@phdthesis{Haeberle2016, author = {Haeberle, J{\"o}rg}, title = {Transparente leitf{\"a}hige Metalloxideinkristalle und amorphe oxidische D{\"u}nnschichtsysteme - Eine photoelektronenspektroskopische Vergleichsstudie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-40356}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2016}, abstract = {Die Materialklasse der transparenten leitenden Metalloxide (engl. transparent conducting oxides (TCO)) und amorphen oxidischen D{\"u}nnschichtsysteme (engl. amorphous oxidic semiconductors (AOS)) sind {\"u}beraus faszinierend, da sie gegens{\"a}tzliche physikalische Eigenschaften, wie Transparenz und hohe Leitf{\"a}higkeit in sich vereinen. Die zugrunde liegenden physikalischen Mechanismen sind immer noch unklar und werden in dieser Dissertation beleuchtet. Dazu wurde die resonante Photoelektronenspektroskopie (resPES)gew{\"a}hlt, da sie sich in den letzten Jahren als vielseitiges Werkzeug f{\"u}r die detaillierte Untersuchung der elektronischen Struktur und der Identifikation von Defekten ausgezeichnet hat. Im Rahmen dieser Arbeit ergab sie die einmalige M{\"o}glichkeit, sowohl hoch qualitative TCO-Einkristalle (ZnO, Ga2O3, In2O3 und SnO2) als auch amorphe oxidische D{\"u}nnschichtsysteme (GIZO und SnOx) photeelektronenspektroskopisch zu untersuchen und zu vergleichen. Somit wird gezeigt, dass die elektronische Struktur der Materialklasse der TCO und ihrer korrespondierenden AOS mehr Gemeinsamkeiten aufweisen, als bisher erwartet wurde. Es zeigt sich, dass die Bandl{\"u}cke, im eigentlichen Sinne, in der Materialklasse der TCO und AOS nicht existiert. Lokalisierte Zust{\"a}nde f{\"u}llen den gesamten Bereich dieser Bandl{\"u}cke aus und reichen zum Teil in das Valenzband (VB) und Leitungsband (CB) hinein. Dies f{\"u}hrt dazu, dass es keine, wie bisher gedacht, scharfen Grenzen zwischen lokalisierten und delokalisierten Zust{\"a}nden gibt. Um dies zu verdeutlichen wird ein neuartiges Modell eingef{\"u}hrt, das aufzeigt, dass die Wechselwirkung von metallischen d- und s-Niveaus in einer {\"O}ffnung der d-Schale resultiert. Durch Charge-Transfer (CT)-Mechanismen und weitere Hybridisierung mit metallischen unbesetzten p-Zust{\"a}nden folgt eine st{\"a}rkere Lokalisierung. Die Diskussion wird begonnen mit der Kl{\"a}rung der Elementeverh{\"a}ltnisse der untersuchten Materialsysteme. Darauf folgt die Charakterisierung von intrinsischen Defekten und ihren Beitr{\"a}gen auf die elektronische Struktur. Abschließend werden die elektronischen Strukturen der AOS mit denen der korrespondierenden TCO verglichen.}, subject = {Metalloxide; D{\"u}nnschichtsysteme; ResPES; Experimentelle partielle Zustandsdichte; Intrinsische Bandl{\"u}ckenzust{\"a}nde; TCO; AOS; ResPES; Experimental pDOS; Intrinsic gap states; Metalloxide; Photoelektronenspektroskopie; Elektronenstruktur; Zustandsdichte; Energiel{\"u}cke}, language = {de} }