@incollection{SteegTebartDuelmeetal., author = {Steeg, Matthias and Tebart, Jonas and D{\"u}lme, Sebastian and St{\"o}hr, Andreas and Exner, Florian and Czylwik, Andreas and Alissa, Mai and Kaiser, Thomas}, title = {Tera50+ : sub-mm-wave 100 Gbit/s fiber-wireless transmission system}, series = {Wireless 100 Gbps and beyond : architectures, approaches and findings of German Research Foundation (DFG) Priority Programme SPP1655}, booktitle = {Wireless 100 Gbps and beyond : architectures, approaches and findings of German Research Foundation (DFG) Priority Programme SPP1655}, doi = {10.26127/BTUOpen-5909}, publisher = {BTU Cottbus - Senftenberg}, pages = {75 -- 108}, abstract = {In 2012 a group of researchers proposed a basic research initiative to the German Research Foundation (DFG) as a special priority project (SPP) with the name: Wireless 100 Gbps and beyond. The main goal of this initiative was the investigation of architectures, technologies and methods to go well beyond the state of the art. The target of 100 Gbps was set far away from the (at that time) achievable 1 Gbps such that it was not possible to achieve promising results just by tuning some parameters. We wanted to find breakthrough solutions. When we started the work on the proposal we discussed the challenges to be addressed in order to advancing the wireless communication speed significantly. Having the fundamental Shannon boundary in mind we discussed how to achieve the 100 Gbps speed.}, subject = {100 Gbps; Wireless; Drahtlos; Tera50+; Fiber-wireless transmission system; Glasfaser-Funk-{\"U}bertragungssystem; Drahtloses Sensorsystem; Hochfrequenztechnik; Antenne; Terahertzbereich; Energieffizienz}, language = {en} } @phdthesis{Mai2010, author = {Mai, Andreas}, title = {Integration von LDMOS-Transistoren f{\"u}r Hochfrequenzanwendungen in eine 0.13µm-SiGe:C-BiCMOS-Technologie}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-opus-20740}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2010}, abstract = {Die vorliegende Arbeit befaßt sich mit der Entwicklung von MOS-Transistoren mit lateral erweitertem Drainanschluss (LDMOS) und deren Integration in eine 0.13µm SiGe:C-BiCMOS-Technologie. In dieser Technologie stehen neben SiGe-Heterobipolartransistoren (HBT) auch komplement{\"a}re MOS Feldeffekttransistoren (MOSFET) f{\"u}r Betriebsspannungen von 1.2V und 3.3V sowie passive Bauelemente, wie z.B. integrierte Kondensatoren, Widerst{\"a}nde und Spulen, zur Verf{\"u}gung. Die 0.13µm-BiCMOS-Technologie verbindet so die Vorteile eines skalierten CMOS-Prozesses, z.B. f{\"u}r Digitalschaltungen mit hohen Rechenleistungen, mit den sehr guten Hochfrequenzeigenschaften der SiGe-HBTs. Damit erm{\"o}glicht sie neuartige Anwendungen im Millimeterwellenbereich, wie z.B. in optischen Netzwerken mit {\"U}bertragungsraten {\"u}ber 100 Gb/s oder in drahtlosen Kommunikationssystemen. Die zus{\"a}tzliche Integration von Hochvolt-MOSFETs, mit der sich diese Arbeit befasst, erm{\"o}glicht eine erweiterte Funktionalit{\"a}t der mittels der BiCMOS-Technologie herstellbaren Schaltkreise. In der Regel verlangt die Herstellung von Hochvolttransistoren in etablierten BiCMOS- oder CMOS-Umgebungen meist zus{\"a}tzlichen Prozessaufwand zu den Standardabl{\"a}ufen. Ein wesentliches Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung von Integrationskonzepten die diesen technologischen Mehraufwand minimieren. Im ersten Teil dieser Arbeit wird ein Integrationskonzept entwickelt, welches die Herstellung komplement{\"a}rer LDMOS-Transistoren erlaubt, d.h. LDMOS-Transistoren mit n-Kanal (NLDMOS) als auch p-Kanal (PLDMOS), und einen zus{\"a}tzlichen Maskenschritt pro Transistortyp im Vergleich zum Basisprozess erfordert. Dabei wird speziell die Driftregion des NLDMOS-Transistors und insbesondere der Einfluss eines innerhalb der n-dotierten Driftregion realisierten p-dotierten Gebietes untersucht. Im zweiten Teil dieser Arbeit wird ein neuartiges Prinzip zur Realisierung von Hochvolttransistoren ohne zus{\"a}tzlichen Prozessaufwand vorgestellt. Dabei wird die schwach dotierte Driftregion durch eine spezielle Kombination von Implantationen des Basis-CMOS-Prozesses hergestellt. Das vorgestellte Konzept wird so optimiert, dass es auch die Realisierung von komplement{\"a}ren Hochvolttransistoren erlaubt. Trotz des minimalen bzw. keines technologischen Mehraufwandes bei der Realisierung der komplement{\"a}ren Transistoren erzielen die Bauelemente Spitzenwerte in den Grenzfrequenzen bei den entsprechenden maximalen Betriebs- und Durchbruchspannungen f{\"u}r Si-basierte LDMOS-Transistoren.}, subject = {CMOS-Schaltung; Digitale integrierte Schaltung; SiGe-BICMOS; LDMOS-Transistoren; High-voltage; Si-LDMOS; Radio frequency; SiGe-BiCMOS}, language = {de} }