<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<export-example>
  <doc>
    <id>450</id>
    <completedYear>2007</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>eng</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2008-11-28</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2007-11-14</thesisDateAccepted>
    <title language="eng">Electro-optical properties of dislocations in silicon and their possible application for light emitters</title>
    <title language="deu">Elektro-optischen Eigenschaften von Versetzungen in Silizium und deren mögliche Anwendung für Licht-Emitter</title>
    <abstract language="eng">This thesis addresses the electro-optical properties of silicon, containing dislocations. The interest in those properties is driven mainly by two practical reasons. One is the optical characterisation of multicrystalline silicon for solar cells, and the other is the design of light emitting diodes based on silicon by enhancement of silicon radiative properties via introduction of dislocations. The work demonstrates that dislocation specific radiation may provide a means for optical diagnostics of solar cell grade silicon. It provides insight into the mechanisms governing the dislocation recombination activity, their radiation, and how are they influenced by other defects present in silicon. We demonstrate that photoluminescence mapping is useful for monitoring the recombination activity in solar cell grade silicon and can be applied for identification of contaminants, based on their photoluminescence signatures. It is shown that the recombination at dislocations is strongly influenced by the presence of metals at the dislocation sites. The dislocation radiation activity correlates with their electrical activity. Thus, photoluminescence mapping at room temperature may provide a means for revealing and characterising of dislocation-rich regions in multicrystalline silicon. It is shown that the dislocation and band-to-band luminescence are essentially anti-correlated. The band-to-band intensity being related to the diffusion length of minority carriers can be used for measurements of diffusion length, as long as the surface recombination rate is controlled. Moreover, photoluminescence mapping can be used for the detection of optically active defects in solar grade materials. Thus, betaFeSi2 precipitates, with a luminescence at 0.8 eV, were detected within the grains of block cast materials. They exhibit a characteristic feature of quantum dots, namely blinking. The second aspect of the thesis concerns the topic of silicon based light emitters for on-chip optical interconnects. The goal is an enhancement of sub-band-gap or band-to-band radiation by controlled formation of dislocation-rich areas in microelectronics-grade silicon as well as understanding of the processes governing such enhancement. For light emitters based on band-to-band emission it is shown, that internal quantum efficiency of nearly 2 % can be achieved, but the emission is essentially generated in the bulk of the wafer. On the other hand, light emitters utilizing the emission from dislocation-rich areas of a well localized wafer depth were explored. Three different methods for reproducible formation of a dislocation-rich region beneath the wafer surface were investigated and evaluated in view of their room temperature sub-band-gap radiation: (1) silicon implantation and annealing, (2) epitaxially grown SiGe buffer, and (3) direct wafer bonding. The most promising dislocation-based emitter appears the utilization of a dislocation network produced by wafer bonding. It is shown, that monochromatic D1 radiation (wavelength 1.5 µm) can be generated in a well localised depth of the wafer. The radiation is not absorbed in silicon and such localized emitter can, potentially, be coupled with silicon waveguides and Ge-based detectors for optical interconnects.</abstract>
    <abstract language="deu">Diese Dissertation befasst sich mit den elektro-optischen Eigenschaften von Silizium mit Versetzungen. Das Interesse an den Versetzungseigenschaften beruht vor allem auf zwei praktischen Gründen: Die versetzungsspezifische Lumineszenz erlaubt einerseits optische Charakterisierung von multikristallinen Silizium für Solarzellen und anderseits die Entwicklung einer Silizium-basierten Leuchtdiode. Die Arbeit untersucht zunächst den Einsatz der Versetzungs-spezifische Lumineszenz für die optische Diagnostik von multikristallinen (Versetzungsreichen) Silizium für Solarzellen. Sie liefert Erkenntnisse über die Mechanismen für die versetzungsbedingte Rekombination, Versetzungsstrahlung, und darüber, wie diese durch andere Defekte im Silizium beeinflusst werden. Es wird gezeigt, dass Photolumineszenz-Mapping anwendbar ist für eine großflächige Analyse der Rekombination in Solarzellen-Silizium und für die Identifizierung von Verunreinigungen angewendet werden kann. Es wird gezeigt, dass metallische Verunreinigungen starken Einfluss auf die Rekombination im Bereich der Versetzungen haben und dass die Strahlungsaktivität mit ihrer elektrischen Aktivität korreliert. Versetzungs- und Band-Band-Lumineszenz sind im Wesentlichen antikorrelieret. Die Band-Band-Intensität ist abhängig von der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger. Daher kann Band-Band Strahlung als Maß für die Diffusionslänge benutzt werden, sofern die Oberflächenrekombination bekannt ist. Darüber hinaus kann Photolumineszenz-Mapping auch für den Nachweis von optisch aktiven Defekten in Solarzellen-Silizium verwendet werden. So wurden betaFeSi2 Ausscheidungen, mit einer Strahlungsenergie von 0,8 eV, innerhalb der Körner von Blockguss Silizium nachgewiesen. Sie zeigen ein charakteristisches Merkmal von Quantenpunkten, das sogenannte Blinken. Der zweite Aspekt der Forschung steht im Zusammenhang mit der Suche nach Silizium-basierten Licht-Emittern für On-Chip optische Interconnects. Das Ziel ist, durch kontrollierte Bildung von versetzungsreichen Gebieten in der Silizium Wafer eine Erhöhung des Sub-Bandgap oder Band-Band-Strahlung zu erreichen und die Prozesse, welche für eine solche Erhöhung verantwortlich sind zu verstehen. Es wird gezeigt, dass Band-Band Licht-Emittern eine interne Quanten-Effizienz von fast 2% erreichen können, aber die Emission entsteht im Wesentlichen im gesamten Volumen des Wafers. Licht Emitter, welche die Emission von versetzungsreichen Gebieten ausnutzen, können dagegen in einer definierten Tiefenschicht eingeschränkt werden. Drei verschiedene Methoden zur reproduzierbaren Bildung der versetzungsreiche Regionen unterhalb der Wafer-Oberfläche wurden untersucht und im Hinblick auf ihre Raumtemperatur Sub-Bandgap-Strahlung bewertet: (1) Silizium-Implantation und Ausheilen, (2) epitaktisch gewachsene SiGe-Puffer, und (3) direktes Wafer-Bonding. Wafer-Bonding erscheint am besten geeignet für versetzungsbasierte Lichtemitter. Es wird gezeigt, dass monochromatische D1-Strahlung (Wellenlänge 1,5 mm) erzeugt werden kann in einer gut lokalisierten Tiefe der Wafer. Die Strahlung wird nicht in Silizium absorbiert und solche lokalisierten Emitter sind möglicherweise geeignet für die Kopplung mit einem Silizium-Wellenleiter und Ge-Detektor für eine optische Interconnects.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-5837</identifier>
    <identifier type="opus3-id">583</identifier>
    <author>Tzanimir Vladimirov Arguirov</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Silicium</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Versetzung &lt;Kristallographie&gt;</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Lumineszenz</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Lumineszenz</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Versetzungen</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Silizium</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Luminescence</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Dislocations</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Silicon</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/450/Arguirov.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>2803</id>
    <completedYear>2013</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>deu</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2013-09-17</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2013-06-14</thesisDateAccepted>
    <title language="deu">Aluminiumnitrid-Volumenkristallzüchtung mittels physikalischen Gasphasentransports</title>
    <title language="eng">Bulk aluminum nitride growth by physical vapour transport</title>
    <abstract language="deu">In der Promotionsarbeit wurde ein Züchtungsverfahren zur Herstellung strukturell hochqualitativer AlN-Volumenkristalle mittels PVT-Methode entwickelt. Wesentliche Grundvoraussetzungen dafür sind ein thermisch und chemisch stabiles Tiegelmaterial, ein AlN-Quellmaterial mit Sauerstoffverunreinigungen &lt;300 ppm und AlN-Keime mit hoher kristalliner Perfektion. Unter den getesteten potenziellen Tiegelmaterialien (BN, TaC, TaN, NbC, NbN, TaB2, W) zeigten sich TaC und mit Abstrichen W unter AlN-Züchtungsbedingungen ausreichend stabil und wurden für die Wachstumsversuche verwendet. Zur effektiven Reduzierung der Sauerstoffverunreinigungen im AlN-Quellmaterial wurde ein karbothermischer Reduktionsprozess entwickelt, welcher eine Restsauerstoffkonzentration im Quellmaterial von &lt;300 ppm gewährleistet. AlN-Keime für die Homoepitaxie von AlN-Volumenkristallen wurden durch heteroepitaktisches Wachstum auf SiC-Substraten und über spontane Nukleation freistehender AlN-Kristalle hergestellt. Beim heteroepitaktischen Wachstum auf SiC zeigte sich eine starke Abhängigkeit von der Substratpolarität. Wachstum auf C-polarem SiC ist mit geringeren Ätzgrubendichten von 5*10^4 - 10^6 cm^(-2) gegenüber Si-polarem Wachstum mit Ätzgrubensdichten von 5*10^6 - 10^7 cm^(-2) gekennzeichnet. Für beide Substratpolaritäten wurden Modelle des Anwachsstadiums entwickelt. AlN-Kristalle mit bis zu 35 mm im Durchmesser wurden gezüchtet. Die hohe Rissneigung aufgrund von Abkühlspannungen und Si-Konzentrationen von mehreren Prozent im gewachsenen AlN-Kristall vermindern aber die Kristallqualität erheblich. Eine sehr hohe kristalline Perfektion kann hingegen durch spontane Nukleation freistehender AlN-Kristalle auf einer Zwischenebene in der Tiegelmitte gewährleistet werden. Bei Nukleationstemperaturen von 2200 °C wurden isometrische Kristalle mit 12*12*14 mm^3 gezüchtet. Die Kristalle weisen eine zonare Struktur auf, welche durch einen in [000-1]-Richtung gewachsenen Kernbereich mit Versetzungsdichten &lt;10^2 cm^(-2) und einem senkrecht um den Kernbereich gewachsenen Randbereich mit Versetzungsdichten von 10^2 - 10^4 cm^(-2) gekennzeichnet ist. Strukturell hochqualitative (000-1)-Keime wurden aus spontan nukleierten isometrisch gewachsenen AlN-Kristallen präpariert und für die homoepitaktische Volumenkristallzüchtung verwendet. Unter Zuhilfenahme numerischer Temperaturfeldsimulationen wurde ein angepasster Keimhalter entwickelt, welcher ein leicht konvexes Temperaturfeld am Keim gewährleistet und Parasitärwachstum unterdrückt. Somit konnten AlN-Volumenkristalle homoepitaktisch gezüchtet werden, welche eine Durchmesservergrößerung unter Beibehaltung der hohen strukturellen Qualität der Keimkristalle zeigen. Dieses Verfahren bietet die Grundlage, durch die Züchtung mehrerer Kristallgenerationen eine Durchmesseraufweitung auf industriell relevante Größen von 1-2" zu erreichen.</abstract>
    <abstract language="eng">Within the frame of the dissertation a growth process based on the PVT method was developed in order to ensure the fabrication of bulk AlN crystals with high structural quality. Essential prerequisites are a thermal and chemical stable crucible material, an AlN source material with oxygen concentrations &lt;300 ppm and AlN seeds with high crystalline perfection. Among the tested potential crucible materials (BN, TaC, TaN, NbC, NbN, TaB2, W), only TaC and to a lesser extend W are stable under AlN growth conditions and were used in the further growth experiments. A carbothermic reduction process was developed in order to decrease the oxygen impurity content in the AlN source material effectively. The residual oxygen concentrations were &lt;300 ppm. AlN seed crystals for the use in homoepitaxial bulk growth runs were produced by heteroepitaxial growth on SiC substrates and by spontaneously nucleated freestanding AlN crystals. The structural quality of the heteroepitaxially grown AlN templates strongly depends on the SiC polarity. The growth of C polar and Si polar SiC results in etch pit densities in the grown AlN in the range of 5*10^4 -10^6 cm^(-2) and 5*10^6 -10^7 cm^(-2), respectively. For both substrate polarities models of the initial growth stages were developed. AlN crystals with up to 35 mm in diameter were grown, but the tendency to cracking and the high Si concentrations (several percent) reduce the crystal quality. However, a very high structural perfection can be obtained by spontaneously nucleated and freestanding grown AlN crystals. At nucleation temperatures of 2200 °C isometric crystals with up to 12*12*14 mm^3 could be grown. The crystals exhibit a zonar structure which is characterized by a core area and an edge region. The core area is grown in the [000-1] direction and reveals dislocation densities &lt;10^2 cm^(-2). The edge region is grown perpendicular to the core area. The dislocation densities are here between 10^2 and 10^4 cm^(-2). (000-1) seeds with high structural perfection were prepared from spontaneously nucleated isometric AlN crystals and used for homoepitaxial growth experiments. With support of numerical simulations of the thermal field an adapted seed holder was developed which ensure a slightly convex-shaped thermal field at the seed and suppress the parasitic growth around the grown single crystal. Thus, bulk AlN crystals could be homoepitaxially grown with smooth expansion of the crystal diameter while maintaining the high structural quality of the seed crystals. This procedure provides the basis to achieve industrial relevant sizes of 1-2" in future by subsequent homoepitaxial growth runs.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-28992</identifier>
    <identifier type="opus3-id">2899</identifier>
    <author>Carsten Hartmann</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Transport</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Gasphase</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Kristallwachstum</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Gasphasenzüchtung</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Volumenkristallzüchtung</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Nitrid-Halbleiter</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Substrat</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Vapour growth</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Bulk growth</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Nitride semiconductor</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Substrate</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/2803/Promotion_Hartmann.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>4286</id>
    <completedYear>2017</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>eng</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2017-09-03</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2017-04-06</thesisDateAccepted>
    <title language="eng">Development of a novel diamond based detector for machine induced background and luminosity measurements</title>
    <title language="deu">Entwicklung eines neuen diamantbasierten Detektors für Messungen von maschineninduziertem Hintergrund und Luminosität</title>
    <abstract language="eng">The LHC is the largest particle accelerator and storage ring in the world, used to investigate fundamentals of particle physics and to develop at the same time the technology of accelerators and detectors. Four main experiments (ATLAS, ALICE, CMS and LHCb) , located around the LHC ring, provide insight into the nature of particles and search for answers to as yet unexplained phenomena in the universe. Two proton or heavy ion beams circulate in the LHC and are brought into collision in the four experiments.&#13;
The physics potential of each experiment is determined by the luminosity, which is a ratio of the number of the events during a certain time period to the cross section of a physics process. A measurement of the luminosity is therefore essential to determine the cross section of interesting physics processes.&#13;
In addition, safe and high-quality data-taking requires stable beam conditions with almost no beam losses. Each experiment has its own detectors to measure beam losses, hereafter called machine induced background. One such detector is installed in CMS, BCM1F. Based on diamond sensors it was designed and built to measure both, the luminosity and the machine induced background. BCM1F ran smoothly during the first LHC running period from 2009-2012 and delivered valuable beam loss and luminosity information to the control rooms of CMS and LHC. At the end of 2012 the LHC was shut down to improve the performance by increasing the proton energy to 7TeV and decreasing the proton bunch spacing to 25ns. Due to the success of BCM1F an upgrade of its sensors and readout components was planned in order to fulfil the new requirements.&#13;
The upgrade of the sensors comprises a two pad instead of one pad metallization. 24 instead of the previous 8 single crystal diamond sensors were foreseen for the new BCM1F to enhance the robustness and redundancy. To instrument BCM1F, 59 sensors were electrically characterized by measuring the leakage current, signal stability and charge collection efficiency. Quality criteria were defined to select sensors for the final installation. An overview of these measurements including a summary of the results is given in this thesis.  In addition, an upgraded amplifier was developed within the collaboration in 130nm CMOS technology. It has a peaking time of 7ns instead of the 22ns of the one previously installed. A BCM1F prototype comprising a two pad sensor and the upgraded amplifier was tested at the DESY-II accelerator in a 5GeV electron beam. Results of these test-beam measurements are presented in this thesis as well as simulations to interpret the measurements.&#13;
The installation of the upgraded BCM1F was completed in 2014. In 2015 BCM1F was commissioned and  started to measure luminosity and machine induced background. At the end, the thesis will describe both types of measurements with the focus on machine induced background demonstrating the functionality of BCM1F.</abstract>
    <abstract language="deu">Der LHC ist der größten Teilchenbeschleuniger und -speicherring der Welt. Er wurde gebaut, um Teilchenphysik bei höheren Energien zu erforschen bei gleichzeitiger Entwicklung der Beschleuniger- und Detektorphysik. &#13;
Vier große Experimente (ATLAS, ALICE, CMS, LHCb) befinden sich am LHC, welche einen Einblick in die grundlegenden Strukturen des Universums und der Teilchenphysik geben. Zwei Protonen- oder Schwerionenstrahlen kreisen im LHC und werden in den vier Experimenten zur Kollision gebracht.&#13;
Das Physikpotential in den jeweiligen Experimenten wird durch die Luminosität bestimmt. Die Luminosität ist das Verhältnis der Zahl der Ereignisse während einer bestimmten Zeiteinheit zum Wirkungsquerschnitt eines physikalischen Prozesses. Die Messung der Luminosität ist daher notwendig, um die Wirkungsquerschnitte interessanter Prozesse zu messen. Eine sichere und hochwertige Datennahmen benötigt stabile Strahlbedingungen, möglichst ohne Strahlverluste.&#13;
Jedes Experiment hat seine Strahlverlustmonitore. Einer dieser Detektoren im CMS ist der BCM1F, welcher Diamantsensoren verwendet.  &#13;
BCM1F ist in der ersten LHC Laufzeit von 2009-2012 problemlos gelaufen und lieferte wertvolle Strahlverlust- und Luminositätsinformationen zum CMS- und LHC-Kontrollraum. Ende 2012 beendete der LHC seinen Betrieb für das Upgrade auf 7TeV und der Reduzierung des Abstandes der Protonenpakete 25ns. Um diese neuen Anforderungen zu erfüllen, wurde ein Upgrade der BCM1F Sensoren und Ausleseelektronik durchgeführt.&#13;
Auf die Oberfläche der Sensoren wurden zwei Metallelektroden, genannt Pads, aufgebracht, um die Zählrate zu halbieren. Die Robustheit und Redundanz von BCM1F wurde gesteigert, indem die Anzahl der Sensoren von 8 auf 24 erhöht wurde. Insgesamt wurden 59 Sensoren elektrisch charakterisiert, was Messungen von Leckstrom, Signalstabilität und Ladungssammlungseffizienz beinhaltet. Qualitätskriterien für die Auswahl von Sensoren wurden definiert. Ein Überblick dieser Messungen wird mit einer Zusammenfassung der Resultate in dieser Arbeit gegeben. &#13;
Zusätzlich wird ein verbesserter Verstärker in 130nm CMOS Technologie und einer Anstiegszeit der Ausgangsspannung (proportional zur Eingangsspannung) von 7ns, statt der vorherigen 22ns, zur Signalauslese verwendet. Ein BCM1F Prototyp mit Zweikanalauslese und dem verbesserten Verstärker wurde am DESY-II Beschleuniger bei einem Elektronenstrahl von 5GeV Elektronen getestet. Resultate dieses Testes werden in dieser Arbeit gezeigt und mit Simulationen verglichen. &#13;
Die Installation des neuen BCM1F Systems fand 2014 statt und 2015 startete BCM1F seine Messungen der Luminosität und der Rate von Teilchen des Strahlhintergrundes, der im Beschleuniger anfällt. Am Ende wird diese Arbeit Resultate der Messungen zeigen, sich dabei aber auf den maschinen-induzierten Hintergrund konzentrieren und dabei die sichere Funktionsweise von BCM1F demonstrieren.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-42865</identifier>
    <licence>Keine Lizenz vergeben. Es gilt das deutsche Urheberrecht.</licence>
    <author>Maria Hempel</author>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>BCM1F</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Diamond</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Sensor</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Beam loss</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>CMS</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>BCM1F</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Diamant</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Sensor</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Stahlverlust</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>CMS</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>LHC</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Luminosität &lt;Elementarteilchenphysik&gt;</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Strahlungsdetektor</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="539">Moderne Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/4286/Dissertation_Maria_Hempel.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>60</id>
    <completedYear>2003</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>deu</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2007-03-02</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2003-07-22</thesisDateAccepted>
    <title language="deu">Partikelemission bei der Ablation dielektrischer Materialien mit ultrakurzen Laserpulsen</title>
    <abstract language="deu">Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, einen Beitrag zum Verständnis mikroskopischer Prozesse zu leisten welche an der Laser-Ablation dielektrischer Kristalle mit ultrakurzen Laserpulsen beteiligt sind. Die von den Targets emittierten elektrisch geladenen Partikel werden mit einem Flugzeitmassenspektrometer nachgewiesen, und die resultierende Morphologie der Targetoberfläche wird ex-situ mit Methoden der optischen Mikroskopie bzw. der Raster-Elektronenmikroskopie charakterisiert. Die Absorption der Laserstrahlung führt zu Multiphotonen-Ionisationsprozessen, so dass es zu einer Coulomb-Explosion der Oberfläche kommt. Bei hohen Laserintensitäten gibt es außerdem thermische Beiträge zu Ablation (Phasen-Explosion). Für die resonante Unterstützung der Photoelektronenemission sind materialabhängige Oberflächenzustände (z. Bsp. F-Zentren) wichtig. An BaF2 (111) Oberflächen wird ein „Layer-by-Layer“ Abtrag beobachtet. Die Partikelemission hinterlässt eine instabile Oberfläche, deshalb kann es im Ablationskrater zur Ausbreitung von Oberflächenwellen und der Bildung von Ripples durch selbst-organisierte Prozesse kommen.</abstract>
    <abstract language="eng">The purpose of this thesis is an improved mechanistic understanding for the phenomenon of ultra short laser pulse ablation from dielectric crystals. From the target emitted charged particles are analyzed by time-of-flight mass spectroscopy techniques and, upon laser irradiation, the resulting surface morphology is ex-situ characterized by optical and electron microscopy. The ablation is based on Coulomb explosion upon multiphoton surface ionisation and may be accompanied by thermal ablation processes (i.e. Phase-Explosion). Material dependent surface states, for example F-centres, were identified as important for a resonant enhancement of the photo­electron emission. A “layer-by-layer” material removal is observable at BaF2 (111) surfaces. The particle emission leaves behind a highly instable surface. Therefore, surface waves may spread within the crater and ripples are created by self-organized processes.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-000000371</identifier>
    <identifier type="opus3-id">73</identifier>
    <author>Matthias Henyk</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Ionenkristall</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Laserablation</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Laserimpuls</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Femtosekundenbereich</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Flugzeitmassenspektrometrie</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Laser</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Ablation</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Dielektrisches Kristall</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Laserpuls</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/60/diss_henyk.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>1388</id>
    <completedYear>2009</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>eng</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2010-02-25</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2010-02-02</thesisDateAccepted>
    <title language="eng">Investigations of the physics potential and detector development for the ILC</title>
    <title language="deu">Untersuchungen zum Physikpotential und zur Detektorentwicklung für den ILC</title>
    <abstract language="eng">The International Linear Collider offers a lot of different interesting challenges concerning the physics of elementary particles as well as the development of accelerator and detector technologies. In this thesis, we investigate two rather separate topics - the precision measurement of the Higgs boson mass and of its coupling to the neutral gauge boson Z and the research and development of sensors for BeamCal, which is a sub-detector system of the ILC detector. After the Higgs boson has been found, it is important to determine its properties with high precision. We employ the Higgs-strahlung process for this purpose. A virtual Z boson is created in the electron-positron collisions, which emits a Higgs-boson while becoming on-shell. Using the so-called recoil technique, we determine the Higgs boson mass by reconstructing the Z boson momentum and using the center-of-mass energy of the colliding leptons. This technique allows to measure the Higgs boson mass without considering the Higgs boson decay, i.e. it can be applied even to a Higgs boson invisibly decaying. Monte-Carlo studies including a full detector simulation and a full event reconstruction were performed to simulate the impact of a realistic detector model on the precision of the Higgs boson mass and production cross-section measurement. Also, an analytical estimate of the influence of a given detector performance on the Higgs boson mass measurement uncertainty is given. We included a complete sample of background events predicted by the Standard Model, which may have a detector response similar to the signal events. A probabilistic method is used for the signal-background separation. Several other probabilistic methods were used to investigate and improve the measurement of the Higgs-strahlung cross-section and the Higgs boson mass from the recoil mass spectrum obtained after the signal-background separation. For a Higgs boson mass of 120 GeV, a center-of-mass energy of 250 GeV and an integrated luminosity of 50/fb, a relative uncertainty of 10% is obtained for the cross-section measurement, and a precision of 118 MeV for the Higgs boson mass. The original motivation to use the recoil technique for a Higgs boson mass measurement independent on its decay modes could not be completely confirmed. For a Higgs boson mass of 180 GeV and 350 GeV, a statistics corresponding to 50/fb is not sufficient to achieve the necessary significance of the recoil mass peak above the background. The BeamCal is a calorimeter in the very forward region, about 3 m away from the nominal interaction point and surrounding the beam pipe. Due to its location, a lot of beamstrahlung pair particles will hit this calorimeter, representing a challenge for the operational reliability of the sensors under such harsh radiation conditions. We investigated single-crystal and polycrystalline CVD diamond, gallium arsenide and radiation-hard silicon as sensor candidates for their radiation hardness and found that diamond and gallium arsenide are promising. We used a 10 MeV electron beam of few nA to irradiate the samples under investigation up to doses of 5 MGy for diamond, up to about 1.5 MGy for gallium arsenide and up to about 90 kGy for silicon. We measured in regular periods the CCD to characterize the impact of the absorbed dose on the size of the signal, which is generated by electrons of a Sr-90 source crossing the sensor. Additional measurements such as the dark current and the CCD as functions of the voltage completed the characterization of the sensor candidates. For the single-crystal CVD diamond, also the thermally stimulated current was measured to determine amongst others the defect density created by irradiation. In the diamond samples, evidence for strong polarization effects inside the material was found and investigated in more detail. A phenomenological model based on semi-conductor physics was developed to describe the sensor properties as a function of the applied electric field, the dose and the dose rate. Its predictions were compared with the results of the measurements. Several parameters such as time scales and cross-sections were determined using this model, which led to ongoing investigations.</abstract>
    <abstract language="deu">Der Internationale Linear Collider (ILC) bietet eine Vielfalt an interessanten Herausforderungen für die Elementarteilchenphysik, die Beschleuniger- und die Detektortechnologie. In der vorliegenden Arbeit untersuchen wir je ein Kernthema aus der Physik und der Detektortechnologie - zum einen die Präzisionsmessung der Higgs-Bosonenmasse und der Kopplung des Higgs-Bosons an das neutrale schwere Eichboson, Z, und zum anderen die Untersuchung und Entwicklung von Sensoren für BeamCal, einem Teildetektorsystem des ILC-Detektors. Das Higgs-Boson ist ein bisher nicht entdecktes fundamentales Teilchen, welches vom elektroschwachen Standardmodell vorhergesagt wird. Sehr wahrscheinlich wird es am LHC gefunden. Danach ist es wichtig, seine Eigenschaften mit hoher Präzision zu bestimmen. Wir benutzen dafür den Higgs-Strahlungsprozess. Ein virtuelles Z-Boson wird in einer Elektron-Positron-Kollision erzeugt, welches ein Higgs-Boson emittiert und dabei auf die Massenschale übergeht. Mit Hilfe der sogenannten Rückstosstechnik bestimmen wir die Higgs-Bosonmasse durch Rekonstruktion des Impules des Z-Bosons und mittels der Schwerpunktsenergie der kollidierenden Leptonen. Diese Technik erlaubt es, die Higgs-Bosonmasse und die Kopplung an das Z-Boson zu messen ohne die Higgs-Zerfallsmoden zu betrachten, d.h. sie kann auch angewendet werden, wenn das Higgs-Boson in nicht detektierbare Teilchen zerfällt. Monte-Carlo Studien, die eine volle Detektorsimulation und eine volle Ereignisrekonstruktion enthalten, wurden durchgeführt, um den Einfluss eines realistischen Detektormodells auf die Präzision der Messgrößen abzuschätzen. Dazu wird analytisch sowie numerisch die Auswirkung der Impulsmessungspräzision auf die Messung der Higgs-Bosonmasse bestimmt. Wir fügten eine vollständige Menge an Hintergrundereignissen hinzu, wie sie vom Standardmodell vorausgesagt werden und welche eine Signatur im Detektor aufweisen, die der der Signalereignisse sehr ähnlich ist. Für die Unterscheidung von Signal- und Hintergrundereignissen wurde eine wahrscheinlichkeitsbasierte Methode benutzt. Weitere wahrscheinlichkeitstheoretische Methoden wurden verwendet, um die Messung des Higgs-Strahlungsprozesses und der Higgs-Bosonmasse aus dem Rückstossmassenspektrum nach der Signal-Hintergrund-Trennung zu untersuchen und zu verbessern. Für eine Higgs-Bosonmasse von 120 GeV, eine Schwerpunktenergie von 250 GeV und eine integrierte Luminosität von 50/fb wurde eine relative Unsicherheit von 10% für die Streuqueschnittmessung und eine Unsicherheit von 118 MeV für die Messung der Higgs-Bosonmasse erhalten. Die ursprüngliche Motivation für die Verwendung der Rückstosstechnik war die Bestimmung der Higgs-Bosonmasse unabhängig von seinen Zerfallskanälen. Diese Unabhängigkeit kann nicht vollständig bestätigt werden. Für eine Higgs-Bosonmasse von 180 GeV und für 350 GeV ist die notwendige Anzahl von Ereignissen bei 50/fb nicht ausreichend, um ein signifikantes Signal über dem Hintergrund zu erhalten. Das BeamCal ist ein Kalorimeter in der Vorwärtsregion des ILC-Detektors, etwa 3 m vom nominalen Wechselwirkungspunkt entfernt, und umgibt das Strahlrohr. Durch seine Position wird es einer großen Anzahl von Elektron-Positron-Paaren aus der Beamstrahlung ausgesetzt sein, was eine enorme Herausforderung f\"ur die Funktionstüchtigkeit und Zuverlässigkeit der Sensoren bei exterm hoher Strahlendosis bzw. -dosisrate darstellt. Wir untersuchten ein- und polykristalline CVD Diamant-, Galliumarsenid- und strahlenharte Siliziumsensormatrialen auf ihre Strahlenhärte und fanden vielversprechende Ergebnisse für Diamant und Galliumarsenid. Wir benutzten einen 10 MeV Elektronenstrahl von einigen nA, um die zu untersuchenden Sensorproben bis zu Dosen von 5 MGy für Diamant, bis etwa 1,5 MGy für Galliumarsenid und bis zu 90 kGy für Silizium zu bestrahlen. In regelmäßigen Abständen wurde die CCD mit relativistischen Elektronen aus einer Sr-90-Quelle gemessen, um den Einfluss der vom Sensor absorbierten Dosis auf die Größe des MIP-Signals zu bestimmen. Zusätzliche Messungen u.a. des Dunkelstromes und der CCD als Funktionen der angelegten Spannung vervollständigen die Charakterisierung der Sensormaterialkandidaten. Für den einkristallinen CVD Diamanten wurde auch der thermisch stimulierte Strom gemessen zur Bestimmung u.a. der Dichte der Defekte, die durch die Bestrahlung erzeugt wurden. Es wurden Hinweise auf starke Polarisationseffekte in den Diamantproben gefunden und detailierter untersucht. Um die Sensoreigenschaften als Funktion des angelegten elektrischen Feldes, der Dosis und der Dosisrate zu beschreiben, wurde ein phänomenologisches Modell entwickelt. Die Voraussagen dieses Modells wurden mit den Ergebnissen der Messungen verglichen und mehrere Parameter wie etwa Zeitkonstanten und Streuquerschnitte wurden mit Hilfe dieses Modells bestimmt. Das durch dieses Modell gewonnene Verständnis induzierte weiterführende Untersuchungen.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-14409</identifier>
    <identifier type="opus3-id">1440</identifier>
    <author>Martin Ohlerich</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Detektor</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Speicherring</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Higgs-Teilchen</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Higgs-Bosonmasse</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Detektor</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Detektorentwicklung</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>ILC</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Higgs boson mass</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Detector development</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>ILC</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/1388/PhD_Ohlerich.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>425</id>
    <completedYear>2008</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>deu</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2008-08-26</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2008-06-24</thesisDateAccepted>
    <title language="deu">Parasitäre Wärmeflüsse und Verunreinigungen in Reinstmetall-Fixpunktzellen der Internationalen Temperaturskala</title>
    <title language="eng">Parasitic heat flows and impurities in ultra-pure-metal fixed-point cells of the international temperature scale</title>
    <abstract language="deu">Die internationale Temperaturskala von 1990 wird im Bereich von -38,8344°C bis 961,78°C neben dem Wasser- und dem Quecksilber-Tripelpunkt durch Schmelz- und Erstarrungstemperaturen von Reinstmetallen definiert. Die Unsicherheiten bei der Darstellung und Weitergabe der Basiseinheit Kelvin des Internationalen Einheitensystems in diesem Bereich (und somit auch der Einheit Grad Celsius und aller abgeleiteten Einheiten) werden dominiert von den Unsicherheiten der Realisierung dieser Fixpunkte und diese wiederum von einem Beitrag, der vom Einfluss in den Metallen gelöster Verunreinigungen herrührt und bis jetzt nur pauschal abgeschätzt wurde. Zwar wird versucht, noch reineres Fixpunktmetall zu verwenden, aber wesentliche Verbesserungen bezüglich der Reproduzierbarkeit der Fixpunkttemperaturen können nur durch eine Korrektion dieser Beiträge erreicht werden. Voraussetzungen für diese Korrektion sind nicht nur eine chemische Spurenanalyse der Fixpunktmetalle mit Unsicherheiten und Detektionsgrenzen am aktuellen technischen Limit, sondern auch die Kenntnis der Auswirkungen jeder einzelnen Verunreinigung auf die Fixpunkttemperatur. Diese Abhängigkeit der Phasenübergangstemperatur von der Konzentration der jeweiligen Verunreinigung wird auf Grund fehlender Kenntnisse im Bereich kleinster Konzentrationen von 10^-9 bis 10^-5 (mol/mol) experimentell durch gezielte Dotierung der Fixpunktmetalle bestimmt. Um die dargestellten Probleme grundlegend zu lösen, wurden im Rahmen dieser Arbeit zwei verschiedene Fixpunktzelldesigns entwickelt. Beide erlauben eine Messung und Kontrolle des Drucks der Gasatmosphäre und sind außerdem wiederverschließbar, wodurch sie eine chemische Analyse des Fixpunktmaterials ermöglichen, das sich in der Zusammensetzung wesentlich von dem unterscheiden kann, mit dem die Zelle befüllt worden ist. Während der eine Zelltyp für Kalibrierzwecke konstruiert worden ist und den herkömmlichen Zellen ähnelt, wurde der zweite Typ auf die Verwendung von deutlich weniger Fixpunktmetall hin optimiert, so dass er sich unter anderem gut für die erwähnten Dotierungsexperimente eignet. Zunächst allerdings bringen die Veränderungen im Design gegenüber den üblichen Fixpunktzellen unvermeidlich eine Vergrößerung unerwünschter parasitärer Wärmeflüsse mit sich, welche als sogenannte thermische Effekte die gemessene Fixpunkttemperatur verfälschen. Diese fallen bei der angestrebten Verwendung von höchstreinem Fixpunktmetall relativ zu den anderen Einflussgrößen umso mehr ins Gewicht, deswegen wurde ihre Untersuchung zu einem weiteren Schwerpunkt der Arbeit. Dabei konnte ein Verfahren zur Quantifizierung und Korrektion und ein besseres Verständnis dieser Effekte entwickelt werden, welche für Metallfixpunktzellen jeder Bauart nützlich sind. Im Ergebnis liegen die Unsicherheiten bei den Messungen mit den verkleinerten Zellen unverändert im Bereich weniger hundert Mikrokelvin. Die Zellen eignen sich daher sehr gut, die Beeinflussung der Phasenübergangstemperatur der Metallfixpunkte durch die Dotierung mit anderen Elementen im Konzentrationsbereich von 10^-7 bis 10^-5 zu bestimmen. Bevor dies abschließend auch experimentell mit Untersuchungen an ausgewählten binären Systemen gezeigt wird, werden thermodynamische Berechnungen dargestellt, die erstmals eine Vielzahl von möglichen Verunreinigungen in den Fixpunktzellen ausschließen, so dass sich nicht nur die Anzahl zu untersuchender möglicher Verunreinigungen in den Fixpunkten erheblich reduziert, sondern auch die Anzahl zu berücksichtigender Beiträge bei der angestrebten Korrektion der Fixpunkttemperaturen. Alles in allem steht nun eine Methodik zur Verfügung, die Unsicherheit bei der Darstellung der internationalen Temperaturskala im industriell besonders wichtigen Bereich von -40°C bis 1000°C mindestens um den Faktor 3 zu reduzieren.</abstract>
    <abstract language="eng">The international temperature scale of 1990 in the range between -38.8344°C and 961.78°C is defined using the triple points of mercury and water and the melting and freezing temperatures of ultra-pure metals. The uncertainties of the realisation and dissemination of the base unit kelvin of the international system of units in this range (and thus also of the degree Celsius and all derived units) are dominated by the uncertainties of the realisation of the metal fixed-points. These uncertainties again, depend mostly on the amount of soluted impurities whose influence cannot be accounted for, but has been only estimated so far. Although purer fixed-point metal could reduce the contribution to the uncertainty budget, considerable reductions require a correction of the influence of the impurities. To do this, not only a very sophisticated chemical analysis of the fixed-point metal is necessary, but also detailed knowledge about the dependency of the fixed-point temperature of any soluted impurity in the fixed-point metal. As the knowledge of this dependence in the concentration range between 10^-9 and 10^-5 (mol/mol) is not sufficient, it has to be determined experimentally by doping fixed-points. To overcome all these problems, during the course of this work, two fixed-point cell designs were developed. Both of them allow to measure and control the gas pressure. Furthermore, they are resealable and by this means samples for a chemical analysis can be extracted, which is necessary for the mentioned correction because the composition of the fixed-point is very likely to change after the filling process of the cell. One of these two types of fixed-point cells is designed to suit the needs of a calibration process and is quite similar to standard cells. The other type is optimized for the doping experiments and uses much less fixed-point metal. In the first instance, the design changes are the reason for considerable increases of undesirable parasitic heat flows, raising deviations between the measured temperature of the fixed-point and that of the phase interface. As this is especially important when metals of the highest purity are used, investigations of these so-called thermal effects became a further main topic of this work. Consequently, a method to quantify and correct these effects was developed and can be used for any metal fixed-point cell. As a result, the uncertainty contribution of both cell types is as small as a few hundred microkelvin. Apparently the down-sized cells are very well suited to measure the changes of the fixed-point temperature when the cell is doped in the concentration range of 10^-7 to 10^-5. The results of investigations of some chosen binary systems are presented in this work. But before that, thermodynamical calculations will show that a couple of elements cannot be soluted impurities in metal fixed-point cells. Thereby the number of necessary doping experiments is reduced as well as the number of contributions to the targeted correction of the fixed-point temperature. To sum up, there is now a methodology to reduce the uncertainty of the international temperature scale in the most important range between -40°C and 1000°C by a factor of at least 3.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4639</identifier>
    <identifier type="opus3-id">463</identifier>
    <author>Martin Fahr</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Metall</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Verunreinigung</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Wärmestrom</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Internationale Temperaturskala</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Temperaturfixpunkte</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>ITS-90</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Verunreinigungen in ultrahochreinen Metallen</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Thermische Effekte</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Strahlungstransport</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Temperature fixed-points</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>ITS-90</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Impurities in ultra-pure metals</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Thermal effects</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Radiation transport</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/425/Doktorarbeit.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>1389</id>
    <completedYear>2009</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>eng</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2010-02-26</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2009-12-10</thesisDateAccepted>
    <title language="eng">Surface analytical characterization of horizontal and vertical nanotopographies at the silicon/silicon oxide/electrolyte phase boundaries</title>
    <title language="deu">Oberflächenanalytische Charakterisierung Horizontaler und Vertikaler Nanotopographien an der Silicium/Siliciumoxid/Elektrolyt Phasengrenzfläche</title>
    <abstract language="eng">Nanotopography development induced by photoelectrochemical in situ conditioning of silicon is followed using a combination of surface sensitive analysis techniques. In an etching study, vertical nanostructure analysis reveals a buried stressed layer within silicon, identified by Brewster-angle analysis (BAA). In conjunction with in system synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (SRPES), a superior quality hydrogen terminated Si(111) surface could be prepared by obliteration of the intermediate stressed layer. Using a novel photoelectrochemical structure formation method, a variety of vertical nanotopographies has been generated and analyzed by in situ Brewster-angle reflectometry (BAR) and scanning probe microscopy (SPM). Shaping of the nanostructures became possible by real-time monitoring using BAR. Appearances range from aligned single nanoislands with improved aspect ratio to connected Si nano-networks. A model was developed to describe the nanostructure formation based on stress-induced selective oxidation. Increased local photo-oxidation is found to result in the formation of extended horizontal micro- and nanostructures with fractal properties. Within a defined light intensity range, the structures reveal the azimuthal symmetry of the investigated crystal planes (111), (100), (110) and (113). The observed features could be reproduced using a model that is based on the interplay of stress in silicon, oxidation by light generated excess holes and locally increased etching in fluoride containing solution.</abstract>
    <abstract language="deu">Die durch photoelektrochemische in situ Verfahren induzierte Nanostrukturbildung auf Silicium wird durch eine Kombination oberflächenempfindlicher Methoden untersucht. Durch schrittweise Abtragung eines Oberflächenoxids und durch die Analyse vertikaler Nanostrukturen wird eine verborgene Streßschicht mit Hilfe der Brewster-Winkel Analyse ermittelt. In Verbindung mit Synchrotron-Photoelektronenspektroskopie kann eine optimierte H-Terminierung von Si(111)-Oberflächen nach Entfernen des gestreßten Bereiches erzielt werden. Durch Anwendung einer neuartigen photoelektrochemischen Methode wurde eine Vielzahl vertikaler Nanostrukturen erzeugt, deren Morphologie Aspekt-optimierte nanoskopische Inseln sowie Nanostruktur-Netzwerke umfaßt. In Modellbetrachtungen wird eine streß-induzierte selektive Oxidation als Bildungsmechanismus vorgeschlagen. Verstärkte lokale Photooxidation wiederum führt zur Bildung ausgebreiteter Mikro- und Nanostrukturen, die in einem mittleren Bereich der Lichtintensität die azimutale Symmetrie der jeweiligen (111), (100), (110) und (113) Kristallorientierungen widerspiegeln. Modellhafte Simulationen basieren auf der Wechselwirkung von Streß im Siliciumkristall, lichtgenerierter Oxidation und erhöhter lokaler Materialabtragung in konzentrierter Ammoniumfluoridlösung.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-14390</identifier>
    <identifier type="opus3-id">1439</identifier>
    <author>Michael Lublow</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Siliciumdioxid</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Oberflächenanalyse</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Silicium</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Oberflächenanalyse</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Selbstorganisierte elektrochemische Systeme</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Optik</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Silicon</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Surface analysis</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Self-organized electrochemical systems</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Optics</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/1389/PhD_Thesis_Michael_Lublow_2009.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>2364</id>
    <completedYear>2012</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>deu</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2012-05-02</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2011-11-07</thesisDateAccepted>
    <title language="deu">Kraftmikroskopie als Werkzeug zur Charakterisierung elektrischer Oberflächeneigenschaften</title>
    <title language="eng">Force microscopy as tool for the characterization of electrical surface properties</title>
    <abstract language="deu">Die stetig fortschreitende Miniaturisierung in der Halbleiterindustrie macht es notwendig, Oberflächenparameter mit Auflösung im Nanometerbereich zu messen und auch abzubilden. Von größtem Interesse sind hierbei das Oberflächenpotential und die Kapazität der oberflächennahen Bereiche, da diese Aussagen über die elektronische Struktur erlauben. Hierbei muss großes Augenmerk auf die Möglichkeit der zerstörungsfreien und präparationsarmen Messung gelegt werden, da jede Behandlung der zu untersuchenden Materialien deren Oberflächeneigenschaften ändert. Im Rahmen dieser Arbeit wurden auf der Atomkraftmikroskopie basierende Methoden sowohl experimentell als auch mit Hilfe von Simulationen auf ihre Anwendbarkeit für die Untersuchung von Halbleiteroberflächen evaluiert. Es stellt sich heraus, dass die kontaktfreien Methoden „Scanning Kelvin Probe Microscopy“ und „Scanning Capacitance Microscopy“ sehr gut geeignet sind, um die elektronische Struktur der Probenoberfläche qualitativ zu beurteilen. Allerdings muss für quantitative Aussagen ein recht großer rechentechnischer Aufwand betrieben werden.</abstract>
    <abstract language="eng">The still ongoing trend of miniaturization in the semiconductor industry creates the demand for experimental methods allowing a mapping of certain properties of surfaces with resolution in the nanometre range. Matters of particular interest are the surface potential and the capacitance of near surface regions, since these parameters give access to electronic properties. However, of major interest are non-destructive experimental methods, especially these with minor requirements on sample preparation allowing investigations of pristine surfaces. In this study, atomic force microscopy-based methods are evaluated both experimentally and with the help of simulations for their applicability to the investigation of semiconductor surfaces. It turns out that the non-contact methods, "Scanning Kelvin Probe Microscopy" and "Scanning Capacitance Microscopy" are very well suited to estimate the electronic structure of the sample surface qualitatively. However, for a quantitative assessment a fairly large effort of computing has to be carried out.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-24440</identifier>
    <identifier type="opus3-id">2444</identifier>
    <author>Markus Ratzke</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Kraftmikroskopie</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Halbleiteroberfläche</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Atomkraftmikroskopie</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Silizium</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Scanning Kelvin Probe Microscopy</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Scanning Capacitance Microscopy</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Atomic force microscopy</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Silicon</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Scanning Kelvin Probe Microscopy</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Scanning Capacitance Microscopy</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/2364/Diss_Ratzke_Markus.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>3638</id>
    <completedYear>2016</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>deu</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2016-01-06</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2015-11-30</thesisDateAccepted>
    <title language="deu">Defektcharakterisierung von Halbleitermaterialien für die Photovoltaik</title>
    <title language="eng">Defect characterization of semiconductor materials for photovoltaics</title>
    <abstract language="deu">Zur Deckung des stetig steigenden Energiebedarfs und unter Berücksichtigung des Umweltschutzes werden unter anderem Solarzellen genutzt. Defekte in Solarzellen können die Effizienz verringern. In dieser Arbeit wird das Defektverständnis von Silizium basierten Solarzellen erweitert.&#13;
Neue experimentelle Erkenntnisse konnten zu folgenden Schwerpunkten gewonnen werden:&#13;
•  Siliziumnitrid- und Siliziumkarbidausscheidungen in multikristallinem Silizium&#13;
•  Rekombinationsaktivität in dünnen Siliziumschichten&#13;
•  Charakterisierung der Rekombinationsaktivität von Germanium als Modellmaterial für die Siliziumkristallisation&#13;
•  Rekombinationsaktivität und Verspannung an Korngrenzen&#13;
Um Ergebnisse experimenteller Defektcharakterisierung auf allgemein gültige Parameter der Rekombination wie z.B. Ladungsträgerdiffusionslänge oder Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit zurückführen zu können, wurden zu folgenden Phänomenen Modelle entwickelt und Simulationen durchgeführt:&#13;
•  Getterzonen an Korngrenzen&#13;
•  Ermittlung von Diffusionslänge und Diffusionskoeffizient in Dünnschichtmaterial&#13;
•  3D-Raumladungseffekte&#13;
Die Nutzung der gewonnenen Erkenntnisse über die Rekombinationseigenschaften der Defekte liegt in einer möglicherweise zukünftigen kontrollierten Defektbeeinflussung und somit einer Effizienzverbesserung von Solarzellen.</abstract>
    <abstract language="eng">Solar cells are one possibility to meet the increasing energy requirement. Defects in solar cells can decrease the solar cell efficiency. The defect understanding of silicon based solar cell material is the aim of the present work. &#13;
New experimental knowledge is achieved in the following topics: &#13;
•  silicon nitride and silicon carbide in multicrystalline silicon&#13;
•  recombination activity in thin silicon layers&#13;
•  characterization of germanium recombination activity as model material for silicon crystallization&#13;
•  recombination activity and stresses at grain boundaries&#13;
Models and simulations are developed to conclude results from experimental defect characterization to generally valid recombination parameters for example charge carrier diffusion length or surface recombination velocity. The simulation chapters focus on the following issues:&#13;
•  getter zones at grain boundaries&#13;
•  estimation of diffusion length and diffusion coefficient in thin film material&#13;
•  3D-space-charge-effects&#13;
Possibly in future the new knowledge about recombination properties of defects could be used to influence the defects controlledly and increase the solar cell efficiency.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-36384</identifier>
    <licence>Keine Lizenz vergeben. Es gilt das deutsche Urheberrecht.</licence>
    <author>Markus Holla</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Defekt</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Defect</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Halbleiter</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Semiconductor</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Festkörperphysik</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Halbleiter</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/3638/Holla_Markus.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>1377</id>
    <completedYear>2009</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>eng</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2010-01-25</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2009-12-04</thesisDateAccepted>
    <title language="eng">Characterization of electrical and optical properties of silicon based materials</title>
    <title language="deu">Charakterisierung der elektrischen und optischen Eigenschaften von Silizium-basierten Materialien</title>
    <abstract language="eng">In this work, the electrical and luminescence properties of a series of Si based materials used for photovoltaics, microelectronics and nanoelectronics have been investigated by means of electron beam induced current (EBIC), cathodoluminescence (CL), photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL). Photovoltaic Si produced by block casting has been investigated by EBIC on wafers sliced from different parts of the ingot. The impact of selected solar cell processing steps on the material properties has been evaluated by EBIC utilizing adjacent wafers from the ingot. The temperature dependence of dislocations’ EBIC contrast was measured to assess the degree of dislocation contamination with impurities, yielding low dislocation contamination for the middle of the block and high contamination in the top and bottom regions. This is in agreement with the impurity distribution in the block. It was found that phosphorus diffusion gettering (PDG) followed by SiN firing greatly reduces the recombination activity of extended defects at room temperature, and improves the bulk property simultaneously. The improvement is attributed to both PDG of metal impurities and a passivation effect of SiN firing. In order to better understand the factors limiting the properties of thin polycrystalline Si layers prepared by the Aluminum induced layer exchange (Alile) technique, epilayers grown on (111) and (100) monocrystalline Si substrates were used as a model system to investigate the impact of processing temperature (Ts) and type of substrate. It was found that no dislocations are formed for epilayers on (100) Si, while a high density of dislocations was detected on epilayers prepared on (111) Si at 450 °C. The dislocation density decreases with increasing TS. The diffusion lengths extracted from the energy dependent EBIC collection efficiencies reveal an improvement of the epilayer quality with increasing TS during growth from 450 °C to 650 °C, and a decrease of the epilayer quality at 700 °C. This is attributed to a reduction of the dislocation density with increasing TS and a formation of precipitates during the process. Precipitate formation of at 700 °C is limited because the metal impurities are very mobile at high TS, resulting in a homogeneous distribution of the impurities. Because the impurities are effective lifetime killers of the minority carriers, so the diffusion length decreases. PL measurements on epilayers grown on Si substrates revealed no characteristic dislocation-related luminescence (DRL) lines at room temperature and 77 K, while intense characteristic DRL lines D1 - D4 have been detected in the sample prepared by the Alile technique. This indicates that dislocations in the Alile sample are relatively clean. The possible reason for the purification of the Alile samples is Al induced gettering during the polycrystalline Si layer growth. The diffusion length in the thin top layer of Si-on-insulator (SOI) samples has been successfully measured by EBIC employing suppression of the surface recombination at the buried oxide layer and at surface of the top layer by biasing. The measured diffusion length is several times larger than the layer thickness. Dislocation networks produced by Si wafer direct bonding have been investigated with regard to their electrical properties by EBIC. The networks were observed to show charge carrier collection and electrical conduction. Inhomogeneities in the charge collection were detected in n- and p-type samples under appropriate beam energy. The EBIC contrast behavior can be understood under the consideration of the positively charged oxide precipitates along with dislocations charged with majority carriers, where the appearance of the contrast in dark or bright depends strongly on the ratio of the collection and the recombination loss of the carriers.The luminescence properties of Si nanostructures (Si nanowires, Si nano rods, porous Si, and Si/SiO2 multi quantum wells (MQWs)) are another important subject of this work. Sub-bandgap infrared (IR) luminescence around 1570 nm has been found in Si nanowires, nano rods and porous Si. PL measurements with samples immersed in different liquid media, for example, in aqueous HF (50%), concentrated H2SO4 (98%) and H2O2 established that the sub-bandgap IR luminescence originates from the Si/SiOx interface. Its origin was explained in terms of a simple recombination model through radiative interface states. EL in the sub-bandgap IR range has been observed in simple diodes prepared on porous Si and MQWs at room temperature. The results show the possibility to fabricate an efficient light emitter around 1570 nm wavelength based on the radiative recombination at the Si/Si oxide interface. Based on the knowledge about radiative transitions via the interface states, an improved understanding of luminescence in dislocated samples was proposed.</abstract>
    <abstract language="deu">In der vorliegenden Arbeit werden die elektrischen und Lumineszenzeigenschaften von verschiedenen Si-basierten Materialien mit Hilfe von Elektronenstrahlinduziertem Strom (EBIC), Kathodolumineszenz (CL), Photolumineszenz (PL) und Elektrolumineszenz (EL) untersucht. Die elektrischen Eigenschaften von Blockguss-Solar-Si wurden mittels EBIC an Proben aus verschiedenen Blockhöhen untersucht. Durch EBIC-Messungen an Parallelproben, die im Block unmittelbar benachbart waren, aber unterschiedlichen thermischen Prozessen unterzogen wurden, konnte die Wirkung ausgewählter Prozessschritte auf die Materialeigenschaften verfolgt werden. Aus den gemessenen Temperaturabhängigkeiten des EBIC-Kontrastes der Versetzungen lässt sich ableiten, dass in der Mitte des Blockes die Kontamination der Versetzungen mit metallischen Verunreinigungen gering ist, am Boden und in der Kappe aber deutlich höher. Das ist in guter Übereinstimmung mit der Höhnenverteilung der Verunreinigungen im Block. Es wurde festgestellt, dass Phosphordiffusionsgetterung (PDG) mit anschließendem Feuern einer aufgebrachten SiN-Schicht die Rekombinationsaktivität der ausgedehnten Defekten bei Raumtemperatur deutlich reduziert und gleichzeitig die Volumenqualität verbessert. Die Verbesserung wird auf Getterung von metallischen Verunreinigungen infolge PDG und die Passivierungswirkung des SiN-Feuerns zurückführt. Um die Faktoren, die die Eigenschaften dünner polykristalliner, mittels sogenannter Al-induzierter Schichtaustauschtechnik (Alile) hergestellter Si-Schichten besser verstehen zu können, wurden als Modellsystem für die Untersuchung des Einflusses von Substrate und Prozesstemperatur Epischichten auf (111)- und (100)-orientierten einkristallinem Si abgeschieden. Es wurde festgestellt, das Epischichten auf (100) Si versetzungsfrei wachsen nachgewiesen hat, während Epischichten auf (111) Si eine hohe Versetzungendichte bei 450 °C aufweisen. Die Dichte der Verstzungen nimmt mit steigender Substrattemperatur (TS) ab. Die aus der energienabhängigen Messungen der EBIC-Sammlungseffizienz ermittelten Diffusionslängen zeigen für (111) Si eine Zunahme der Schichtqualität mit steigender TS bis 650 °C, und einen Abfall für 700 °C. Das Abfallen der Diffusionslänge bei 700 °C deutet daraufhin, dass die Ausscheidungsbildung nicht effektiv ist und sich die Verunreinigungen fast gleichmäßig in der Schicht verteilen. Da die Verunreinigungen aktive Rekombinationszentren und Lebensdauerkiller für Minoritätsladungsträger sind, nimmt so die Diffusionslänge ab. PL-Messungen an auf (100)- und (111)-Si gewachsenen Epischichten haben keine versetzunginduzierte Lumineszenz (DRL) D1-D4 nachgewiesen. In der Alile-Probe tritt dagegen ein intensives DRL-Siganl auf. Dies bedeutet, dass die Versetzungen in der Alile-Probe relativ sauber sind, was wahrscheinlich auf eine Al-induzierte Getterung von Verunreinigungen zurückzuführen ist. Die Diffusionslänge in der dünnen oberen Schicht von SOI-Proben wurde erfolgreich mittels EBIC gemessen, indem die Oberflächenrekombination an der Oberfläche und an der vergrabenen Oxidschicht mit Hilfe angelegter Spannungen unterdrückt wurde. Die gemessene effektive Diffusionslänge ist mehrfach länger als der Schichtdicke. Durch direktes Bonden von Si-Wafern hergestellte Versetzungsnetzwerke wurden mit EBIC hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften untersucht. Es wurde beobachtet, dass die Netzwerke Ladungssammlung und elektrische Leitung zeigen. Bei bestimmten Strahlenergien wurden Inhomogenitäten der Ladungssammlung nachgewiesen. Das Verhalten des EBIC-Kontrastes dieser Inhomogenitäten kann unter der Berücksichtigung der positiv geladenen Sauerstoffausscheidungen im Netzwerk und der mit Majoritätsträgern beladenen Versetzungen verstanden werden. Das Auftreten von Dunkel- oder Hellkontrast hängt stark vom Verhältnis zwischen Ladungssammlung und Rekombinationverlust am Netzwerk ab. Die Lumineszenzeigenschaften von Si-Nanostrukturen (Si-Nanodrähte, Nanostäbe, poröses Si und Si/SiO2 Multi-Quantentöpfe (MQW)) sind ein anderes wichtiges Thema der Arbeit. Ein infrarotes Lumineszenzband im „sub-bandgap“-Bereich wurde in Si-Nanodrähten, Nanostäben und porösem Si entdeckt. PL-Messungen in flüssigen Medien wie HF (50%), H2SO4 (98%) und H2O2 ergaben, dass das Lumineszenzband von der Si/SiOx-Grenzfläche stammt. Zur Erklärung dieses Bandes wurde ein einfaches Rekombinationsmodel via Grenzflächenzustände vorgeschlagen. EL-Messungen an Dioden aus porösem Si und MQW zeigten infrarote Lumineszenz im „sub-bandgap“-Bereich bei 300 K. Die Ergebnisse demonstrieren die Möglichkeit, einen effizienten Lichtemitter bei 1570 nm Wellenlänge auf der Basis strahlender Rekombination an der Si/SiOx-Grenzfläche herzustellen. Basierend auf dem Wissen über strahlende Rekombination an der Si/SiOx-Grenzfläche, wurde ein modifiziertes Verständnis der Lumineszenz in versetztem Si vorgeschlagen.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-14030</identifier>
    <identifier type="opus3-id">1403</identifier>
    <author>Guobin Jia</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Siliciumverbindungen</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Werkstoffkunde</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Silicium</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Elektrische Eigenschaft</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Optische Eigenschaft</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Versetzungsnetzwerk</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Elektrische Leitfähigkeit</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Diffusionslänge in SOI-Schichten</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Solarzellen</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Infrarote Lumineszenz im Sub-bandgap-Bereich</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Dislocation network</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Electrical conductivity</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Diffusion length in SOI layer</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Solar cells</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Sub-bandgap infrared luminescence from Si/SiOx interface</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/1377/Thesis_Jia.pdf</file>
  </doc>
  <doc>
    <id>2201</id>
    <completedYear>2011</completedYear>
    <publishedYear/>
    <thesisYearAccepted/>
    <language>eng</language>
    <pageFirst/>
    <pageLast/>
    <pageNumber/>
    <edition/>
    <issue/>
    <volume/>
    <type>doctoralthesis</type>
    <publisherName/>
    <publisherPlace/>
    <creatingCorporation/>
    <contributingCorporation/>
    <belongsToBibliography>0</belongsToBibliography>
    <completedDate>2011-10-27</completedDate>
    <publishedDate>--</publishedDate>
    <thesisDateAccepted>2011-07-15</thesisDateAccepted>
    <title language="eng">Electronic properties of interfaces produced by silicon wafer hydrophilic bonding</title>
    <title language="deu">Elektronische Eigenschaften durch hydrophiles Bonden von Siliziumwafern erzeugter Grenzflächen</title>
    <abstract language="eng">The thesis presents the results of the investigations of electronic properties and defect states of dislocation networks (DNs) in silicon produced by wafers direct bonding technique. Practical interest for the investigations in this area issued – first of all – from the potential application of such dislocation networks in microelectronics as all-Si light emitter for on-chip interconnection. Besides, dislocation networks may serve as a perfect model object to get new information about the fundamental properties of dislocations and grain boundaries in Si, what is of particular importance for multicrystalline silicon solar cells performance. Despite of a long story of studying of dislocations in silicon, a new insight into the understanding of their very attractive properties was succeeded due to the usage of a new, recently developed silicon wafer direct bonding technique, allowing to create regular dislocation networks with predefined dislocation types and densities. Samples for the investigations were prepared by hydrophilic bonding of p-type Si (100) wafers with same small misorientation tilt angle (~0,5°), but with four different twist misorientation angles Atw (being of &lt;1°, 3°, 6° and 30°, respectively), thus giving rise to the different DN microstructure on every particular sample. The main experimental approach of this work was the measurements of current and capacitance of Schottky diodes prepared on the samples which contained the dislocation network at a depth that allowed one to realize all capabilities of different methods of space charge region spectroscopy (such as CV/IV, DLTS, ITS, etc.). The key tasks for the investigations were specified as the exploration of the DN-related gap states, their variations with gradually increasing twist angle Atw, investigation of the electrical field impact on the carrier emission from the dislocation-related states, as well as the establishing of the correlation between the electrical (DLTS), optical (photoluminescence PL) and structural (TEM) properties of DNs. The most important conclusions drawn from the experimental investigations and theoretical calculations can be formulated as follows: - DLTS measurements have revealed a great difference in the electronic structure of small-angle (SA) and large-angle (LA) bonded interfaces: dominating shallow level and a set of 6-7 deep levels were found in SA-samples with Atw of 1° and 3°, whereas the prevalent deep levels – in LA-samples with Atw of 6° and 30°. The critical twist misorientation angle separating SA- and LA- interfaces was estimated as Atw*≈ 3,5±0,5°, what agrees quiet well with the results of previous PL and TEM investigations. - For the dominating shallow traps in SA-samples (denoted as ST1/ST3 traps) a new phenomenon – that is ‘giant Poole-Frenkel effect’ of enhanced carrier emission due to dislocations elastic strain field was observed for the first time. Performed theoretical calculations have shown that in the investigated samples such an effect should be ascribed to the row of 60° dislocations rather than to the mesh of screw ones. In this respect, shallow traps ST1/ST3 were identified either with shallow 1D bands (directly or as being coupled with them) or with shallow stacking fault states on splitted 60° dislocation. - From the comparison and correlations of measured DLTS spectra with the results of PL and TEM investigations it was established, that shallow ST1/ST3 traps participate in D1 radiative recombination and that the structural elements, responsible for D1 luminescence of small-angle DNs, are the triple knots (intersections with screw dislocations) along the 60° dislocations. However, the optimal density of 60° dislocations as well as of triple knots, in other words – the optimal tilt and twist misorientation angles for maximal D1 intensity – needs further clarification.</abstract>
    <abstract language="deu">Die Doktorarbeit stellt Ergebnisse von Untersuchungen der elektronischen Eigenschaften und Defektzustände von durch direktes Waferbonden erzeugten Versetzungsnetzwerken in Siliziumwafern vor. Praktisches Interesse an diesen Untersuchungen resultiert vor allem aus der möglichen Nutzung solcher Versetzungsnetzwerke als Si-basierte Lichtemitter für die On-Chip-Datenübertragung in der Mikroelektronik. Außerdem können solche Versetzungsnetzwerke als perfektes Modellobjekt dienen, um neue Informationen über die grundlegenden Eigenschaften von Versetzungen und Korngrenzen in Si zu erhalten, die von erheblicher Bedeutung für die Leistungsfähigkeit der multikristallinen Si-Solarzellen sind. Trotz einer Vielzahl von vorangegangenen Untersuchungen an Versetzungen in Si konnte ein neuer Beitrag zum Verständnis der interessanten Eigenschaften von Versetzungen geleistet werden, der wesentlich auf der Nutzung eines neuen, kürzlich entwickelten Verfahrens zum Waferbonden aufbaut, mit dem es möglich geworden ist, ein regelmäßiges Versetzungsnetzwerk mit vordefinierten Versetzungstypen und Versetzungsdichten zu erzeugen. Die Proben für die Untersuchungen wurden durch hydrophiles Waferbonden hergestellt. Alle Proben wurden mit dem gleichen kleinen Fehlorientierungskippwinkel von ca. 0,5° gebondet, jedoch mit vier verschiedenen Fehlorientierungsverdrehungswinkeln von &lt;1°, 3°, 6° und 30°, aus denen sich für die einzelnen Proben eine verschiedene Versetzungsmikrostruktur ergab. Der wichtigste experimentelle Ansatz dieser Arbeit ist die Durchführung von Messungen des Stromes und der Kapazität von Schottky-Dioden an Proben, die Versetzungsnetzwerke in einer solchen Tiefe enthielten, dass alle Möglichkeiten der verschiedenen Methoden der Raumladungszonen-Spektroskopie (wie CV/IV, DLTS, ITS) genutzt werden konnten. Die Zielstellungen der Untersuchungen umfassten die Erfassung der elektronischen Zustände in der Bandlücke, die mit dem Versetzungsnetzwerk in Verbindung stehen, deren Abhängigkeit von der graduell modifizierten Geometrie des Versetzungsnetzwerkes, die Untersuchung des Einflusses des elektrischen Feldes auf die Ladungsträgeremission aus den versetzungsbezogenen Zuständen sowie die Herstellung von Korrelationen zwischen elektrischen, optischen (Photolumineszenz – PL) und strukturellen (TEM) Eigenschaften der Versetzungsnetzwerke. Die wichtigsten Schlussfolgerungen aus den experimentellen Untersuchungen und theoretischen Berechnungen können wie folgt formuliert werden: - Die DLTS-Messungen zeigen einen großen Unterschied in der elektronischen Struktur von Netzwerken, die mit kleinem Winkel (SA) oder großem Winkel (LA) der Fehlorientierung gebondet wurden. Flache Zustände und etwa 6-7 tiefe Niveaus wurden in SA-Proben mit Verdrehungswinkeln von 1° und 3° gefunden, während für LA-Proben mit 6° und 30° Verdrehungswinkel tiefe Zustände vorherrschen. Der kritische Winkel, welcher die SA- von den LA-Proben trennt, ist etwa 3,5 ± 0,5 °, was auch mit den Ergebnissen der bisherigen PL- und TEM-Untersuchungen übereinstimmt. - Für die dominierenden flachen Zustände in den SA-Proben (bezeichnet als ST1/ST3- Haftstellen) wurde erstmalig ein neues Phänomen beobachtet – der so genannte "Riesen-Poole-Frenkel-Effekt" der verstärkten Ladungsträgeremission infolge des elastischen Verzerrungsfeldes der Versetzungen. Durchgeführte theoretische Berechnungen haben gezeigt, dass in den untersuchten Proben dieser Effekt nicht den Schraubenversetzungen, sondern den 60°-Versetzungen zugeschrieben werden muss. In diesem Zusammenhang konnten die flachen Haftstellen ST1/ST3 entweder als flache 1-D Bändern oder als flache Stapelfehlerzustände an aufgespaltenen 60°-Versetzungen identifiziert werden. - Durch Vergleich und Korrelation der gemessenen DLTS-Spektren mit den Ergebnissen der PL- und TEM-Untersuchungen wurde festgestellt, dass die flachen ST1/ST3-Haftstellen an der strahlenden D1-Rekombination beteiligt sind und dass die Dreifachknoten (Schnittpunkte) entlang der 60°-Versetzungen die Strukturelemente darstellen, die für die D1- Lumineszenz an Kleinwinkelnetzwerken verantwortlich sind. Daher sind für eine hohe Intensität der D1-Luminszenz sowohl Verdrehung wie auch Verkippung wichtig, wobei für die Angabe der optimalen Dreh- und Kippwinkel weitere Spezifizierung nötig ist.</abstract>
    <identifier type="urn">urn:nbn:de:kobv:co1-opus-22841</identifier>
    <identifier type="opus3-id">2284</identifier>
    <author>Maxim Trushin</author>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Elektronische Eigenschaft</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Siliciumbauelement</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Bonden</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Wafer</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>swd</type>
      <value>Silicium</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Versetzungsnetzwerk</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Poole-Frenkel Effekt</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>DLTS</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>deu</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>D1 Lumineszenz Band</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Dislocation networks</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>DLTS</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>Poole-Frenkel effect</value>
    </subject>
    <subject>
      <language>eng</language>
      <type>uncontrolled</type>
      <value>D1 Luminescence band</value>
    </subject>
    <collection role="ddc" number="530">Physik</collection>
    <collection role="collections" number="">Wiss. Publikationen</collection>
    <collection role="old_institute" number="">LS Experimentalphysik / Materialwissenschaften</collection>
    <collection role="institutes" number="1504">FG Experimentalphysik und funktionale Materialien</collection>
    <thesisPublisher>BTU  Cottbus - Senftenberg</thesisPublisher>
    <thesisGrantor>BTU Cottbus - Senftenberg</thesisGrantor>
    <file>https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/2201/Disser_Trushin_21.07.pdf</file>
  </doc>
</export-example>
