@phdthesis{Racec2002, author = {Racec, Elena Roxana}, title = {Electrons and optical phonons in mesoscopic semiconductor heterostructures}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000220}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2002}, abstract = {We analyze here some electron properties and lattice dynamics in semiconductor heterostructures, pointing out the dramatic changes relative to the bulk properties due to the existence of the interfaces in these systems. The first part of the study is devoted to the electron scattering phenomena in noninteracting open systems and to the transport properties described in the Landauer-B{\"u}ttiker formalism. We develop a resonant theory of transport and apply it first to the conductance through a quantum dot embedded in a quantum wire and second to the capacitance of a two dimensional electron gas formed in a MIS-type semiconductor heterostructure. In the second part of the study we illustrate the four major new features of the optical phonon spectra in a strained semiconductor heterostructure in contrast to an unstrained one. The results are particularized for double heterostructures InP/GaAs/InP grown on the faces (001) and (111) of the substrate.}, subject = {Halbleiter; Mesoskopisches System; Heterostruktur; Elektron; Optisches Phonon; Semiconductor nanostructures; Transport; Open systems; Resonance theory; Electron-optical phonon interaction}, language = {en} } @phdthesis{Racec2002, author = {Racec, Paul Nicolae}, title = {Transport phenomena and capacitance of open quantum semiconductor nanostructures}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000211}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2002}, abstract = {We consider semiconductor devices at very low temperatures, composed of a mesoscopic quantum structure (QS) constituting the active region contacted by ideal probes with infinite conductivity. The coherent transport through the QS is described in the Landauer-B{\"u}ttiker formalism. We perform self-consistent calculations for the electron density in the QS. We present a capacitance model that takes into account the openness of the QS and the existence of finite contacts embedding the system. For single-barrier tunnelling structures, we present the implicit connection between the capacitance and the conductance. For a field induced two-dimensional electron gas in a special GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure we present a detailed analysis of the coupling to the contact reservoir. Excellent quantitative agreement in the C-V characteristic is obtained. It is also analized the conductivity of systems with confinement in more dimensions.}, subject = {Galliumarsenid; Heterostruktur; Elektronischer Transport; Kapazit{\"a}ts-Spannungs-Kennlinie; S-Matrix; Semiconductor nanostructures; Transport; Open systems; Resonance theory; Capacitance}, language = {en} } @phdthesis{Sonner2004, author = {Sonner, Marcus}, title = {Sch{\"a}digungsmechanische Charakterisierung kunststoffvergossener Bauteile - Sch{\"a}digungslokalisation und Lebensdauervorhersage}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000441}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2004}, abstract = {Die Arbeit stellt ein viskoelastisches Sch{\"a}digungsmodell f{\"u}r ein hochgef{\"u}lltes Reaktionsharz vor, das zur Verpackung elektronischer Bauteile eingesetzt wird. Durch Kopplung mit einem isotropen Sch{\"a}digungsmaß lassen sich aus dem linear viskoelastischen Materialverhalten des Kunststoffs die Materialgleichungen des Sch{\"a}digungsmodells ableiten. Die Sch{\"a}digungsparameter werden in dehnungsgesteuerten Zyklusversuchen charakterisiert. Unter Verwendung des Newton-Raphson-Verfahrens kann das abgeleitete Sch{\"a}digungsmodell numerisch stabil in ein FE-Programm implementiert werden. Zur Untersuchung der Sch{\"a}digungslokalisation wird f{\"u}r eine geeignete Demonstrator-Geometrie das Sch{\"a}digungsfeld simuliert und experimentell durch Grauwert-Korrelation nachgewiesen. Durch das Sch{\"a}digungsmodell l{\"a}sst sich die Lebensdauer des gef{\"u}llten Kunststoffs unter zyklischer Belastung vorhersagen. Durch {\"U}bereinstimmung mit dem bekannten Coffin-Manson-Modell kann das vorgestellte Sch{\"a}digungsmodell verifiziert werden.}, subject = {Kunststoffverpackung; Gießharz; F{\"u}llstoff; Schadensmechanik; Sch{\"a}digungsmechanik; Sch{\"a}digungsmodell; Viskoelastizit{\"a}t; Grauwert-Korrelation; Coffin-Manson}, language = {de} }