung steht im Zusammenhang mit der Suche nach Silizium-basierten Licht-Emittern für On-Chip optische Interconnects. Das Ziel ist, durch kontrollierte Bildung von versetzungsreichen Gebieten in der Silizium Wafer eine Erhöhung des Sub-Bandgap oder Band-Band-Strahlung zu erreichen und die Prozesse, welche für eine solche Erhöhung verantwortlich sind zu verstehen. Es wird gezeigt, dass Band-Band Licht-Emittern eine interne Quanten-Effizienz von fast 2% erreichen können, aber die Emission entsteht im Wesentlichen im gesamten Volumen des Wafers. Licht Emitter, welche die Emission von versetzungsreichen Gebieten ausnutzen, können dagegen in einer definierten Tiefenschicht eingeschränkt werden. Drei verschiedene Methoden zur reproduzierbaren Bildung der versetzungsreiche Regionen unterhalb der Wafer-Oberfläche wurden untersucht und im Hinblick auf ihre Raumtemperatur Sub-Bandgap-Strahlung bewertet: (1) Silizium-Implantation und Ausheilen, (2) epitaktisch gewachsene SiGe-Puffer, und (3) direktes Wafer-Bonding. Wafer-Bonding erscheint am besten geeignet für versetzungsbasierte Lichtemitter. Es wird gezeigt, dass monochromatische D1-Strahlung (Wellenlänge 1,5 mm) erzeugt werden kann in einer gut lokalisierten Tiefe der Wafer. Die Strahlung wird nicht in Silizium absorbiert und solche lokalisierten Emitter sind möglicherweise geeignet für die Kopplung mit einem Silizium-Wellenleiter und Ge-Detektor für eine optische Interconnects. KW - Silicium KW - Versetzung KW - Lumineszenz KW - Lumineszenz KW - Versetzungen KW - Silizium KW - Luminescence KW - Dislocations KW - Silicon Y1 - 2007 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-5837 ER - TY - THES A1 - Hartmann, Carsten T1 - Aluminiumnitrid-Volumenkristallzüchtung mittels physikalischen Gasphasentransports T1 - Bulk aluminum nitride growth by physical vapour transport N2 - In der Promotionsarbeit wurde ein Züchtungsverfahren zur Herstellung strukturell hochqualitativer AlN-Volumenkristalle mittels PVT-Methode entwickelt. Wesentliche Grundvoraussetzungen dafür sind ein thermisch und chemisch stabiles Tiegelmaterial, ein AlN-Quellmaterial mit Sauerstoffverunreinigungen <300 ppm und AlN-Keime mit hoher kristalliner Perfektion. Unter den getesteten potenziellen Tiegelmaterialien (BN, TaC, TaN, NbC, NbN, TaB2, W) zeigten sich TaC und mit Abstrichen W unter AlN-Züchtungsbedingungen ausreichend stabil und wurden für die Wachstumsversuche verwendet. Zur effektiven Reduzierung der Sauerstoffverunreinigungen im AlN-Quellmaterial wurde ein karbothermischer Reduktionsprozess entwickelt, welcher eine Restsauerstoffkonzentration im Quellmaterial von <300 ppm gewährleistet. AlN-Keime für die Homoepitaxie von AlN-Volumenkristallen wurden durch heteroepitaktisches Wachstum auf SiC-Substraten und über spontane Nukleation freistehender AlN-Kristalle hergestellt. Beim heteroepitaktischen Wachstum auf SiC zeigte sich eine starke Abhängigkeit von der Substratpolarität. Wachstum auf C-polarem SiC ist mit geringeren Ätzgrubendichten von 5*10^4 - 10^6 cm^(-2) gegenüber Si-polarem Wachstum mit Ätzgrubensdichten von 5*10^6 - 10^7 cm^(-2) gekennzeichnet. Für beide Substratpolaritäten wurden Modelle des Anwachsstadiums entwickelt. AlN-Kristalle mit bis zu 35 mm im Durchmesser wurden gezüchtet. Die hohe Rissneigung aufgrund von Abkühlspannungen und Si-Konzentrationen von mehreren Prozent im gewachsenen AlN-Kristall vermindern aber die Kristallqualität erheblich. Eine sehr hohe kristalline Perfektion kann hingegen durch spontane Nukleation freistehender AlN-Kristalle auf einer Zwischenebene in der Tiegelmitte gewährleistet werden. Bei Nukleationstemperaturen von 2200 °C wurden isometrische Kristalle mit 12*12*14 mm^3 gezüchtet. Die Kristalle weisen eine zonare Struktur auf, welche durch einen in [000-1]-Richtung gewachsenen Kernbereich mit Versetzungsdichten <10^2 cm^(-2) und einem senkrecht um den Kernbereich gewachsenen Randbereich mit Versetzungsdichten von 10^2 - 10^4 cm^(-2) gekennzeichnet ist. Strukturell hochqualitative (000-1)-Keime wurden aus spontan nukleierten isometrisch gewachsenen AlN-Kristallen präpariert und für die homoepitaktische Volumenkristallzüchtung verwendet. Unter Zuhilfenahme numerischer Temperaturfeldsimulationen wurde ein angepasster Keimhalter entwickelt, welcher ein leicht konvexes Temperaturfeld am Keim gewährleistet und Parasitärwachstum unterdrückt. Somit konnten AlN-Volumenkristalle homoepitaktisch gezüchtet werden, welche eine Durchmesservergrößerung unter Beibehaltung der hohen strukturellen Qualität der Keimkristalle zeigen. Dieses Verfahren bietet die Grundlage, durch die Züchtung mehrerer Kristallgenerationen eine Durchmesseraufweitung auf industriell relevante Größen von 1-2" zu erreichen. N2 - Within the frame of the dissertation a growth process based on the PVT method was developed in order to ensure the fabrication of bulk AlN crystals with high structural quality. Essential prerequisites are a thermal and chemical stable crucible material, an AlN source material with oxygen concentrations <300 ppm and AlN seeds with high crystalline perfection. Among the tested potential crucible materials (BN, TaC, TaN, NbC, NbN, TaB2, W), only TaC and to a lesser extend W are stable under AlN growth conditions and were used in the further growth experiments. A carbothermic reduction process was developed in order to decrease the oxygen impurity content in the AlN source material effectively. The residual oxygen concentrations were <300 ppm. AlN seed crystals for the use in homoepitaxial bulk growth runs were produced by heteroepitaxial growth on SiC substrates and by spontaneously nucleated freestanding AlN crystals. The structural quality of the heteroepitaxially grown AlN templates strongly depends on the SiC polarity. The growth of C polar and Si polar SiC results in etch pit densities in the grown AlN in the range of 5*10^4 -10^6 cm^(-2) and 5*10^6 -10^7 cm^(-2), respectively. For both substrate polarities models of the initial growth stages were developed. AlN crystals with up to 35 mm in diameter were grown, but the tendency to cracking and the high Si concentrations (several percent) reduce the crystal quality. However, a very high structural perfection can be obtained by spontaneously nucleated and freestanding grown AlN crystals. At nucleation temperatures of 2200 °C isometric crystals with up to 12*12*14 mm^3 could be grown. The crystals exhibit a zonar structure which is characterized by a core area and an edge region. The core area is grown in the [000-1] direction and reveals dislocation densities <10^2 cm^(-2). The edge region is grown perpendicular to the core area. The dislocation densities are here between 10^2 and 10^4 cm^(-2). (000-1) seeds with high structural perfection were prepared from spontaneously nucleated isometric AlN crystals and used for homoepitaxial growth experiments. With support of numerical simulations of the thermal field an adapted seed holder was developed which ensure a slightly convex-shaped thermal field at the seed and suppress the parasitic growth around the grown single crystal. Thus, bulk AlN crystals could be homoepitaxially grown with smooth expansion of the crystal diameter while maintaining the high structural quality of the seed crystals. This procedure provides the basis to achieve industrial relevant sizes of 1-2" in future by subsequent homoepitaxial growth runs. KW - Transport KW - Gasphase KW - Kristallwachstum KW - Gasphasenzüchtung KW - Volumenkristallzüchtung KW - Nitrid-Halbleiter KW - Substrat KW - Vapour growth KW - Bulk growth KW - Nitride semiconductor KW - Substrate Y1 - 2013 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-28992 ER - TY - THES A1 - Hempel, Maria T1 - Development of a novel diamond based detector for machine induced background and luminosity measurements T1 - Entwicklung eines neuen diamantbasierten Detektors für Messungen von maschineninduziertem Hintergrund und Luminosität N2 - The LHC is the largest particle accelerator and storage ring in the world, used to investigate fundamentals of particle physics and to develop at the same time the technology of accelerators and detectors. Four main experiments (ATLAS, ALICE, CMS and LHCb) , located around the LHC ring, provide insight into the nature of particles and search for answers to as yet unexplained phenomena in the universe. Two proton or heavy ion beams circulate in the LHC and are brought into collision in the four experiments. The physics potential of each experiment is determined by the luminosity, which is a ratio of the number of the events during a certain time period to the cross section of a physics process. A measurement of the luminosity is therefore essential to determine the cross section of interesting physics processes. In addition, safe and high-quality data-taking requires stable beam conditions with almost no beam losses. Each experiment has its own detectors to measure beam losses, hereafter called machine induced background. One such detector is installed in CMS, BCM1F. Based on diamond sensors it was designed and built to measure both, the luminosity and the machine induced background. BCM1F ran smoothly during the first LHC running period from 2009-2012 and delivered valuable beam loss and luminosity information to the control rooms of CMS and LHC. At the end of 2012 the LHC was shut down to improve the performance by increasing the proton energy to 7TeV and decreasing the proton bunch spacing to 25ns. Due to the success of BCM1F an upgrade of its sensors and readout components was planned in order to fulfil the new requirements. The upgrade of the sensors comprises a two pad instead of one pad metallization. 24 instead of the previous 8 single crystal diamond sensors were foreseen for the new BCM1F to enhance the robustness and redundancy. To instrument BCM1F, 59 sensors were electrically characterized by measuring the leakage current, signal stability and charge collection efficiency. Quality criteria were defined to select sensors for the final installation. An overview of these measurements including a summary of the results is given in this thesis. In addition, an upgraded amplifier was developed within the collaboration in 130nm CMOS technology. It has a peaking time of 7ns instead of the 22ns of the one previously installed. A BCM1F prototype comprising a two pad sensor and the upgraded amplifier was tested at the DESY-II accelerator in a 5GeV electron beam. Results of these test-beam measurements are presented in this thesis as well as simulations to interpret the measurements. The installation of the upgraded BCM1F was completed in 2014. In 2015 BCM1F was commissioned and started to measure luminosity and machine induced background. At the end, the thesis will describe both types of measurements with the focus on machine induced background demonstrating the functionality of BCM1F. N2 - Der LHC ist der größten Teilchenbeschleuniger und -speicherring der Welt. Er wurde gebaut, um Teilchenphysik bei höheren Energien zu erforschen bei gleichzeitiger Entwicklung der Beschleuniger- und Detektorphysik. Vier große Experimente (ATLAS, ALICE, CMS, LHCb) befinden sich am LHC, welche einen Einblick in die grundlegenden Strukturen des Universums und der Teilchenphysik geben. Zwei Protonen- oder Schwerionenstrahlen kreisen im LHC und werden in den vier Experimenten zur Kollision gebracht. Das Physikpotential in den jeweiligen Experimenten wird durch die Luminosität bestimmt. Die Luminosität ist das Verhältnis der Zahl der Ereignisse während einer bestimmten Zeiteinheit zum Wirkungsquerschnitt eines physikalischen Prozesses. Die Messung der Luminosität ist daher notwendig, um die Wirkungsquerschnitte interessanter Prozesse zu messen. Eine sichere und hochwertige Datennahmen benötigt stabile Strahlbedingungen, möglichst ohne Strahlverluste. Jedes Experiment hat seine Strahlverlustmonitore. Einer dieser Detektoren im CMS ist der BCM1F, welcher Diamantsensoren verwendet. BCM1F ist in der ersten LHC Laufzeit von 2009-2012 problemlos gelaufen und lieferte wertvolle Strahlverlust- und Luminositätsinformationen zum CMS- und LHC-Kontrollraum. Ende 2012 beendete der LHC seinen Betrieb für das Upgrade auf 7TeV und der Reduzierung des Abstandes der Protonenpakete 25ns. Um diese neuen Anforderungen zu erfüllen, wurde ein Upgrade der BCM1F Sensoren und Ausleseelektronik durchgeführt. Auf die Oberfläche der Sensoren wurden zwei Metallelektroden, genannt Pads, aufgebracht, um die Zählrate zu halbieren. Die Robustheit und Redundanz von BCM1F wurde gesteigert, indem die Anzahl der Sensoren von 8 auf 24 erhöht wurde. Insgesamt wurden 59 Sensoren elektrisch charakterisiert, was Messungen von Leckstrom, Signalstabilität und Ladungssammlungseffizienz beinhaltet. Qualitätskriterien für die Auswahl von Sensoren wurden definiert. Ein Überblick dieser Messungen wird mit einer Zusammenfassung der Resultate in dieser Arbeit gegeben. Zusätzlich wird ein verbesserter Verstärker in 130nm CMOS Technologie und einer Anstiegszeit der Ausgangsspannung (proportional zur Eingangsspannung) von 7ns, statt der vorherigen 22ns, zur Signalauslese verwendet. Ein BCM1F Prototyp mit Zweikanalauslese und dem verbesserten Verstärker wurde am DESY-II Beschleuniger bei einem Elektronenstrahl von 5GeV Elektronen getestet. Resultate dieses Testes werden in dieser Arbeit gezeigt und mit Simulationen verglichen. Die Installation des neuen BCM1F Systems fand 2014 statt und 2015 startete BCM1F seine Messungen der Luminosität und der Rate von Teilchen des Strahlhintergrundes, der im Beschleuniger anfällt. Am Ende wird diese Arbeit Resultate der Messungen zeigen, sich dabei aber auf den maschinen-induzierten Hintergrund konzentrieren und dabei die sichere Funktionsweise von BCM1F demonstrieren. KW - BCM1F KW - Diamond KW - Sensor KW - Beam loss KW - CMS KW - BCM1F KW - Diamant KW - Sensor KW - Stahlverlust KW - CMS KW - LHC KW - Luminosität KW - Strahlungsdetektor Y1 - 2017 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-42865 ER - TY - THES A1 - Köhler, Leonard T1 - Surface and interface study of kesterite-based and related thin-film solar cell structures T1 - Oberflächen- und Grenzflächenuntersuchung an Kesterit-basierten und verwandten Dünnschichtsolarzellenstrukturen N2 - The chemical and electronic structure of the interfaces of kesterite-based and related absorber materials in thin-film solar cell device-relevant layer stacks have been investigated with x-ray based spectroscopic techniques (XPS, HAXPES, XAES, XES, and XAS). The analyzed materials are CZTS absorbers with their interfaces to the Mo back contact and to different Zn(O,S)-buffer layers, SnS absorbers with partly N-doped ZnO buffer layers, and 2 absorbers with (Cd,Zn)S buffer layers. We find an unchanged CZTS surface in this series which has a profound effect on the ZnOS growth. Instead of a constant composition throughout the buffer thickness, we find S-rich material growing directly on the CZTS in the ALD process. The conduction band offset is found to be around -0.21(+-0.15) eV. The measured cliff is reduced by chemical interface modification towards a flat band alignment. The interface effect during annealing at the CZTS back contact where MoS2 forms occurs even at low annealing temperatures below 500°C. Sn spectra of liftoff CZTS back sides, annealed on the Mo contact, resemble the precursor at all temperatures while Sn spectra of CZTS front sides are almost single phase after standard annealing. A TiN interlayer was effectively introduced to prevent reactions at the CZTS/Mo interface. We find a strong impact of ALD deposited ZnO on oxidized SnS absorber surfaces, resulting in metallic Sn formation. In contrast, doped ZnO:N reduces the SnS much less agressively. The strong downwards bending for both ZnO and SnS at the ZnO/SnS junction that we find for undoped ZnO contact layers is drastically reduced if ZnO:N contact layers are used. The smaller cliff in the conduction band of 0.2 eV for ZnO:N/SnS makes this junction much more interesting for solar cell applications than the ZnO/SnS with a large cliff of 0.55 eV. The chemical analysis of the (Cd,Zn)S:Ga/CuSbS2 reveals chemical interaction at the junction. We find an additional species on the high energy side of the Cu peak for all samples. The interface species can be explained with the changed buffer composition at the interface, particularly low S and Cd content and increased Ga concentration, and could also be affected by the presence of O and hydroxides. We find an upwards surface band bending of -0.15 eV for the bare absorber. At the junction, we see downwards band bending of up to 0.2(+-0.09) eV in the absorber and strong upwards band bending of -0.75(+-0.28) eV in the buffer. The junction is not an abrupt transition from one homogenious material to another. The buffer growth is strongly affected by the absorber. Also the electronic structure on both sides is significantly affected. We find a conduction band alignment with a large cliff of -1.3(+-0.3) eV. N2 - Die chemische und elektronische Struktur von Grenzflächen in Schichtstapeln mit unmittelbarer Bedeutung für Kesterit-basierte und verwandte Dünnschichtsolarzellen wurden mit Röntgen-basierten Spektroskopietechniken (XPS, HAXPES, XAES, XES, and XAS) untersucht. Die untersuchten Materialien sind CZTS-Absorber mit ihren Grenzflächen zu Mo-Rückkontakten und zu verschiedenen Zn(O,S) -Pufferschichten, Sn-Absorber mit teilweise N-dotierten ZnO Pufferschichten und CuSbS2 Absorber mit (Cd,Zn)S-Pufferschichten. Unsere Untersuchungen zeigen eine chemisch unveränderte CZTS-Oberfläche die einen starken Einfluss auf das Zn(O,S)-Wachstum hat. Statt eines konstanten Mischungsverhältnisses in der Puffeschicht zeigt sich ein S-angereichertes Material, dass im ALD-Prozess direkt auf dem CZTS wächst. Der Leitungsbandversatz ergibt sich dadurch zu -0.21(+-0.15) eV. Dieses gemessene "cliff" wird durch die chemische Modifikation an der Grenzfläche zu einem flachen Bandübergang geändert. Der Grenzflächeneffekt beim Ausheizen am CZTS Rückkontakt, wo sich MoS2 bildet, tritt auch bei niedrigen Ausheiztemperaturen unter 500°C auf. Sn-Spektren von "liftoff" CZTS-Rückseiten, die auf dem Mo-Kontakt ausgeheizt wurden, ähneln dem unkristallisierten Roh-CZTS bei allen Ausheiztemperaturen, während Sn-Spektren von CZTS-Frontseiten nach vollständigem Ausheizen nahezu reinphasiges Kesterit zeigen. Eine TiN Zwischenschicht wurde erfolgreich eingeführt, um Reaktionen an der CZTS/Mo Grenzfläche zu verhindern. Wir finden einen signifikanten Effekt von ALD-deponiertem ZnO auf oxidierte SnS-Absorberoberflächen, der zur Bildung von metallischem Sn führt. Dotiertes ZnO:N reduziert das SnS deutlich weniger aggressiv. Die starke Abwärtsbiegung der Bänder an der Grenzfläche von ZnO und SnS, die sich für undotiertes ZnO-Kontaktmaterial findet, schwächt sich extrem ab, wenn ZnO:N Kontaktmaterial verwendet wird. Das deutlich kleiner "cliff" im Leitungsband von 0.2 eV in ZnO:N/SnS macht die deutlich bessere Eignung dieser Kombination für Solarzellenanwendungen klar, gerade im Vergleich zu ZnO/SnS mit einem großen "cliff"-Versatz von 0.55 eV. Die chemische Analyse von (Cd,Zn)S:Ga/CuSbS2 enthüllt chemische Veränderungen an der Grenzfläche. Wir finden in allen Proben eine zusätzliche Spezies mit erhöhter Bindungsenergie im Cu-Peak. Die Grenzflächenverbindungen können durch die veränderte Puffer-Komposition an der Grenzfläche erklärt werden. Wir messen eine Oberflächen-Aufwärtsbiegung der Bänder von -0.15 eV für den reinen Absorber. Am p-n-Übergang zeigen die Bänder eine Abwärtsbiegung von 0.2(0.09) eV im Absorber und eine starke Aufwärtsbiegung von -0.75(+-0.28) eV im Puffer. Diese Grenzfläche ist keine scharfe Grenze zwischen zwei homogenen Materialien. Das Wachstum der Pufferschicht ist stark vom Absorber beeinflusst und auch die elektronische Struktur auf beiden Seiten wird verändert. Der Leitungsbandversatz zeigt ein großes "cliff" von -1.3(+-0.3) eV. KW - X-ray photoelectron spectroscopy KW - Kesterite KW - Thin-film solar cell KW - Interface analysis KW - Röntgenphotoelektronenspektroskopie KW - Kesterit KW - Dünnschichtsolarzelle KW - CZTS KW - Dünnschichtsolarzelle KW - Oberflächenphysik KW - Grenzflächenphysik KW - Kesterit KW - Röntgen-Photoelektronenspektroskopie KW - Zn(O,S) Y1 - 2017 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-43544 ER - TY - THES A1 - Henyk, Matthias T1 - Partikelemission bei der Ablation dielektrischer Materialien mit ultrakurzen Laserpulsen N2 - Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, einen Beitrag zum Verständnis mikroskopischer Prozesse zu leisten welche an der Laser-Ablation dielektrischer Kristalle mit ultrakurzen Laserpulsen beteiligt sind. Die von den Targets emittierten elektrisch geladenen Partikel werden mit einem Flugzeitmassenspektrometer nachgewiesen, und die resultierende Morphologie der Targetoberfläche wird ex-situ mit Methoden der optischen Mikroskopie bzw. der Raster-Elektronenmikroskopie charakterisiert. Die Absorption der Laserstrahlung führt zu Multiphotonen-Ionisationsprozessen, so dass es zu einer Coulomb-Explosion der Oberfläche kommt. Bei hohen Laserintensitäten gibt es außerdem thermische Beiträge zu Ablation (Phasen-Explosion). Für die resonante Unterstützung der Photoelektronenemission sind materialabhängige Oberflächenzustände (z. Bsp. F-Zentren) wichtig. An BaF2 (111) Oberflächen wird ein „Layer-by-Layer“ Abtrag beobachtet. Die Partikelemission hinterlässt eine instabile Oberfläche, deshalb kann es im Ablationskrater zur Ausbreitung von Oberflächenwellen und der Bildung von Ripples durch selbst-organisierte Prozesse kommen. N2 - The purpose of this thesis is an improved mechanistic understanding for the phenomenon of ultra short laser pulse ablation from dielectric crystals. From the target emitted charged particles are analyzed by time-of-flight mass spectroscopy techniques and, upon laser irradiation, the resulting surface morphology is ex-situ characterized by optical and electron microscopy. The ablation is based on Coulomb explosion upon multiphoton surface ionisation and may be accompanied by thermal ablation processes (i.e. Phase-Explosion). Material dependent surface states, for example F-centres, were identified as important for a resonant enhancement of the photo­electron emission. A “layer-by-layer” material removal is observable at BaF2 (111) surfaces. The particle emission leaves behind a highly instable surface. Therefore, surface waves may spread within the crater and ripples are created by self-organized processes. KW - Ionenkristall KW - Laserablation KW - Laserimpuls KW - Femtosekundenbereich KW - Flugzeitmassenspektrometrie KW - Laser KW - Ablation KW - Dielektrisches Kristall KW - Laserpuls Y1 - 2003 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-000000371 ER - TY - THES A1 - Ohlerich, Martin T1 - Investigations of the physics potential and detector development for the ILC T1 - Untersuchungen zum Physikpotential und zur Detektorentwicklung für den ILC N2 - The International Linear Collider offers a lot of different interesting challenges concerning the physics of elementary particles as well as the development of accelerator and detector technologies. In this thesis, we investigate two rather separate topics - the precision measurement of the Higgs boson mass and of its coupling to the neutral gauge boson Z and the research and development of sensors for BeamCal, which is a sub-detector system of the ILC detector. After the Higgs boson has been found, it is important to determine its properties with high precision. We employ the Higgs-strahlung process for this purpose. A virtual Z boson is created in the electron-positron collisions, which emits a Higgs-boson while becoming on-shell. Using the so-called recoil technique, we determine the Higgs boson mass by reconstructing the Z boson momentum and using the center-of-mass energy of the colliding leptons. This technique allows to measure the Higgs boson mass without considering the Higgs boson decay, i.e. it can be applied even to a Higgs boson invisibly decaying. Monte-Carlo studies including a full detector simulation and a full event reconstruction were performed to simulate the impact of a realistic detector model on the precision of the Higgs boson mass and production cross-section measurement. Also, an analytical estimate of the influence of a given detector performance on the Higgs boson mass measurement uncertainty is given. We included a complete sample of background events predicted by the Standard Model, which may have a detector response similar to the signal events. A probabilistic method is used for the signal-background separation. Several other probabilistic methods were used to investigate and improve the measurement of the Higgs-strahlung cross-section and the Higgs boson mass from the recoil mass spectrum obtained after the signal-background separation. For a Higgs boson mass of 120 GeV, a center-of-mass energy of 250 GeV and an integrated luminosity of 50/fb, a relative uncertainty of 10% is obtained for the cross-section measurement, and a precision of 118 MeV for the Higgs boson mass. The original motivation to use the recoil technique for a Higgs boson mass measurement independent on its decay modes could not be completely confirmed. For a Higgs boson mass of 180 GeV and 350 GeV, a statistics corresponding to 50/fb is not sufficient to achieve the necessary significance of the recoil mass peak above the background. The BeamCal is a calorimeter in the very forward region, about 3 m away from the nominal interaction point and surrounding the beam pipe. Due to its location, a lot of beamstrahlung pair particles will hit this calorimeter, representing a challenge for the operational reliability of the sensors under such harsh radiation conditions. We investigated single-crystal and polycrystalline CVD diamond, gallium arsenide and radiation-hard silicon as sensor candidates for their radiation hardness and found that diamond and gallium arsenide are promising. We used a 10 MeV electron beam of few nA to irradiate the samples under investigation up to doses of 5 MGy for diamond, up to about 1.5 MGy for gallium arsenide and up to about 90 kGy for silicon. We measured in regular periods the CCD to characterize the impact of the absorbed dose on the size of the signal, which is generated by electrons of a Sr-90 source crossing the sensor. Additional measurements such as the dark current and the CCD as functions of the voltage completed the characterization of the sensor candidates. For the single-crystal CVD diamond, also the thermally stimulated current was measured to determine amongst others the defect density created by irradiation. In the diamond samples, evidence for strong polarization effects inside the material was found and investigated in more detail. A phenomenological model based on semi-conductor physics was developed to describe the sensor properties as a function of the applied electric field, the dose and the dose rate. Its predictions were compared with the results of the measurements. Several parameters such as time scales and cross-sections were determined using this model, which led to ongoing investigations. N2 - Der Internationale Linear Collider (ILC) bietet eine Vielfalt an interessanten Herausforderungen für die Elementarteilchenphysik, die Beschleuniger- und die Detektortechnologie. In der vorliegenden Arbeit untersuchen wir je ein Kernthema aus der Physik und der Detektortechnologie - zum einen die Präzisionsmessung der Higgs-Bosonenmasse und der Kopplung des Higgs-Bosons an das neutrale schwere Eichboson, Z, und zum anderen die Untersuchung und Entwicklung von Sensoren für BeamCal, einem Teildetektorsystem des ILC-Detektors. Das Higgs-Boson ist ein bisher nicht entdecktes fundamentales Teilchen, welches vom elektroschwachen Standardmodell vorhergesagt wird. Sehr wahrscheinlich wird es am LHC gefunden. Danach ist es wichtig, seine Eigenschaften mit hoher Präzision zu bestimmen. Wir benutzen dafür den Higgs-Strahlungsprozess. Ein virtuelles Z-Boson wird in einer Elektron-Positron-Kollision erzeugt, welches ein Higgs-Boson emittiert und dabei auf die Massenschale übergeht. Mit Hilfe der sogenannten Rückstosstechnik bestimmen wir die Higgs-Bosonmasse durch Rekonstruktion des Impules des Z-Bosons und mittels der Schwerpunktsenergie der kollidierenden Leptonen. Diese Technik erlaubt es, die Higgs-Bosonmasse und die Kopplung an das Z-Boson zu messen ohne die Higgs-Zerfallsmoden zu betrachten, d.h. sie kann auch angewendet werden, wenn das Higgs-Boson in nicht detektierbare Teilchen zerfällt. Monte-Carlo Studien, die eine volle Detektorsimulation und eine volle Ereignisrekonstruktion enthalten, wurden durchgeführt, um den Einfluss eines realistischen Detektormodells auf die Präzision der Messgrößen abzuschätzen. Dazu wird analytisch sowie numerisch die Auswirkung der Impulsmessungspräzision auf die Messung der Higgs-Bosonmasse bestimmt. Wir fügten eine vollständige Menge an Hintergrundereignissen hinzu, wie sie vom Standardmodell vorausgesagt werden und welche eine Signatur im Detektor aufweisen, die der der Signalereignisse sehr ähnlich ist. Für die Unterscheidung von Signal- und Hintergrundereignissen wurde eine wahrscheinlichkeitsbasierte Methode benutzt. Weitere wahrscheinlichkeitstheoretische Methoden wurden verwendet, um die Messung des Higgs-Strahlungsprozesses und der Higgs-Bosonmasse aus dem Rückstossmassenspektrum nach der Signal-Hintergrund-Trennung zu untersuchen und zu verbessern. Für eine Higgs-Bosonmasse von 120 GeV, eine Schwerpunktenergie von 250 GeV und eine integrierte Luminosität von 50/fb wurde eine relative Unsicherheit von 10% für die Streuqueschnittmessung und eine Unsicherheit von 118 MeV für die Messung der Higgs-Bosonmasse erhalten. Die ursprüngliche Motivation für die Verwendung der Rückstosstechnik war die Bestimmung der Higgs-Bosonmasse unabhängig von seinen Zerfallskanälen. Diese Unabhängigkeit kann nicht vollständig bestätigt werden. Für eine Higgs-Bosonmasse von 180 GeV und für 350 GeV ist die notwendige Anzahl von Ereignissen bei 50/fb nicht ausreichend, um ein signifikantes Signal über dem Hintergrund zu erhalten. Das BeamCal ist ein Kalorimeter in der Vorwärtsregion des ILC-Detektors, etwa 3 m vom nominalen Wechselwirkungspunkt entfernt, und umgibt das Strahlrohr. Durch seine Position wird es einer großen Anzahl von Elektron-Positron-Paaren aus der Beamstrahlung ausgesetzt sein, was eine enorme Herausforderung f\"ur die Funktionstüchtigkeit und Zuverlässigkeit der Sensoren bei exterm hoher Strahlendosis bzw. -dosisrate darstellt. Wir untersuchten ein- und polykristalline CVD Diamant-, Galliumarsenid- und strahlenharte Siliziumsensormatrialen auf ihre Strahlenhärte und fanden vielversprechende Ergebnisse für Diamant und Galliumarsenid. Wir benutzten einen 10 MeV Elektronenstrahl von einigen nA, um die zu untersuchenden Sensorproben bis zu Dosen von 5 MGy für Diamant, bis etwa 1,5 MGy für Galliumarsenid und bis zu 90 kGy für Silizium zu bestrahlen. In regelmäßigen Abständen wurde die CCD mit relativistischen Elektronen aus einer Sr-90-Quelle gemessen, um den Einfluss der vom Sensor absorbierten Dosis auf die Größe des MIP-Signals zu bestimmen. Zusätzliche Messungen u.a. des Dunkelstromes und der CCD als Funktionen der angelegten Spannung vervollständigen die Charakterisierung der Sensormaterialkandidaten. Für den einkristallinen CVD Diamanten wurde auch der thermisch stimulierte Strom gemessen zur Bestimmung u.a. der Dichte der Defekte, die durch die Bestrahlung erzeugt wurden. Es wurden Hinweise auf starke Polarisationseffekte in den Diamantproben gefunden und detailierter untersucht. Um die Sensoreigenschaften als Funktion des angelegten elektrischen Feldes, der Dosis und der Dosisrate zu beschreiben, wurde ein phänomenologisches Modell entwickelt. Die Voraussagen dieses Modells wurden mit den Ergebnissen der Messungen verglichen und mehrere Parameter wie etwa Zeitkonstanten und Streuquerschnitte wurden mit Hilfe dieses Modells bestimmt. Das durch dieses Modell gewonnene Verständnis induzierte weiterführende Untersuchungen. KW - Detektor KW - Speicherring KW - Higgs-Teilchen KW - Higgs-Bosonmasse KW - Detektor KW - Detektorentwicklung KW - ILC KW - Higgs boson mass KW - Detector development KW - ILC Y1 - 2009 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-14409 ER - TY - THES A1 - Fahr, Martin T1 - Parasitäre Wärmeflüsse und Verunreinigungen in Reinstmetall-Fixpunktzellen der Internationalen Temperaturskala T1 - Parasitic heat flows and impurities in ultra-pure-metal fixed-point cells of the international temperature scale N2 - Die internationale Temperaturskala von 1990 wird im Bereich von -38,8344°C bis 961,78°C neben dem Wasser- und dem Quecksilber-Tripelpunkt durch Schmelz- und Erstarrungstemperaturen von Reinstmetallen definiert. Die Unsicherheiten bei der Darstellung und Weitergabe der Basiseinheit Kelvin des Internationalen Einheitensystems in diesem Bereich (und somit auch der Einheit Grad Celsius und aller abgeleiteten Einheiten) werden dominiert von den Unsicherheiten der Realisierung dieser Fixpunkte und diese wiederum von einem Beitrag, der vom Einfluss in den Metallen gelöster Verunreinigungen herrührt und bis jetzt nur pauschal abgeschätzt wurde. Zwar wird versucht, noch reineres Fixpunktmetall zu verwenden, aber wesentliche Verbesserungen bezüglich der Reproduzierbarkeit der Fixpunkttemperaturen können nur durch eine Korrektion dieser Beiträge erreicht werden. Voraussetzungen für diese Korrektion sind nicht nur eine chemische Spurenanalyse der Fixpunktmetalle mit Unsicherheiten und Detektionsgrenzen am aktuellen technischen Limit, sondern auch die Kenntnis der Auswirkungen jeder einzelnen Verunreinigung auf die Fixpunkttemperatur. Diese Abhängigkeit der Phasenübergangstemperatur von der Konzentration der jeweiligen Verunreinigung wird auf Grund fehlender Kenntnisse im Bereich kleinster Konzentrationen von 10^-9 bis 10^-5 (mol/mol) experimentell durch gezielte Dotierung der Fixpunktmetalle bestimmt. Um die dargestellten Probleme grundlegend zu lösen, wurden im Rahmen dieser Arbeit zwei verschiedene Fixpunktzelldesigns entwickelt. Beide erlauben eine Messung und Kontrolle des Drucks der Gasatmosphäre und sind außerdem wiederverschließbar, wodurch sie eine chemische Analyse des Fixpunktmaterials ermöglichen, das sich in der Zusammensetzung wesentlich von dem unterscheiden kann, mit dem die Zelle befüllt worden ist. Während der eine Zelltyp für Kalibrierzwecke konstruiert worden ist und den herkömmlichen Zellen ähnelt, wurde der zweite Typ auf die Verwendung von deutlich weniger Fixpunktmetall hin optimiert, so dass er sich unter anderem gut für die erwähnten Dotierungsexperimente eignet. Zunächst allerdings bringen die Veränderungen im Design gegenüber den üblichen Fixpunktzellen unvermeidlich eine Vergrößerung unerwünschter parasitärer Wärmeflüsse mit sich, welche als sogenannte thermische Effekte die gemessene Fixpunkttemperatur verfälschen. Diese fallen bei der angestrebten Verwendung von höchstreinem Fixpunktmetall relativ zu den anderen Einflussgrößen umso mehr ins Gewicht, deswegen wurde ihre Untersuchung zu einem weiteren Schwerpunkt der Arbeit. Dabei konnte ein Verfahren zur Quantifizierung und Korrektion und ein besseres Verständnis dieser Effekte entwickelt werden, welche für Metallfixpunktzellen jeder Bauart nützlich sind. Im Ergebnis liegen die Unsicherheiten bei den Messungen mit den verkleinerten Zellen unverändert im Bereich weniger hundert Mikrokelvin. Die Zellen eignen sich daher sehr gut, die Beeinflussung der Phasenübergangstemperatur der Metallfixpunkte durch die Dotierung mit anderen Elementen im Konzentrationsbereich von 10^-7 bis 10^-5 zu bestimmen. Bevor dies abschließend auch experimentell mit Untersuchungen an ausgewählten binären Systemen gezeigt wird, werden thermodynamische Berechnungen dargestellt, die erstmals eine Vielzahl von möglichen Verunreinigungen in den Fixpunktzellen ausschließen, so dass sich nicht nur die Anzahl zu untersuchender möglicher Verunreinigungen in den Fixpunkten erheblich reduziert, sondern auch die Anzahl zu berücksichtigender Beiträge bei der angestrebten Korrektion der Fixpunkttemperaturen. Alles in allem steht nun eine Methodik zur Verfügung, die Unsicherheit bei der Darstellung der internationalen Temperaturskala im industriell besonders wichtigen Bereich von -40°C bis 1000°C mindestens um den Faktor 3 zu reduzieren. N2 - The international temperature scale of 1990 in the range between -38.8344°C and 961.78°C is defined using the triple points of mercury and water and the melting and freezing temperatures of ultra-pure metals. The uncertainties of the realisation and dissemination of the base unit kelvin of the international system of units in this range (and thus also of the degree Celsius and all derived units) are dominated by the uncertainties of the realisation of the metal fixed-points. These uncertainties again, depend mostly on the amount of soluted impurities whose influence cannot be accounted for, but has been only estimated so far. Although purer fixed-point metal could reduce the contribution to the uncertainty budget, considerable reductions require a correction of the influence of the impurities. To do this, not only a very sophisticated chemical analysis of the fixed-point metal is necessary, but also detailed knowledge about the dependency of the fixed-point temperature of any soluted impurity in the fixed-point metal. As the knowledge of this dependence in the concentration range between 10^-9 and 10^-5 (mol/mol) is not sufficient, it has to be determined experimentally by doping fixed-points. To overcome all these problems, during the course of this work, two fixed-point cell designs were developed. Both of them allow to measure and control the gas pressure. Furthermore, they are resealable and by this means samples for a chemical analysis can be extracted, which is necessary for the mentioned correction because the composition of the fixed-point is very likely to change after the filling process of the cell. One of these two types of fixed-point cells is designed to suit the needs of a calibration process and is quite similar to standard cells. The other type is optimized for the doping experiments and uses much less fixed-point metal. In the first instance, the design changes are the reason for considerable increases of undesirable parasitic heat flows, raising deviations between the measured temperature of the fixed-point and that of the phase interface. As this is especially important when metals of the highest purity are used, investigations of these so-called thermal effects became a further main topic of this work. Consequently, a method to quantify and correct these effects was developed and can be used for any metal fixed-point cell. As a result, the uncertainty contribution of both cell types is as small as a few hundred microkelvin. Apparently the down-sized cells are very well suited to measure the changes of the fixed-point temperature when the cell is doped in the concentration range of 10^-7 to 10^-5. The results of investigations of some chosen binary systems are presented in this work. But before that, thermodynamical calculations will show that a couple of elements cannot be soluted impurities in metal fixed-point cells. Thereby the number of necessary doping experiments is reduced as well as the number of contributions to the targeted correction of the fixed-point temperature. To sum up, there is now a methodology to reduce the uncertainty of the international temperature scale in the most important range between -40°C and 1000°C by a factor of at least 3. KW - Metall KW - Verunreinigung KW - Wärmestrom KW - Internationale Temperaturskala KW - Temperaturfixpunkte KW - ITS-90 KW - Verunreinigungen in ultrahochreinen Metallen KW - Thermische Effekte KW - Strahlungstransport KW - Temperature fixed-points KW - ITS-90 KW - Impurities in ultra-pure metals KW - Thermal effects KW - Radiation transport Y1 - 2008 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4639 ER - TY - THES A1 - Lublow, Michael T1 - Surface analytical characterization of horizontal and vertical nanotopographies at the silicon/silicon oxide/electrolyte phase boundaries T1 - Oberflächenanalytische Charakterisierung Horizontaler und Vertikaler Nanotopographien an der Silicium/Siliciumoxid/Elektrolyt Phasengrenzfläche N2 - Nanotopography development induced by photoelectrochemical in situ conditioning of silicon is followed using a combination of surface sensitive analysis techniques. In an etching study, vertical nanostructure analysis reveals a buried stressed layer within silicon, identified by Brewster-angle analysis (BAA). In conjunction with in system synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (SRPES), a superior quality hydrogen terminated Si(111) surface could be prepared by obliteration of the intermediate stressed layer. Using a novel photoelectrochemical structure formation method, a variety of vertical nanotopographies has been generated and analyzed by in situ Brewster-angle reflectometry (BAR) and scanning probe microscopy (SPM). Shaping of the nanostructures became possible by real-time monitoring using BAR. Appearances range from aligned single nanoislands with improved aspect ratio to connected Si nano-networks. A model was developed to describe the nanostructure formation based on stress-induced selective oxidation. Increased local photo-oxidation is found to result in the formation of extended horizontal micro- and nanostructures with fractal properties. Within a defined light intensity range, the structures reveal the azimuthal symmetry of the investigated crystal planes (111), (100), (110) and (113). The observed features could be reproduced using a model that is based on the interplay of stress in silicon, oxidation by light generated excess holes and locally increased etching in fluoride containing solution. N2 - Die durch photoelektrochemische in situ Verfahren induzierte Nanostrukturbildung auf Silicium wird durch eine Kombination oberflächenempfindlicher Methoden untersucht. Durch schrittweise Abtragung eines Oberflächenoxids und durch die Analyse vertikaler Nanostrukturen wird eine verborgene Streßschicht mit Hilfe der Brewster-Winkel Analyse ermittelt. In Verbindung mit Synchrotron-Photoelektronenspektroskopie kann eine optimierte H-Terminierung von Si(111)-Oberflächen nach Entfernen des gestreßten Bereiches erzielt werden. Durch Anwendung einer neuartigen photoelektrochemischen Methode wurde eine Vielzahl vertikaler Nanostrukturen erzeugt, deren Morphologie Aspekt-optimierte nanoskopische Inseln sowie Nanostruktur-Netzwerke umfaßt. In Modellbetrachtungen wird eine streß-induzierte selektive Oxidation als Bildungsmechanismus vorgeschlagen. Verstärkte lokale Photooxidation wiederum führt zur Bildung ausgebreiteter Mikro- und Nanostrukturen, die in einem mittleren Bereich der Lichtintensität die azimutale Symmetrie der jeweiligen (111), (100), (110) und (113) Kristallorientierungen widerspiegeln. Modellhafte Simulationen basieren auf der Wechselwirkung von Streß im Siliciumkristall, lichtgenerierter Oxidation und erhöhter lokaler Materialabtragung in konzentrierter Ammoniumfluoridlösung. KW - Siliciumdioxid KW - Oberflächenanalyse KW - Silicium KW - Oberflächenanalyse KW - Selbstorganisierte elektrochemische Systeme KW - Optik KW - Silicon KW - Surface analysis KW - Self-organized electrochemical systems KW - Optics Y1 - 2009 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-14390 ER - TY - THES A1 - Ratzke, Markus T1 - Kraftmikroskopie als Werkzeug zur Charakterisierung elektrischer Oberflächeneigenschaften T1 - Force microscopy as tool for the characterization of electrical surface properties N2 - Die stetig fortschreitende Miniaturisierung in der Halbleiterindustrie macht es notwendig, Oberflächenparameter mit Auflösung im Nanometerbereich zu messen und auch abzubilden. Von größtem Interesse sind hierbei das Oberflächenpotential und die Kapazität der oberflächennahen Bereiche, da diese Aussagen über die elektronische Struktur erlauben. Hierbei muss großes Augenmerk auf die Möglichkeit der zerstörungsfreien und präparationsarmen Messung gelegt werden, da jede Behandlung der zu untersuchenden Materialien deren Oberflächeneigenschaften ändert. Im Rahmen dieser Arbeit wurden auf der Atomkraftmikroskopie basierende Methoden sowohl experimentell als auch mit Hilfe von Simulationen auf ihre Anwendbarkeit für die Untersuchung von Halbleiteroberflächen evaluiert. Es stellt sich heraus, dass die kontaktfreien Methoden „Scanning Kelvin Probe Microscopy“ und „Scanning Capacitance Microscopy“ sehr gut geeignet sind, um die elektronische Struktur der Probenoberfläche qualitativ zu beurteilen. Allerdings muss für quantitative Aussagen ein recht großer rechentechnischer Aufwand betrieben werden. N2 - The still ongoing trend of miniaturization in the semiconductor industry creates the demand for experimental methods allowing a mapping of certain properties of surfaces with resolution in the nanometre range. Matters of particular interest are the surface potential and the capacitance of near surface regions, since these parameters give access to electronic properties. However, of major interest are non-destructive experimental methods, especially these with minor requirements on sample preparation allowing investigations of pristine surfaces. In this study, atomic force microscopy-based methods are evaluated both experimentally and with the help of simulations for their applicability to the investigation of semiconductor surfaces. It turns out that the non-contact methods, "Scanning Kelvin Probe Microscopy" and "Scanning Capacitance Microscopy" are very well suited to estimate the electronic structure of the sample surface qualitatively. However, for a quantitative assessment a fairly large effort of computing has to be carried out. KW - Kraftmikroskopie KW - Halbleiteroberfläche KW - Atomkraftmikroskopie KW - Silizium KW - Scanning Kelvin Probe Microscopy KW - Scanning Capacitance Microscopy KW - Atomic force microscopy KW - Silicon KW - Scanning Kelvin Probe Microscopy KW - Scanning Capacitance Microscopy Y1 - 2012 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus-24440 ER -