@phdthesis{Luo2018, author = {Luo, Peng}, title = {GaN HEMT modeling including trapping effects based on Chalmers model and pulsed S-parameter measurements}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-45981}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2018}, abstract = {Although GaN HEMTs are regarded as one of the most promising RF power transistor technologies thanks to their high-voltage high-speed characteristics, they are still known to be prone to trapping effects, which hamper achievable output power and linearity. Hence, accurately and efficiently modeling the trapping effects is crucial in nonlinear large-signal modeling for GaN HEMTs. This work proposes a trap model based on an industry standard large-signal model, named Chalmers model. Instead of a complex nonlinear trap description, only four constant parameters of the proposed trap model need to be determined to accurately describe the significant impacts of the trapping effects, e.g., drain-source current slump, typical kink observed in pulsed I/V characteristics, and degradation of the output power. Moreover, the extraction procedure of the trap model parameters is based on pulsed S-parameter measurements, which allow to freeze traps and isolate the trapping effects from self-heating. The model validity is tested through small- and large-signal model verification procedures. Particularly, it is shown that the use of this trap model enables a dramatical improvement of the large-signal simulation results.}, subject = {GaN HEMTmodeling; Trapping effect modeling; Drain-lag effect; GaN HEMT Modellierung; Trapping-Effekt Modellierung; Drain-Lag Effekt; Galliumnitrid; HEMT; Großsignalverhalten}, language = {en} } @phdthesis{Andrei2018, author = {Andrei, Andreea Cristina}, title = {Untersuchung und Optimierung robuster und hochlinearer rauscharmer Verst{\"a}rker in GaN-Technologie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-44782}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2018}, abstract = {Die n{\"a}chste Generation von integrierten Sende- und Empfangsystemen erfordert sowohl robuste rauscharme Verst{\"a}rker als auch Leistungsverst{\"a}rker auf einem einzelnen Chip. Die GaN-HEMT-Technologie hat bisher gezeigt, dass sie durch ihre hohen Durchbruchspannungen, die hohe Elektronenbeweglichkeit und die niedrige Rauschzahl ein guter Kandidat f{\"u}r die Realisierung solcher Systeme ist. Diese Arbeit besch{\"a}ftigt sich mit hochlinearen und robusten rauscharmen Verst{\"a}rkern, welche in Sender-Empf{\"a}nger-Systeme integriert werden k{\"o}nnen. Zuerst wird der GaN HEMT charakterisiert. Die Eigenschaften von Transistoren werden w{\"a}hrend des Burn-in Prozesses und gepulster Anregung mit hoher {\"U}berlast am Eingang analysiert. Damit werden die Grundlagen f{\"u}r das Verst{\"a}ndnis des Verhaltens eines Verst{\"a}rkers w{\"a}hrend und nach der {\"U}bersteuerung am Eingang gelegt. Der Hauptteil dieser Arbeit zeigt die Entwicklung und die Charakterisierung von robusten rauscharmen Verst{\"a}rkern. Dar{\"u}ber hinaus wird ein neues Konzept f{\"u}r die Steigerung der Robustheit entwickelt, gemessen und charakterisiert. Das Konzept verwendet eine neuartige Zusammenschaltung zweier Transistoren am Verst{\"a}rkereingang, wodurch die Spannungsfestigkeit gegen{\"u}ber hohen Leistungspegeln gesteigert wird. Damit konnten H{\"o}chstwerte von +44dBm mit CW-Anregung und +47dBm mit gepulster Anregung am Verst{\"a}rkereingang ohne Besch{\"a}digung demonstriert werden.}, subject = {GaN HEMT; Rauscharme Verst{\"a}rker; Robustheit; Stacked Verst{\"a}rker; {\"U}bersteuerung mit hoher Eingangsleistung; GaN HEMT; Low noise amplifier; Ruggedness; Stacked amplifier; Input power overdrive; Rauscharmer Verst{\"a}rker; Galliumnitrid; HEMT; Robuste Regelung}, language = {de} }