@phdthesis{Staedter2014, author = {St{\"a}dter, Matthias}, title = {Untersuchungen zu Fanoresonanzen in der resonanten Photoelektronenspektroskopie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-31860}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2014}, abstract = {Im Mittelpunkt der vorliegenden Arbeit stehen die Untersuchung von Fanointerferenzen innerhalb der wissenschaftlichen Methode der resonanten Photoelektronenspektroskopie. Basis dieser Methode ist die Interpretation aus dem Festk{\"o}rper emittierter Elektronen. Die detektierten Elektronen k{\"o}nnen dabei aus direkten Photoemissionen oder Deaktivierungsprozessen (Spectator-/Participator-Zerf{\"a}lle) nach resonanten Anregungen von Rumpfelektronen stammen. F{\"u}hren beide Prozesse zum selben Systemendzustand, k{\"o}nnen die emittierten Elektronen interferieren, was sich in der Auspr{\"a}gung eines charakteristischen Intensit{\"a}tsprofils, dem Fano-Profil, {\"a}ußert. Die Form des Intensit{\"a}tsprofils kann dabei {\"u}ber den Fanoparameter q beschrieben werden. Im Rahmen dieser Arbeit erfolgte die Diskussion von Fanointerferenzen an organischen (HOPG, Graphenflocken) und oxidischen (CuO, In2O3, SiO2) Materialsystemen. Im HOPG und den untersuchten Graphenflocken konnten mittels der Analyse der Fanoprofile exzitonische Zust{\"a}nde innerhalb der Bandl{\"u}cke nachgewiesen werden. Durch die Untersuchungen am CuO konnte die Variation des Fanoparameters in Abh{\"a}ngigkeit vom Grundzustand des Systems gezeigt werden. Die f{\"u}r die untersuchten In2O3 Einristalle beobachteten Interferenzen beruhen auf der Existenz besetzter Zust{\"a}nde an der Fermienergie. Abschließend konnte eine Korrelation des jeweils auftretenden Fanoparameters mit den beobachteten multi-hole-Auger-Zerf{\"a}llen nachgewiesen werden.}, subject = {Fano; Fanointerferenzen; Festk{\"o}rperphysik; In-gap Zust{\"a}nde; Resonante Photoelektronenspektroskopie; Fano-Effekt; Photoelektronenspektroskopie}, language = {de} } @phdthesis{Sohal2006, author = {Sohal, Rakesh}, title = {CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-121}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2006}, abstract = {In this work, growth and characterisation of 3C-SiC thin films, investigation of oxidation of thus prepared layers and Pr-silicate and AlON based interface with SiC have been studied. Chemical vapor deposition of 3C-SiC thin films on Si(001) and Si(111) substrates has been investigated. Prior to the actual SiC growth, preparation of initial buffer layers of SiC was done. Using such a buffer layer, epitaxial growth of 3C-SiC has been achieved on Si(111) and Si(001) substrates. The temperature of 1100°C and 1150°C has been determined to be the optimal temperature for 3C-SiC growth on Si (111) and Si(001) substrates respectively. The oxidation studies on SiC revealed that a slow oxidation process at moderate temperatures in steps was useful in reducing and suppressing the g-C at the SiO2/SiC interface. Clean, graphitefree SiO2 has been successfully grown on 3C-SiC by silicon evaporation and UHV anneal. For the application of high-k Pr2O3 on silicon carbide, plausible interlayer, Pr-Silicate and AlON, have been investigated. Praseodymium silicate has been prepared successfully completely consuming the SiO2 and simultaneously suppressing the graphitic carbon formation. A comparatively more stable interlayer using AlON has been achieved. This interlayer mainly consists of stable phases of AlN along with some amount of Pr-aluminates and CN. Such layers act as a reaction barrier between Pr2O3 and SiC, and simultaneously provide higher band offsets.}, subject = {Siliciumcarbid; Kristallfl{\"a}che; Dielektrische Schicht; CVD-Verfahren; Oxidation; Oxidation}, language = {en} } @phdthesis{Mai2014, author = {Mai, Alexander}, title = {Aluminium based micro mirrors exposed to UV laser light - in situ performance and degradation}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-31497}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2014}, abstract = {The present thesis characterises aluminium based micro mirrors exposed to UV laser light. Such micro mirrors, used in highly integrated spatial light modulators, can for example be used as programmable masks in DUV micro lithography. Therefore they are sensitive to any performance loss arising from material degradation or changes in the mirror curvature. The key question addressed in this thesis is the investigation of the in situ curvature change, which means characterisation during a real laser irradiation. For this purpose a measuring station was designed, combining a phase-shift interferometer, an optical microscope and the laser irradiation of the sample at 248nm. The Phase-shift interferometry technique used is a very sensitive contactless optical measurement principle, which allows a resolution of the sample surface in the single-digit nanometer range. A multitude of irradiation tests were performed to describe the change of mirror curvature as a function of different irradiation parameters such as the pulse energy, the laser repetition rate or the ambient atmosphere. The most significant effect was detected by the variation of the applied pulse energy, which was in the range of 10⁻⁵J/cm²-10⁻²J/cm². A general conclusion was that a minimum energy of 10⁻⁵J/cm² at a repetition rate of 1kHz is required to detect any laser induced change of the mirror curvature. At higher energy levels two characteristic behaviours can be distinguished. Up to a level of 10⁻³J/cm² the mirrors show a permanent concave bowing in the range of λ/100. A further increase of the pulse energy causes an accumulating bowing in the opposite direction (convex) of λ/10 within some ten million laser pulses. However this convex bowing partially relaxes after the irradiation is stopped. Another aspect of the thesis was the determination of laser induced material degradation. For this purpose irradiated mirrors were investigated by means of different devices and analytical techniques such as atomic force microscopy (AFM), reflectometry and transmission electron microscopy (TEM). The AFM analysis showed a slight increase of surface roughness and a directional change of the grain size. As a result of the TEM analysis it turned out that arrangement and shape of the grains seems not to have changed. But after the irradiation the growth of a porous oxide layer up to 20nm on the upper mirror surface was noticed. Finally different hypotheses are proposed to explain the mechanisms behind the observed concave and convex bowing at particular pulse energies. In this connection it is assumed that the mirrors at pulse energies larger than 10⁻³J/cm² do not show a static bowing at all. It is rather assumed that the mirror bow oscillates with the laser repetition rate.}, subject = {SLM; Micro mirror array; MOEMS; Laser exposure; In situ; Kippspiegel; Aluminium; Ultraviolett-Bestrahlung; Laser; In situ; Mikrospiegel; Laserbestrahlung; MOEMS; SLM}, language = {en} } @phdthesis{Goryachko2002, author = {Goryachko, Andriy}, title = {Investigations of perspective materials for aggressively scaled gate stacks and contact structures of MOS devices}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000342}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2002}, abstract = {The thesis discusses a fundamental question of reconstruction on the Si(100) surface as well as three material combinations, which are important for perspective microelectronics technologies: Si/Pr2O3/Si(100), W/WNx/poly-Si/SiO2/Si(100), and CoSix/Si(100). A refined mixed ad-dimer model is developed for the Si(100)-c(4´4) reconstruction on the basis of scanning tunnelling microscopy investigations. A thermal stability of Pr2O3/Si(100) and Si/Pr2O3/Si(100) structures is studied with ion sputtering assisted Auger electron spectroscopy. The latter technique is also applied for precise determination of O and N content in the new W/WNx/poly-Si/SiO2/Si(100) structure, and to study the preferential sputtering of Si in CoSi2, CoSi, and Co2Si phases on Si(100) surface. The WSix/poly-Si/SiO2/Si(100) system, which was previously used in microelectronics, is studied for comparison. The preferential sputtering of Si in WSix is shown to be qualitatively similar as in the CoSix case.}, subject = {Silicium; Kristallfl{\"a}che; Praseodymoxide; MOS Wolframnitride; D{\"u}nne Schicht; Silicon; Praseodymium oxide; Tungsten nitride; Tungsten silicide; Cobalt silicide}, language = {en} } @phdthesis{Dudek2011, author = {Dudek, Piotr}, title = {Atomic scale engineering of HfO2-based dielectrics for future DRAM applications}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-22775}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2011}, abstract = {Modern dielectrics in combination with appropriate metal electrodes have a great potential to solve many difficulties associated with continuing miniaturization process in the microelectronic industry. One significant branch of microelectronics incorporates dynamic random access memory (DRAM) market. The DRAM devices scaled for over 35 years starting from 4 kb density to several Gb nowadays. The scaling process led to the dielectric material thickness reduction, resulting in higher leakage current density, and as a consequence higher power consumption. As a possible solution for this problem, alternative dielectric materials with improved electrical and material science parameters were intensively studied by many research groups. The higher dielectric constant allows the use of physically thicker layers with high capacitance but strongly reduced leakage current density. This work focused on deposition and characterization of thin insulating layers. The material engineering process was based on Si cleanroom compatible HfO2 thin films deposited on TiN metal electrodes. A combined materials science and dielectric characterization study showed that Ba added HfO2 (BaHfO3) films and Ti added BaHfO3 (BaHf0.5Ti0.5O3) layers are promising candidates for future generation of state of the art DRAMs. In especial a strong increase of the dielectric permittivity k was achieved for thin films of cubic BaHfO3 (k~38) and BaHf0.5Ti0.5O3 (k~90) with respect to monoclinic HfO2 (k~19). Meanwhile the CET values scaled down to 1 nm for BaHfO3 and ~0.8 nm for BaHf0.5Ti0.5O3 with respect to HfO2 (CET=1.5 nm). The Hf4+ ions substitution in BaHfO3 by Ti4+ ions led to a significant decrease of thermal budget from 900°C for BaHfO3 to 700°C for BaHf0.5Ti0.5O3. Future studies need to focus on the use of appropriate metal electrodes (high work function) and on film deposition process (homogeneity) for better current leakage control.}, subject = {Mikroelektronik; Miniaturisierung; Dielektrikum; Elektrode; Metall; Dielektrika; Hoch-k Materialien; Untersuchung auf atomarer Skala; Dielectrics; High-k materials; Atomic Scale Engineering; HfO2-based materials; XPS}, language = {en} } @phdthesis{Karavaev2011, author = {Karavaev, Konstantin}, title = {In-situ Atomic Layer Deposition growth of Hf-oxide}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-22617}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2011}, abstract = {We have grown HfO2 on Si(001) by atomic layer deposition (ALD) using HfCl4, TEMAHf, TDMAHf and H2O as precursors. The early stages of the ALD were investigated with high-resolution photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy. We observed the changes occurring in the Si2p, O1s, Hf4f, Hf4d, and Cl2p (for HfCl4 experiment) core level lines after each ALD cycle up to the complete formation of two layers of HfO2. The investigation was carried out in-situ giving the possibility to determine the properties of the grown film after every ALD cycle or even after a half cycle. This work focused on the advantages of the in-situ approach in comparison to ex-situ experiments. The study provides to follow the evolution of the important properties of HfO2: contamination level, density and stoichiometry, and influence of the experimental parameters to the interface layer formation during ALD. Our investigation shows that the in-situ XPS approach for ALD gives much more information than ex-situ experiments.}, subject = {Atomlagenabscheidung; Atomlagenabscheidung; ALD; R{\"o}ntgen-Photoelektronenspektroskopie; XPS; HfO2; Atomic layer deposition; ALD; X-ray photoelectron spectroscopy; XPS; HfO2}, language = {en} } @phdthesis{Lupina2006, author = {Lupina, Grzegorz}, title = {Praseodymium Silicate high-k dielectrics on Si(001)}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-421}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2006}, abstract = {Aggressive scaling of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistors resulted in the silicon dioxide (SiO2) gate dielectrics being as thin as 1.2 nm in the state-of-the-art high performance transistors. In consequence, the leakage current due to direct tunneling of electrons through the gate oxide increased significantly resulting in an unacceptably high level of power dissipation. For this reason, it is very desirable to replace the SiO2 gate dielectric with an insulator of a higher dielectric constant (high-k). The higher dielectric constant allows for the use of physically thicker dielectric layers with high capacitance densities but strongly reduced tunneling currents. This work focuses on the preparation and characterization of Praseodymium silicate high-k dielectric layers on Si(001) and evaluates the potential of this material to replace SiO2 as a gate dielectric in the state-of-the-art and future CMOS technology generations.}, subject = {High-k dielectrics; Praseodymium silicate; XPS}, language = {en} } @phdthesis{Zimmer2012, author = {Zimmer, Fabian}, title = {Herstellung und Charakterisierung hocheffizienter, mikromechanischer NIR-Beugungsgitter f{\"u}r den Einsatz in miniaturisierten Spektrometern}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-25224}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2012}, abstract = {Im heutigen Bereich der Analytik spielen optische Verfahren eine wichtige Rolle und kommen in unterschiedlichsten Anwendungen zum Einsatz. Vorteilhaft ist dabei die ber{\"u}hrungslose und zerst{\"o}rungsfreie Messung mit Licht, die die Analyse von kritischen Substanzen deutlich vereinfacht. Die optische Spektroskopie nimmt dabei einen wichtigen Teil der Analytik ein. Speziell die Nah-Infrarot (NIR)-Spektroskopie im Wellenl{\"a}ngenbereich von 780 nm bis 3000 nm weist zahlreiche Anwendungen auf, die von chemischen Reaktionen und Prozessanalysen, der Untersuchung von Polymeren und Textilien, der Qualit{\"a}tskontrolle von Fr{\"u}chten und Samen bis in die Medizintechnik reichen. Die hierf{\"u}r verwendeten NIR-Spektrometer sind {\"u}berwiegend als Spektrografen ausgelegt, wobei das dispersive Element fest eingebaut ist und das Spektrum {\"u}ber ein Galliumarsenid basiertes Diodenarray vermessen wird. Diodenarrays im NIR-Bereich sind kostenintensiv, tragen allerdings maßgeblich zur spektralen Aufl{\"o}sung der Spektrografen bei. Ein alternativer Ansatz ergibt sich durch Monochromatoren mit einem beweglichen dispersiven Element, wobei das Spektrum zeitabh{\"a}ngig {\"u}ber den Detektor streicht. Dadurch ist nur eine Einzeldiode als Detektor ausreichend. Die spektrale Aufl{\"o}sung ist in diesem Fall allerdings eine Funktion der zeitabh{\"a}ngigen Position des dispersiven Elements, die mit hoher Pr{\"a}zision kontrolliert und bestimmt werden muss. In Kombination mit schnellen Messzeiten eines Spektrums im Millisekunden-Bereich, ist eine makroskopische Realisierung sehr aufwendig. Die vorliegende Arbeit besch{\"a}ftigt sich alternativ mit der Herstellung und Charakterisierung eines mikromechanischen NIR-Beugungsgitters, durch das ein neuartiges, miniaturisiertes NIR-Spektrometer, basierend auf einer Monochromator-Konfiguration, realisiert werden konnte. Das Beugungsgitter basiert dabei auf einem resonant schwingenden Mikrospiegel, der als mikroelektromechanisches System (MEMS) mittels siliziumbasierter, oberfl{\"a}chennaher Volumen-mikromechanik hergestellt wurde. Dabei konnte durch den Einsatz des mikromechanischen Beugungsgitters ein {\"a}ußerst kompaktes und robustes NIR-Spektrometer (10 x 8 x 7,5 cm³) entwickelt werden, das als Monochromator-System einen deutlichen Kostenvorteil gegen{\"u}ber derzeitigen NIR-Spektrografen erzielen kann. Erforderlich war hierbei, die Anforderungen an das mikromechanische Beugungsgitter zwingend an den Randbedingungen des NIR-Spektrometers zu spiegeln und mit Ihnen in {\"U}bereinstimmung zu bringen. Durch eine gezielte Dimensionierung und Optimierung der mechanischen und optischen Eigenschaften des mikromechanischen Beugungsgitters, zu der unter anderem die Gr{\"o}ße, Beugungseffizienz, Schwingungsfrequenz, Schwingungsstabilit{\"a}t, Schockfestigkeit und ein Verfahren zur Detektion des zeitabh{\"a}ngigen Torsionswinkels geh{\"o}rte, konnte eine spektrale Aufl{\"o}sung des NIR-Spektrometers von unter 10 nm bei einem Wellenl{\"a}ngenbereich von 900 - 2500 nm erreicht werden. Gleichzeitig wurden 3 verschiedene Gitterstrukturen zur Maximierung der Beugungseffizienz untersucht, erfolgreich hergestellt und vermessen.}, subject = {MEMS; Mikrooptik; NIR-Spektroskopie; Datenauswertung; Mikrosystemtechnik; MEMS; Mikrooptik; Mikrospiegel; Spektrometer; Microsystem technology; MEMS; Microoptics; Micromirror; Spectrometer}, language = {de} } @phdthesis{Lehmann2007, author = {Lehmann, Carsten}, title = {Elektronische Struktur d{\"u}nner Halbleiterfilme (Chalkopyrite) als Absorbermaterialien f{\"u}r D{\"u}nnschichtsolarzellen}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-4319}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2007}, abstract = {Ziel der Arbeit war es, erstmalig die Bandstruktur des in D{\"u}nnschichtsolarzellen verwendeten Absorbermaterials CuInS2 zu bestimmen. Zu diesem Zweck konnte ein neues GSMBE-Verfahren mit TBDS als Schwefel-Precursor etabliert werden, um die Verwendung von elementarem Schwefel in einem UHV-System zu ersetzen. Zus{\"a}tzlich zu den abgeschiedenen Schichten wurde eine Spaltfl{\"a}che pr{\"a}pariert. Die Charakterisierung der Proben erfolgte in situ mittels XPS/UPS und LEED. F{\"u}r weitere ex situ Untersuchungen standen XRD und SEM zur Verf{\"u}gung. Die ARUPS-Untersuchungen zur Bestimmung der Bandstruktur fanden unter Verwendung von Synchrotronstrahlung statt. Die aufgenommenen Bandstrukturen wurden mit Bandstrukturberechnungen Eyerts und Zungers verglichen. Dabei gestattete eine Zusammenarbeit mit Eyert eine exakte Verifizierung jenseits hochsymmetrischer Verl{\"a}ufe. CuInS2(001) und CuInS2(112) wurden auf Si und GaAs abgeschieden und zeigte Wachstumsraten, die im Vergleich mit MBE-Verfahren {\"a}lterer Arbeiten um bis zu 85 \% geringer waren. Dies f{\"u}hrte auf Si zur Ausbildung von CuSi-Phasen, so dass sich Si als Substrat in diesem Verfahren als ungeeignet erwies. Die CuInS2-Abscheidung auf GaAs zeigte eine starke Abh{\"a}ngigkeit von der vorhandenen Oberfl{\"a}chenrekonstruktion. Eine 2x1-Rekonstruktion auf GaAs(100) f{\"u}hrte zu einer terrassierten CuInS2-Schicht. Eine Abscheidung auf der 2x2-rekonstruierten GaAs(111)A-Oberfl{\"a}che hatte eine facettierte CuInS2-Oberfl{\"a}che zur Folge. Auf schwefelpassiviertem, rekonstruktionsfreien GaAs(111)B zeigte sich dagegen facettenfreies CuInS2(112)-Wachstum in vorherrschender Chalkopyrit-Struktur. An den Oberfl{\"a}chen von Cu-reichen CuInS2-Schichten bildeten sich CuS-Kristallite. Diese polykristallinen Ablagerungen f{\"u}hrten bei ARUPS-Untersuchungen zu nicht-dispergierenden Zust{\"a}nden, die die Bandstrukturen der CuInS2-Schichten {\"u}berlagerten. Bei k-senkrecht-Messungen zeigte sich ein Zustand, dessen Dispersion stark von Berechnungen Eyerts abweicht. Sein Ursprung konnte nicht eindeutig abgeleitet werden konnte, da der Beobachtungsraum aufgrund von Endzustandseffekten und Satellitenst{\"o}rungen stark eingeschr{\"a}nkt war. Generell zeigt ein Vergleich der Berechnungen nach Eyert bzw. Zunger mit entsprechenden Messungen, dass beide Modellrechnungen zu Bindungsenergien f{\"u}hren, die gegen{\"u}ber den Messwerten zu niedrig sind. Die energetische Ausdehnung der charakteristischen Bereiche und deren Lage zueinander wird jedoch zutreffend beschrieben. Konsistent mit Beobachtungen in anderen Arbeiten an analogen Systemen erweist sich dabei die theoretische Behandlung der d-Zust{\"a}nde bei der Modellierung als kritisch. Die Bandl{\"u}cke zwischen d-Charakter-dominierten und p-Charakter-dominierten Bereich wird von Eyert {\"u}bersch{\"a}tzt, von Zunger dagegen untersch{\"a}tzt. Dies l{\"a}sst sich auf die verwendeten N{\"a}herungen (LDA (Zunger), GGA (Eyert)) des Austauschkorrelationspotentials zur{\"u}ckf{\"u}hren. Bei einer Anpassung der von Eyert berechneten Bandstrukturen durch einen geeigneten Energieoffset zeigten sich im Vergleich mit k-parallel-Messungen im Allgemeinen gute, nahezu perfekte {\"U}bereinstimmungen von beobachteten Dispersionsverl{\"a}ufen. Es konnten die effektiven Massen der L{\"o}cher f{\"u}r die k-parallel-Messungen bestimmt werden. Die Werte liegen in der Gr{\"o}ßenordnung des Literaturwertes, jedoch im Mittel bei doppelt so hohen Werten. Ein signifikanter, richtungsabh{\"a}ngiger Trend l{\"a}sst sich aufgrund der starken Streuung nicht feststellen. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit konnte ausserdem gezeigt werden, dass die Verwendung eines (111)-Substrates zu einer Dom{\"a}nenbildung aufwachsender CuInS2(112)-Schichten f{\"u}hrt. ARUPS-Messungen an derartigen Schichten bestehen daher aus einer {\"U}berlagerung von Bandstrukturen entlang unterschiedlicher Richtungen. F{\"u}r zuk{\"u}nftige Arbeiten bietet es sich daher an, die (111)-substratinduzierte Fehlorientierung von (112)-Schichten durch ein Step-Flow-Wachstum auf Substraten mit Miscut zu unterbinden.}, subject = {Photovoltaik; D{\"u}nnschichtsolarzelle; Bandstruktur; Chalkopyrit; ARUPS; CIS; DFT; Band structure; Chalcopyrite; ARUPS; CIS; DFT}, language = {de} } @phdthesis{Richter2013, author = {Richter, Matthias Hermann}, title = {Excitons and Polarons in resonant Auger decay processes}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-29816}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2013}, abstract = {Im Rahmen dieser Arbeit wird die elektronische Struktur von organischen Halbleitern, Graphen und {\"U}bergangsmetall (TM)-Oxyden (Co-PI als Katalysator f{\"u}r die Wasserspaltung), unter Nutzung von Synchrotron-Strahlung basierter Spektroskopie, untersucht. Der Schwerpunkt liegt hierbei bei den exzitonischen und polaronischen Effekten. F{\"u}r eine genaue Beschreibung der elektronischen Struktur dieser Materialien m{\"u}ssen auch Elektron-Phonon- und Elektron-Elektron-Wechselwirkungen, sowie Polarisation und exzitonische Effekte in Betracht gezogen werden. Von Exzitonen und Polaronen als lokalisierte Bandl{\"u}ckenzust{\"a}nde ist bekannt, dass diese die optischen Materialeigenschaften beeinflussen k{\"o}nnen. Dieser Einfluss kann im resonanten Auger Zerfall aufgedeckt werden. Sogar in TM-Oxyden k{\"o}nnen Polaronen und Exzitonen als Konsequenz von einem Sauerstoff 2p nach TM3d Ladungstransfer beobachtet werden. Hierf{\"u}r sind die folgenden drei Materialklassen f{\"u}r die Untersuchungen des Einflusses von Exzitonen und Polaronen im resonanten Auger Zerfall ausgew{\"a}hlt worden. Erstens wird die Existenz von lokalisierten polaronischen und exzitonischen Zust{\"a}nden anhand von Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (rr-P3HT) und Phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) untersucht, welche als Lichtabsorber in organischen Solarzellen eingesetzt werden. Die Existenz von 2D-Polaronen, Singulett-Exzitonen und Triplett-Exzitonen wird f{\"u}r rr-P3HT belegt, wohingegen f{\"u}r PCBM nur Singulett-Exzitonen beobachtet werden. Singulett-Exzitonen zeigen ihren Einfluss auf den resonanten Auger Zerfall durch einen kombinierten Spectator-Participator (S+P) Auger Zerfall im π*-Band. Zweitens wird f{\"u}r eine ausf{\"u}hrliche Diskussion der (S+P) Zerf{\"a}lle hoch orientierter pyrolytischer Graphit (HOPG) untersucht. F{\"u}r Graphen, als eine Monolage HOPG, in dem keine Van-der-Waals-Kr{\"a}fte wirken, k{\"o}nnen weitere Kombinationen von Auger Zerf{\"a}llen beobachtet werden: ein Doppel Spectator (S+S) und ein Doppel Spectator (S+S)* Auger-Gain Zerfall im π*-Band. Drittens wird Co-PI (Kobaltoxyd-Verbindung) untersucht. Es handelt sich hierbei um ein TM-Oxyd welches als Katalysator f{\"u}r die Sauerstoffentwicklung in photoelektrochemischen Zellen verwendet wird. Selbst lokalisierte Exzitonen werden durch resonante Anregung eines Rumpfelektrons in einem selbst lokalisierten Lochzustand erzeugt und erm{\"o}glichen dadurch einen kombinierten Auger Zerfall (S+P). F{\"u}r jeden der neuartigen Auger Zerfallsprozesse {(S+P), (S+S) und (S+S)*} wird ein Zerfallsmodell vorgestellt.}, subject = {Exziton; Polaron; Auger-Effekt; Exziton; Polaron; Auger Zerfall; Exciton; Polaron; XAS; resPES; Auger decay}, language = {en} }