TY - THES A1 - Mankovics, Daniel T1 - Luminescence investigation of bulk solar silicon and silicon thin films on glass substrate T1 - Lumineszenz-Untersuchungen von bulk-Solarsilizium und Silizium-Dünnfilmen auf Glassubstrat N2 - The aim of this work is to study the optical properties of crystal defects in multicrystalline solar silicon and poly-/microcrystalline silicon thin films on glass substrate. First a setup for photoluminescence imaging on multicrystalline silicon solar wafers was developed. This system is suitable for detecting band-to-band luminescence as well as defect-related luminescence at room temperature on large-scale wafers at different stages of their processing. Spectroscopic photoluminescence investigations of multicrystalline silicon solar wafers indicated a new intense luminescence line at ≈ 0.91 eV at room temperature. The origin of this line is probably found in a specific grain boundary. Furthermore, luminescence in the region of 0.8 eV was investigated in detail, and it was found that probably oxygen is responsible for a peak at 0.77 eV at 80 K. Electroluminescence investigations at room temperature at both materials exhibit extended defect structures such as grain boundaries. Furthermore, it can be concluded that electroluminescence imaging in reverse bias mode indicate on serious breakdown points in solar cells, which can lead to destruction of solar cells and modules. By comparing defect-related and reverse bias electroluminescence images, a difference in the spatial distribution of defects emitting D1 radiation and defects emitting light under reverse bias beyond -12 V is detectable. In addition, there seems to be a correlation in the distribution of non-doping impurities and photoluminescence. Concerning this, vertical slabs of two silicon blocks were examined by means of Fourier-transform infrared spectroscopy and photoluminescence. A correlation of the distributions of interstitial oxygen and the band-to-band luminescence profiles could be found. Additionally, a correlation between D3/D4 luminescence profile and nitrogen distribution in the blocks was observed. Finally, the growth process, particularly the transition from amorphous to microcrystalline silicon by PECVD, was studied by combined photoluminescence and Raman investigations. Formation of silicon nano-grains was detected by means of photoluminescence and Raman spectroscopy. N2 - Das Ziel dieser Arbeit ist es, die optischen Eigenschaften von Kristalldefekten in multikristallinem Solarsilizium und poly-/mikrokristallinen Silizium-Dünnschichten auf Glas-Substrat zu studieren. Zuerst wurde ein Aufbau für Photolumineszenz-Imaging an multikristallinem Silizium-Solarwafern entwickelt. Dieses System eignet sich zur Erfassung von Band-zu-Band-Lumineszenz sowie Defekt-Lumineszenz bei Raumtemperatur großer Solarwafer nach verschiedenen Prozessschritten. Spektroskopische Photolumineszenz-Untersuchungen von multikristallinen Silizium-Solarwafern zeigte eine neue intensive Lumineszenzlinie bei ≈ 0.91 eV bei Raumtemperatur. Der Ursprung dieser Linie liegt wahrscheinlich in einer bestimmten Korngrenze. Weiterhin wurde die Lumineszenz im Bereich von 0.8 eV im Detail untersucht, und es wurde gefunden, dass wahrscheinlich Sauerstoff für einen Peak bei 0.77 eV bei 80 K verantwortlich ist. Elektrolumineszenz Untersuchungen bei Raumtemperatur an beiden Materialien zeigen ausgedehnte Defektstrukturen wie Korngrenzen. Darüber hinaus kann der Schluss gezogen werden, dass das Elektrolumineszenz-Imaging im Rückwärtsvorspannungs-Modus auf schwerwiegende Durchbruchstellen in Solarzellen hinweist, die zur Zerstörung von Solarzellen und Modulen führen kann. Durch Vergleich von Defektlumineszenz- und Sperrvorspannungs-Elektrolumineszenz-Bildern ist ein Unterschied in der räumlichen Verteilung der Defekte, die D1 emittieren, und der Durchbruchlumineszenz unter Sperrvorspannung über -12 V erkennbar. Außerdem gibt es Hinweise auf einen Zusammenhang bei der Verteilung von nicht-dotierenden Verunreinigungen und der Lumineszenz. Hierzu wurden vertikale Scheiben zweier Siliziumblöcke mittels Fourier-Transformations-Infrarotspektroskopie und Photolumineszenz untersucht. Eine Korrelation der Verteilung von interstitiellem Sauerstoff und den Band-zu-Band-Lumineszenz-Profilen konnte gefunden werden. Außerdem wird eine Korrelation zwischen dem D3/D4 Lumineszenzprofil und der Stickstoffverteilung in den Blöcken beobachtet. Schließlich wurde der Wachstumsprozeß, insbesondere der Übergang von amorphem zu mikrokristallinem Silizium mittels PECVD, durch Kombination der Photolumineszenz- und Raman-Methoden untersucht. Bildung von Silizium-Nanokörnern wurde mittels Photolumineszenz- und Raman-Spektroskopie detektiert. KW - Silicon KW - Defects KW - Photoluminescence KW - Luminescence imaging KW - Silicon thin films KW - Silizium KW - Defekte KW - Photolumineszenz KW - Lumineszenz-Imaging KW - Silizium-Dünnfilme KW - Silicium KW - Dünnschichttechnik KW - Solarzelle KW - Fehleranalyse Y1 - 2015 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-35196 ER - TY - THES A1 - Bergholz, Matthias T1 - Vergleich relevanter Parameter von Multipixelsensoren für Spurdetektoren nach Bestrahlung mit hohen Proton- und Neutronflüssen T1 - Comparison of relevant parameters of multi-pixel sensors for tracker detectors after irradiation with high proton and neutron fluences N2 - Um eine höhere Sensitivität für seltene Physikereignisse zu erzielen, wird die Luminosität am LHC in der dritten Upgrade-Phase um den Faktor fünf gesteigert. Die damit verbundene Steigerung der Wechselwirkungsrate bedingt für den CMS-Spurdetektor strahlungshärtere Sensoren. Um das geeignetste Material zu finden, wurde die HPK-Kampagne gestartet. Ziel der Kampagne ist es, die auf dem Markt verfügbaren Siliziumsubstrate und Prozesstechnologien auf ihre Eignung zu überprüfen. In der vorliegenden Arbeit wurden aus der HPK-Kampagne die sogenannten MPix-Sensoren untersucht. Dafür wurde zunächst eine Probestation in Betrieb genommen und die Steuerungssoftware programmiert. Zusätzlich wurden neuartige Auswertungsmethoden entwickelt und eine Datenbank eingerichtet. Zur Untersuchung der Änderung der Sensoreigenschaften durch Bestrahlung wurden die MPix-Sensoren zunächst vor der Bestrahlung charakterisiert und die Ergebnisse anschließend mit den Ergebnissen nach Bestrahlung verglichen. Der Untersuchungsfokus lag auf dem Einfluss des Sensorsubstrats, der Produktionstechnologie und der Bias-Strukturen und der Strahlenhärte. Durch Bestrahlung degenerierten die Sensortypen unterschiedlich stark. Der Anstieg des Stromes durch Bestrahlung ist kleiner für Sensoren aus Magnetic-Czochralski-Silizium verglichen mit Sensoren aus Float-Zone-Silizium. Für Sensoren aus Float-Zone-Silizium ist der Stromanstieg schwächer für 200 µm dicke Sensoren verglichen mit 320 µm dicken Sensoren. Bias-Strukturen aus Polysilizium und Punch-Through-Struktur werden durch die Bestrahlung geschädigt. Bei Strukturen aus Polysilizium steigt der Widerstand durch Bestrahlung um etwa 50% und bei der Punch-Through-Struktur steigt die Punch-Through-Spannung um den Faktor zwei. N2 - The further increase of the luminosity of the Large Hadron Collider (LHC) at CERN requires new sensors for the tracking detector of the Compact Muon Solenoid (CMS) experiment. These sensors must be more radiation hard and of a finer granularity to lower the occupancy. In addition the new sensor modules must have a lower material budget and have to be self triggering. Sensor prototypes, the so called “MPix”-sensors, produced on different materials were investigated for their radiation hardness. These sensors were fully characterized before and after irradiation. Of particular interest was the comparison of different bias methods, different materials and the influence of various geometries. The degeneration rate differs for the different sensor materials. The increase of the dark current of Float-Zone-Silicon is stronger for thicker sensors and less than for Magnetic-Czochralski-Silicon sensors. Both tested bias structures are damaged by the irradiation. The poly silicon resistance increases after irradiation by fifty percent. The Punch-Through-Structure is more effected by irradiation. The punch-through voltage increase by a factor of two. Due to the higher pixel current, the working point of the sensor is shifted to smaller differential resistances. KW - Multipixelsensoren KW - Strahlenhärte KW - CMS KW - HPK-Kampagne KW - Spurdetektor KW - Compact Muon Solenoid KW - HPK campaign KW - Multi-pixel sensors KW - Tracker KW - Radiation hardness KW - CMS-Detektor KW - Sensor KW - Spurdetektor KW - Strahlenresistenz Y1 - 2015 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-36359 ER -