@phdthesis{Mueller2010, author = {M{\"u}ller, Sebastian}, title = {Synchrotron radiation spectroscopy studies of the initial interaction of Chromium and Cobalt with the surface of Titanium Dioxide}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-18914}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2010}, abstract = {In the framework of this thesis, synchrotron radiation based spectroscopy methods are applied to study the electronic structures of stoichiometric Rutile single crystals and TiO2 thin films, and the initial stage of chromium and cobalt growth on TiO2 thin films. Resonance photoemission spectroscopy of clean TiO2 at the Ti L2,3 edges led to Auger-like features, with kinetic energies corresponding to the Ti L2,3M4,5M4,5 Auger decay channels. The presence of these features is assigned to origin from a d2L2 charge transfer state. The resonance of the Ti L3M2,3V Auger channel at the Ti L2 edge is assigned to the L2L3V Coster-Kronig Auger, followed by the normal L3M2,3V Auger decay. The deposition of chromium on the TiO2 film causes a strong interaction at the interface, in which TiO(2-x) is formed together with chromium in the Cr 3+ state. Besides the oxidized component, contribution of metallic chromium is found as well. In the ultra-low coverage regime, post-deposition oxidation is observed, in which metallic chromium is oxidized to Cr2O3, accompanied by re-oxidation of the substrate to TiO2. The interface reaction is also reflected by the appearance of two defect states in the band gap. Resonant photo-emission at the Cr 2p and Ti 2p edges shows well distinguishable Cr 3d respectively Ti 3d character of the respective states. Indications for self-cleaning properties are found by removal of surface carbon during storage in UHV, but the influence of chromium on these properties is not studied in detail. The interaction between cobalt and TiO2 is weaker than that of chromium and TiO2. Nevertheless, an interface reaction is found, in which some of the deposited cobalt is oxidized, while the oxide support is partly reduced. The particular oxidation state of Cobalt is identified by means of multiplet calculation including charge transfer and crystal field effects. The calculated XAS and XPS spectra indicate Co 2+ in a tetrahedral coordination with four oxygen atoms. The metallic component of cobalt gives rise to a broad resonance in the valence band down to -20 eV, with a pronounced satellite feature that reflects the oxidized component.}, subject = {Spektroskopie; Titandioxid; Atomare Multiplett-Rechnung; Resonante Photoemission; Metall-Metalloxid-Wechselwirkung; Titanium dioxide; Metal/metal-oxide interaction; Multiplet-calculation; Resonant photoemission}, language = {en} } @phdthesis{Meyer2007, author = {Meyer, Moritz Andreas}, title = {Effects of advanced process approaches on electromigration degradation of Cu on-chip interconnects}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-3509}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2007}, abstract = {This thesis provides a methodology for the investigation of electromigration (EM) in Cu-based interconnects. An experimental framework based on in-situ scanning electron microscopy (SEM) investigations was developed for that purpose. It is capable to visualize the EM-induced void formation and evolution in multi-level test structures in real time. Different types of interconnects were investigated. Furthermore, stressed and unstressed samples were studied applying advanced physical analysis techniques in order to obtain additional information about the microstructure of the interconnects as well as interfaces and grain boundaries. These data were correlated to the observed degradation phenomena. Correlations of the experimental results to recently established theoretical models were highlighted. Three types of Cu-based interconnects were studied. Pure Cu interconnects were compared to Al-alloyed (CuAl) and CoWP-coated interconnects. The latter two represent potential approaches that address EM-related reliability concerns. It was found that in such interconnects the dominant diffusion path is no longer the Cu/capping layer interface for interconnects as in pure Cu interconnects. Instead, void nucleation occurs at the bottom Cu/barrier interface with significant effects from grain boundaries. Moreover, the in-situ investigations revealed that the initial void nucleation does not occur at the cathode end of the lines but several micrometers away from it. The mean times-to-failure of CuAl and CoWP-coated interconnects were increased by at least one order of magnitude compared to Cu interconnects. The improvements were attributed to the presence of foreign metal atoms at the Cu/capping layer interface. Post-mortem EBSD investigations were used to reveal the microstructure of the tested samples. The data were correlated to the in-situ observations.}, subject = {Elektromigration; Elektromigration; Kupfer; Leiterbahn; In-situ; Gef{\"u}ge; Electromigration; Cu interconnects; In-situ; Cu microstructure}, language = {en} } @phdthesis{Tavakoli2006, author = {Tavakoli, Mohammad Hossein}, title = {Numerical analysis of seeding process during Czochralski growth of oxide single crystals}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-145}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2006}, abstract = {A series of two-dimensional and three-dimensional quasi-steady state numerical simulations have been performed for the initial stages (seeding process) of the Czochralski (CZ) growth of oxide crystals using the finite element method (FEM). We have considered different cases and configurations with respect to real systems in the CZ-dielectrics laboratory of the Institute for Crystal Growth (IKZ). Using induction heating in metallic parts as heat source the fluid flow and temperature field were determined in the whole CZ system. The aim of these calculations was to investigate and reveal the effect of several parameters such as the geometry and location of an active afterheater with respect to the crucible, arrangement and design of thermal insulation, crucible bottom shape, and seed rotation rate on the flow and temperature field of the system and the seed-melt interface shape. The results demonstrate that the temperature and fluid flow in the gas domain is strongly affected by an active afterheater and its insulation as well as their geometry and position. The results also show the important role played by the seed rotation rate for influencing the shape of the seed-melt interface.}, subject = {Kristallz{\"u}chtung; Czochralski-Verfahren; Czochralski-Verfahren; Ankeimprozess; Temperaturverteilung; Kristallz{\"u}chtung; Czochralski method; Seeding process; Heat transfer; Induction heating}, language = {en} } @phdthesis{Schulz2001, author = {Schulz, Detlev}, title = {Wachstumsph{\"a}nomene und Stickstoffdotierung bei der Sublimationsz{\"u}chtung von 6H-Siliciumcarbid}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000044}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2001}, abstract = {Die Keimoberfl{\"a}che ist durch das Vorhandensein einer St{\"o}rschicht charakterisiert, die durch die mechanische Kristallbearbeitung hervorgerufen wird. Diese Schicht kann die Ursache f{\"u}r zus{\"a}tzliche Defekte sein. Die Untersuchungen der Oberfl{\"a}chenmorphologie zeigen, daß ein {\"U}berschuß an Silicium im Quellmaterial notwendig ist, um ein defektfreies Wachstum in den ersten Stadien zu erm{\"o}glichen. Sowohl ein Oxidationsschritt vor dem Wachstum als auch die Anwendung von fehlorientierten Keimen f{\"u}hrten nicht zum gew{\"u}nschten Stufenfluß. Im Konzentrationsbereich von 1x10^18 <= c_N (cm^-3) <= 3x10^19 wurden 6H-SiC-Einkristalle gez{\"u}chtet, sowohl auf (0001)- als auch (000-1)-Keimen. Der Einbau von Stickstoff bewirkt das Absinken der Wachstumsgeschwindigkeit, was mit dem ''site-competition''-Modell erkl{\"a}rt werden kann. Die S{\"a}ttigung der Stickstoffkonzentration im Kristall in Abh{\"a}ngigkeit vom N_2/Ar-Verh{\"a}ltnis konnte durch eine Langmuir-Isotherme beschrieben werden. Die Polarit{\"a}t der Keimoberfl{\"a}che beeinflußt den Stickstoffeinbau. Die Stickstoffkonzentration im gewachsenen Kristall ist auf der C-terminierten Fl{\"a}che ca. doppelt so hoch wie auf der Si-terminierten. Es wurde gezeigt, daß die Oberfl{\"a}chenmorphologie zus{\"a}tzlich zur Keimpolarit{\"a}t den Stickstoffeinbau beeinflußt.}, subject = {Siliciumcarbid; Polytypie; Kristallz{\"u}chtung; Stickstoff; Dotierung; Siliciumcarbid; 6H-Polytyp; Einkristallz{\"u}chtung; Stickstoffeinbau; Oberfl{\"a}chenmorphologie}, language = {de} } @phdthesis{KlocekJolanta2011, author = {Klocek Jolanta,}, title = {Processing and investigation of thin films with incorporated carbon species for possible application as low-k materials}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-24358}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2011}, abstract = {In this thesis the detailed investigations concerning processing and stability of thin films including carbon species and their possible application as materials of a low dielectric constant (low k) are presented. In order to gather a complex information regarding the chemical, morphological and dielectric properties of the produced layer a combination of the spectroscopy: X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), near edge X-ray absorption fine structure spectroscopy (NEXAFS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), microscopy: atomic force microscopy (AFM) and electrical characterization: capacitance-voltage technique (CV) have been applied. The films deposited by means of variety of techniques have been described, ranging from evaporation, through spraying and dropping to spin-coating. Regarding the possible low-k application, a considerable attention has been paid to the hybrid organic-inorganic 3-aminopropyl-trimethoxysilane (APTMS) based composite materials enriched with carbon species coming from the following dopants: C60 fullerenes, [6,6]-phenyl-C61-butyric acid (PCBM), copper phthalocyanine (CuPc), and tris(dimethylvinylsilyloxy)-POSS (POSS). In the following thesis progressive steps leading to gradual decreasing of the resulting permittivity of the hybrid material is presented. As revealed by the performed investigations, the replacement of C60 within the APTMS based matrix by its better soluble derivative PCBM allows the increase of the concentration of the carbon species within the composite films. The introduction of POSS as an additional dopant gave the opportunity of increasing the resistance of the produced material against the ambient influence. With the excess of the POSS concentration an original fractal-shaped cluster formation has been observed. Finally, the dispersion of the properly chosen low concentration of CuPc and POSS molecules within the APTMS based matrix led to the fabrication of homogenous layer with an ultra-low dielectric constant of 1.8.}, subject = {R{\"o}ntgen-Photoelektronenspektroskopie; Rasterkraftmikroskopie; R{\"o}ntgen-Photoelektronenspektroskopie; Kapazit{\"a}t-Spannungs-Charakteristik; 3-Aminopropyltrimethoxysilan; Low-k-Materialien; Rasterkraftmikroskopie; X-ray photoelectron spectroscopy; Capacitance-voltage characterization; 3-Aminopropyltrimethoxysilane; Low-k materials; Atomic force microscopy}, language = {en} } @phdthesis{Hofmann2011, author = {Hofmann, Andreas}, title = {Elektronische Struktur epitaktischer Chalkopyrite und deren Heterokontakte f{\"u}r die Photovoltaik}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-24434}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2011}, abstract = {Die vorliegende Arbeit stellt eine umfassende Studie der Oberfl{\"a}chenmorphologie, der elektronischen Struktur und der Heterokontakte epitaktischer CuInSe2-Schichten dar. S{\"a}mtliche Analysen wurden unter dem Aspekt der St{\"o}chiometrievariation von CuInSe2 zu kupferarmem CuIn3Se5 durchgef{\"u}hrt. Diese Kombination aus nah-st{\"o}chiometrischem Chalkopyrit im Volumen des Absorbers und kupferarmer Defektverbindung im Bereich der Absorber-Puffer-Grenzfl{\"a}che ist unter anderem f{\"u}r die außergew{\"o}hnlich hohe Effizienz der polykristallinen Solarzellen verantwortlich. S{\"a}mtliche Pr{\"a}parations- und Analyseschritte wurden im Ultrahochvakuum durchgef{\"u}hrt, um die Untersuchung hochdefinierter und kontaminationsfreier Oberfl{\"a}chen zu gew{\"a}hrleisten. Die Verwendung einkristalliner Proben erm{\"o}glicht die Bestimmung der Periodizit{\"a}t der Oberfl{\"a}che mittels Beugung niederenergetischer Elektronen. F{\"u}r die nat{\"u}rliche Wachstumsfl{\"a}che der Chalkopyrite, die (112)-Oberfl{\"a}che, konnten so beide von der Theorie als stabil vorhergesagten Rekonstruktionen nachgewiesen werden. Dabei handelte es sich um die kupferreiche, durch CuIn-Defekte stabilisierte sowie die nah-st{\"o}chiometrische 2 VCu-stabilisierte Oberfl{\"a}che. Beide Konfigurationen stellen eine c(4x2)-Rekonstruktion gegen{\"u}ber dem Zinkblendegitter dar und entsprechen somit der nat{\"u}rlichen Ordnung des Chalkopyritgitters. Die mit der Umordnung der Oberfl{\"a}che verbundene Kupferanreicherung bzw. -verarmung konnte mittels Tiefenprofilierung der Elementkonzentration mit winkelaufgel{\"o}ster XPS nachgewiesen werden. F{\"u}r die Oberfl{\"a}che der Defektverbindung CuIn3Se5 wurde eine Sphaleritordnung gefunden, was auf eine Abwesenheit der Chalkopyritordnung im Volumen des Materials hindeutet. Die ungew{\"o}hnliche Stabilit{\"a}t der (112)-Oberfl{\"a}che konnte durch den Vergleich mit den Rekonstruktionen der (001)- und (220)-Fl{\"a}che gezeigt werden. Die so gewonnen Kenntnisse hinsichtlich Pr{\"a}paration und Eigenschaften der Oberfl{\"a}chen wurde herangezogen, um die Valenzbandstruktur des CuInSe2 mit winkelaufgel{\"o}ster Photoemission zu messen. An CuInSe2(001)-Proben sind die Hochsymmetrierichtung Gamma-T und Gamma-N des reziproken Raumes zug{\"a}nglich. Der Vergleich der experimentellen Ergebnisse mit Bandstrukturen der Dichtefunktionaltheorie offenbarte eine {\"u}berraschend genaue {\"U}bereinstimmung. Deutliche Abweichungen, wie sie etwa f{\"u}r d-Elektronenzust{\"a}nde in Zn-VI-Verbindungen beobachtet werden treten in CuInSe2 nicht auf. Die Gegen{\"u}berstellung der nah-st{\"o}chiometrischen mit der Defektverbindung f{\"u}r Proben in (112)-Orientierung zeigte eine energetische Verbreiterung der B{\"a}nder durch eine erh{\"o}hte Defektdichte sowie eine Reduktion der Dispersion: Diese kann als erh{\"o}hte Lokalisation der elektronischen Zust{\"a}nde im Material mit hoher Defektdichte aufgefasst werden. Schließlich wurden f{\"u}r die Anwendung in der Photovoltaik relevante Grenzfl{\"a}chen des CuInSe2 untersucht. Hervorzuheben ist hier die Valenzbanddiskontinuit{\"a}t mit CuIn3Se5, die sich aus der Absenkung des Valenzbandmaximums durch die reduzierte p-d-Abstoßung in der Defektverbindung ergibt. Diese Diskontinuit{\"a}t wurde mit Photoemission an epitaktischen Schichten nachgewiesen und betrug 0.28 eV, in guter {\"U}bereinstimmung mit Ergebnissen der Theorie. In direktem Kontakt mit dem Absorber steht die Pufferschicht, wobei als Cadmium-freie Alternative ZnO untersucht wurde, welches mittels metall-organischen Prekursoren abgeschieden wurde. Die Verschiebung des Fermi-Niveaus innerhalb der Bandl{\"u}cke in Folge der Grenzfl{\"a}chenausbildung f{\"u}hrt zur Bildung von Kupferfehlstellen im Absorber und damit zur Entstehung der kupferarmen Grenzschicht. Diese grenzt an eine nur ca. 1 nm dicke ZnSe-Schicht, welche der initiellen Wachstumsphase des ZnO entspricht. Unabh{\"a}ngig von der Zusammensetzung des Chalkopyritabsorbers bildet sich also eine CuIn3Se5/ZnSe-Grenzfl{\"a}che zwischen Absorber und Fensterschicht aus. Die gefundenen Bandanpassungen zwischen CuInSe2 und ZnSe bzw. ZnO zeigen keine Orientierungsabh{\"a}ngigkeit und entsprechen den theoretischen Ergebnissen. F{\"u}r den elektronischen Transport im Leitungsband ergibt sich eine vorteilhafte Situation.}, subject = {Kupferkies; Elektronenstruktur; Grenzfl{\"a}che; Photoemission; Photovoltaik; Chalkopyrit; Grenzfl{\"a}che; Elektronische Struktur; Photoemission; Photovoltaics; Chalcopyrite; Interfaces; Elektronic structure; Photoelectron spectroscopy}, language = {de} } @phdthesis{Calvet2002, author = {Calvet, Wolfram}, title = {Pr{\"a}paration und in-situ Charakterisierung MBE-gewachsener Kupferindiumdisulfid-Schichten}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000242}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2002}, abstract = {Die vorliegende Arbeit behandelt CuInS2-Filme, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf einkristallinen Si- und GaAs-Substraten unterschiedlicher Orientierung abgeschieden wurden. In-situ kamen dabei photoelektronenspektroskopische Analysemethoden und die Beugung niederenergetischer Elektronen zum Einsatz. Ex-situ wurden die Filme mittels R{\"o}ntgenstrukturanalyse, Ionenr{\"u}ckstreuung und Photolumineszenz untersucht. Zun{\"a}chst wurde die Bandanpassung des Si(111)/CuInS2(112)-Hetero{\"u}bergangs bestimmt, wobei die Grenzfl{\"a}che durch das Auftreten von Fremdphasen und durch Interdiffusion nicht ideal und stark gest{\"o}rt erscheint. Es wurde ein Grenzfl{\"a}chendipol von etwa 1 eV ermittelt. Der Vergleich der chemischen Zusammensetzung an der Filmoberfl{\"a}che und im Filmvolumen deutet auf einen Konzentrationsgradienten in der Schicht hin. Unabh{\"a}ngig vom Cu/In-Verh{\"a}ltnis wurde eine schwefelarme Oberfl{\"a}che gefunden. Zudem zeigen Cu-reiche CuInS2-Filme unabh{\"a}ngig von der Substratorientierung ein [112]-orientiertes Wachstum, wogegen im In-reichen Pr{\"a}parationsregime die Kristallorientierung des Substrates {\"u}bernommen wird.}, subject = {Kupferindiumsulfid; D{\"u}nne Schicht; Molekularstrahlepitaxie}, language = {de} } @phdthesis{Gerlich2012, author = {Gerlich, Lukas}, title = {In situ ARXPS Charakterisierung von tantalbasierten Barriereschichten}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-28485}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2012}, abstract = {Als eine Folge der Miniaturisierung aller integrierten elektrischen Bauteile wird der spezifische Widerstand der TaN/Ta Doppelsperrschichten ein zunehmend wichtiger Parameter f{\"u}r die Schaltgeschwindigkeit beim 32 nm Technologieknoten. In Rahmen dieser Arbeit wird die Optimierung der Abscheidung von TaN/Ta Stapeln durchgef{\"u}hrt, mit dem Ziel die Tantalnitridschichtdicke zu minimieren und das Tantal in der leitf{\"a}higeren alpha-Phase wachsen zu lassen. Im ersten Teil der Studie wurde in situ ARXPS verwendet, um das Wachstum von verschiedenen Tantalnitridschichten auf SiO2 und SiCOH in Abh{\"a}ngigkeit der Abscheidezeit, des Stickstoffflusses und der Abscheideleistung zu untersuchen. Im zweiten Teil wurde die kristalline Phase 20 nm dicken Tantal Schichten abgeschieden auf verschiedenen Tantalnitridschichten, die in der Wachstumsstudie vorgestellt worden sind, untersucht. Die wichtigsten Erkenntnisse sind das Auftreten von Tantalkarbid und Tantalsilizid als Zwischenschichtverbindungen bei der Abscheidung auf SiCOH und nur Tantalsilizid f{\"u}r die Abscheidung auf SiO2. Demzufolge w{\"a}chst alpha-Tantal vorzugsweise auf Tantalkarbid und stickstoffreichen Zwischenschichten, w{\"a}hrend Silizid an der Schnittstelle das Wachstum von beta-Tantal f{\"o}rdert. Um die Ergebnisse zu {\"u}berpr{\"u}fen, wurden zwei weitere Modifikationen des Interfaces untersucht. So wurde eine kleinere Bias-Leistung f{\"u}r eine Abscheidung von Tantalnitrid auf SiO2 benutzt, um die Rolle des Tantalsilizids zu best{\"a}tigen. Außerdem wurde eine thermische Behandlung einer d{\"u}nnen Tantalschicht auf SiCOH durchgef{\"u}hrt, um die Rolle des Tantalkarbids zu best{\"a}tigen. Schließlich ergab die Kontaktwiderstandsmessung in Viaketten auf strukturierten Wafern f{\"u}r vier ausgew{\"a}hlte Prozesse tendenziell den gleichen Verlauf wie die Schichtwiderstandsergebnisse der entsprechenden Barrierenaufbauten der Experimente auf blanken Testwafern.}, subject = {Photoelektronenspektroskopie; Tantal; ARXPS; Barriere; Interface; Tantalum; ARXPS; Barrier; Interface}, language = {de} } @phdthesis{Meier2004, author = {Meier, Ulrich}, title = {Grenzfl{\"a}chenverhalten und Morphologie des ZnO/Si-Heterokontaktes}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000551}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2004}, abstract = {Als Modellsystem f{\"u}r gleichrichtende Heterokontakte von D{\"u}nnschichtsolarzellen wurden polykristalline ZnO-Filme auf Si mittels Magnetron-Sputtern und metallorganischer Gasstrahldeposition (MOCBD) abgeschieden. Mit Photoelektronenspektroskopie wurden bis zu 3 chemische Grenzfl{\"a}chenkomponenten gefunden: SiOx, eine Willemit-artige Mischphase und reduziertes Zn0. Letzteres kann {\"u}ber die Sputterparameter Bias-Potenzial und O2-Partialdruck kontrolliert werden. Mit MOCBD wurden auf Si(111):H abrupte Heterokontakte pr{\"a}pariert. Ferner tritt an Korngrenzen und der Oberfl{\"a}che Hydroxid auf. Dies kann durch Heizen entfernt werden. W{\"a}hrend der Messungen traten energetische Verschiebungen der Spektren auf, die die Auswertung der Grenzfl{\"a}chenenergetik st{\"o}ren. Zur Erkl{\"a}rung wurde folgendes Modell entwickelt: In einem schnellen Oberfl{\"a}chenprozess findet Photolyse von Hydroxid statt, wodurch H2O oder mobile OH-Gruppen gebildet werden, die Sauerstoffvakanzen ausheilen und so die n-Dotierung vermindern. In einem langsameren Volumenprozess wird durch Photolyse von ZnO die n-Dotierung erh{\"o}ht.}, subject = {Silicium; Zinkoxid; Magnetronsputtern; MOCVD-Verfahren; Photoelektronenspektroskopie; ZnO; Si; Interface reaction; XPS; PES}, language = {de} } @phdthesis{Schweizer2004, author = {Schweizer, Stefan}, title = {Dynamisches Verhalten von Silizium-Elektroden in Fluor-haltigen Elektrolyten}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000526}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2004}, abstract = {Einige Effekte von Silizium sind bis heute ungekl{\"a}rt. Dazu z{\"a}hlt Oxidation von hoch-dotiertem n-Si in Fluor-haltigen S{\"a}uren im Dunkeln. Diese Oxidation wurde erstmals systematisch untersucht und zur Grundlage eines Modells f{\"u}r Elektroneninjektion gemacht. Die angenommenen Oberfl{\"a}chenkomplexen erkl{\"a}ren den Einsatz der Kennlinien. Weitere Untersuchungen zur Identifizierung des Komplexes sowie seiner energetischen Position bieten sich an. Mit zyklischen Voltammogrammen wurde gezeigt, dass die Vorschubgeschwindigkeit des Potentials entscheidend f{\"u}r die Gestalt der Kennlinien ist. Schon 20mV/s ist f{\"u}r das untersuchte System zu schnell, um einen Gleichgewichtszustand zu erreichen. Dies wird durch die Ausbildung von Hysteresen klar erkennbar. Der initielle Strompuls zeigt eine vielfache Stromdichte gegen{\"u}ber den bekannten Werten der nachfolgenden Oszillationspulse. Die Wasserstoff-terminierte Grenzfl{\"a}che wird innerhalb weniger Zehntelsekunden oxidiert und passiviert. Alle nachfolgenden Strompulse k{\"o}nnen als weniger gut synchronisierte Oxidationen verstanden werden.}, subject = {Silicium; Elektrochemische Oxidation; Cyclovoltammetrie; Silizium; Oxidation; Voltammogramm; Injektion ; AFM}, language = {de} } @phdthesis{Staedter2014, author = {St{\"a}dter, Matthias}, title = {Untersuchungen zu Fanoresonanzen in der resonanten Photoelektronenspektroskopie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-31860}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2014}, abstract = {Im Mittelpunkt der vorliegenden Arbeit stehen die Untersuchung von Fanointerferenzen innerhalb der wissenschaftlichen Methode der resonanten Photoelektronenspektroskopie. Basis dieser Methode ist die Interpretation aus dem Festk{\"o}rper emittierter Elektronen. Die detektierten Elektronen k{\"o}nnen dabei aus direkten Photoemissionen oder Deaktivierungsprozessen (Spectator-/Participator-Zerf{\"a}lle) nach resonanten Anregungen von Rumpfelektronen stammen. F{\"u}hren beide Prozesse zum selben Systemendzustand, k{\"o}nnen die emittierten Elektronen interferieren, was sich in der Auspr{\"a}gung eines charakteristischen Intensit{\"a}tsprofils, dem Fano-Profil, {\"a}ußert. Die Form des Intensit{\"a}tsprofils kann dabei {\"u}ber den Fanoparameter q beschrieben werden. Im Rahmen dieser Arbeit erfolgte die Diskussion von Fanointerferenzen an organischen (HOPG, Graphenflocken) und oxidischen (CuO, In2O3, SiO2) Materialsystemen. Im HOPG und den untersuchten Graphenflocken konnten mittels der Analyse der Fanoprofile exzitonische Zust{\"a}nde innerhalb der Bandl{\"u}cke nachgewiesen werden. Durch die Untersuchungen am CuO konnte die Variation des Fanoparameters in Abh{\"a}ngigkeit vom Grundzustand des Systems gezeigt werden. Die f{\"u}r die untersuchten In2O3 Einristalle beobachteten Interferenzen beruhen auf der Existenz besetzter Zust{\"a}nde an der Fermienergie. Abschließend konnte eine Korrelation des jeweils auftretenden Fanoparameters mit den beobachteten multi-hole-Auger-Zerf{\"a}llen nachgewiesen werden.}, subject = {Fano; Fanointerferenzen; Festk{\"o}rperphysik; In-gap Zust{\"a}nde; Resonante Photoelektronenspektroskopie; Fano-Effekt; Photoelektronenspektroskopie}, language = {de} } @phdthesis{Sohal2006, author = {Sohal, Rakesh}, title = {CVD growth of (001) and (111) 3C-SiC epilayers and their interface reactivity with praseodymium oxide dielectric layers}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-121}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2006}, abstract = {In this work, growth and characterisation of 3C-SiC thin films, investigation of oxidation of thus prepared layers and Pr-silicate and AlON based interface with SiC have been studied. Chemical vapor deposition of 3C-SiC thin films on Si(001) and Si(111) substrates has been investigated. Prior to the actual SiC growth, preparation of initial buffer layers of SiC was done. Using such a buffer layer, epitaxial growth of 3C-SiC has been achieved on Si(111) and Si(001) substrates. The temperature of 1100°C and 1150°C has been determined to be the optimal temperature for 3C-SiC growth on Si (111) and Si(001) substrates respectively. The oxidation studies on SiC revealed that a slow oxidation process at moderate temperatures in steps was useful in reducing and suppressing the g-C at the SiO2/SiC interface. Clean, graphitefree SiO2 has been successfully grown on 3C-SiC by silicon evaporation and UHV anneal. For the application of high-k Pr2O3 on silicon carbide, plausible interlayer, Pr-Silicate and AlON, have been investigated. Praseodymium silicate has been prepared successfully completely consuming the SiO2 and simultaneously suppressing the graphitic carbon formation. A comparatively more stable interlayer using AlON has been achieved. This interlayer mainly consists of stable phases of AlN along with some amount of Pr-aluminates and CN. Such layers act as a reaction barrier between Pr2O3 and SiC, and simultaneously provide higher band offsets.}, subject = {Siliciumcarbid; Kristallfl{\"a}che; Dielektrische Schicht; CVD-Verfahren; Oxidation; Oxidation}, language = {en} }