@phdthesis{Mai2010, author = {Mai, Andreas}, title = {Integration von LDMOS-Transistoren f{\"u}r Hochfrequenzanwendungen in eine 0.13µm-SiGe:C-BiCMOS-Technologie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-20740}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2010}, abstract = {Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit der Entwicklung von MOS-Transistoren mit lateral erweitertem Drainanschluss (LDMOS) und deren Integration in eine 0.13µm SiGe:C-BiCMOS-Technologie. In dieser Technologie stehen neben SiGe-Heterobipolartransistoren (HBT) auch komplement{\"a}re MOS Feldeffekttransistoren (MOSFET) f{\"u}r Betriebsspannungen von 1.2V und 3.3V sowie passive Bauelemente, wie z.B. integrierte Kondensatoren, Widerst{\"a}nde und Spulen, zur Verf{\"u}gung. Die 0.13µm-BiCMOS-Technologie verbindet so die Vorteile eines skalierten CMOS-Prozesses, z.B. f{\"u}r Digitalschaltungen mit hohen Rechenleistungen, mit den sehr guten Hochfrequenzeigenschaften der SiGe-HBTs. Damit erm{\"o}glicht sie neuartige Anwendungen im Millimeterwellenbereich, wie z.B. in optischen Netzwerken mit {\"U}bertragungsraten {\"u}ber 100 Gb/s oder in drahtlosen Kommunikationssystemen. Die zus{\"a}tzliche Integration von Hochvolt-MOSFETs, mit der sich diese Arbeit befasst, erm{\"o}glicht eine erweiterte Funktionalit{\"a}t der mittels der BiCMOS-Technologie herstellbaren Schaltkreise. In der Regel verlangt die Herstellung von Hochvolttransistoren in etablierten BiCMOS- oder CMOS-Umgebungen meist zus{\"a}tzlichen Prozessaufwand zu den Standardabl{\"a}ufen. Ein wesentliches Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung von Integrationskonzepten die diesen technologischen Mehraufwand minimieren. Im ersten Teil dieser Arbeit wird ein Integrationskonzept entwickelt, welches die Herstellung komplement{\"a}rer LDMOS-Transistoren erlaubt, d.h. LDMOS-Transistoren mit n-Kanal (NLDMOS) als auch p-Kanal (PLDMOS), und einen zus{\"a}tzlichen Maskenschritt pro Transistortyp im Vergleich zum Basisprozess erfordert. Dabei wird speziell die Driftregion des NLDMOS-Transistors und insbesondere der Einfluss eines innerhalb der n-dotierten Driftregion realisierten p-dotierten Gebietes untersucht. Im zweiten Teil dieser Arbeit wird ein neuartiges Prinzip zur Realisierung von Hochvolttransistoren ohne zus{\"a}tzlichen Prozessaufwand vorgestellt. Dabei wird die schwach dotierte Driftregion durch eine spezielle Kombination von Implantationen des Basis-CMOS-Prozesses hergestellt. Das vorgestellte Konzept wird so optimiert, dass es auch die Realisierung von komplement{\"a}ren Hochvolttransistoren erlaubt. Trotz des minimalen bzw. keines technologischen Mehraufwandes bei der Realisierung der komplement{\"a}ren Transistoren erzielen die Bauelemente Spitzenwerte in den Grenzfrequenzen bei den entsprechenden maximalen Betriebs- und Durchbruchspannungen f{\"u}r Si-basierte LDMOS-Transistoren.}, subject = {CMOS-Schaltung; Digitale integrierte Schaltung; SiGe-BICMOS; LDMOS-Transistoren; High-voltage; Si-LDMOS; Radio frequency; SiGe-BiCMOS}, language = {de} }