@phdthesis{Calvet2002, author = {Calvet, Wolfram}, title = {Pr{\"a}paration und in-situ Charakterisierung MBE-gewachsener Kupferindiumdisulfid-Schichten}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000242}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2002}, abstract = {Die vorliegende Arbeit behandelt CuInS2-Filme, die mittels Molekularstrahlepitaxie auf einkristallinen Si- und GaAs-Substraten unterschiedlicher Orientierung abgeschieden wurden. In-situ kamen dabei photoelektronenspektroskopische Analysemethoden und die Beugung niederenergetischer Elektronen zum Einsatz. Ex-situ wurden die Filme mittels R{\"o}ntgenstrukturanalyse, Ionenr{\"u}ckstreuung und Photolumineszenz untersucht. Zun{\"a}chst wurde die Bandanpassung des Si(111)/CuInS2(112)-Hetero{\"u}bergangs bestimmt, wobei die Grenzfl{\"a}che durch das Auftreten von Fremdphasen und durch Interdiffusion nicht ideal und stark gest{\"o}rt erscheint. Es wurde ein Grenzfl{\"a}chendipol von etwa 1 eV ermittelt. Der Vergleich der chemischen Zusammensetzung an der Filmoberfl{\"a}che und im Filmvolumen deutet auf einen Konzentrationsgradienten in der Schicht hin. Unabh{\"a}ngig vom Cu/In-Verh{\"a}ltnis wurde eine schwefelarme Oberfl{\"a}che gefunden. Zudem zeigen Cu-reiche CuInS2-Filme unabh{\"a}ngig von der Substratorientierung ein [112]-orientiertes Wachstum, wogegen im In-reichen Pr{\"a}parationsregime die Kristallorientierung des Substrates {\"u}bernommen wird.}, subject = {Kupferindiumsulfid; D{\"u}nne Schicht; Molekularstrahlepitaxie}, language = {de} }