@phdthesis{Meier2004, author = {Meier, Ulrich}, title = {Grenzfl{\"a}chenverhalten und Morphologie des ZnO/Si-Heterokontaktes}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000551}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2004}, abstract = {Als Modellsystem f{\"u}r gleichrichtende Heterokontakte von D{\"u}nnschichtsolarzellen wurden polykristalline ZnO-Filme auf Si mittels Magnetron-Sputtern und metallorganischer Gasstrahldeposition (MOCBD) abgeschieden. Mit Photoelektronenspektroskopie wurden bis zu 3 chemische Grenzfl{\"a}chenkomponenten gefunden: SiOx, eine Willemit-artige Mischphase und reduziertes Zn0. Letzteres kann {\"u}ber die Sputterparameter Bias-Potenzial und O2-Partialdruck kontrolliert werden. Mit MOCBD wurden auf Si(111):H abrupte Heterokontakte pr{\"a}pariert. Ferner tritt an Korngrenzen und der Oberfl{\"a}che Hydroxid auf. Dies kann durch Heizen entfernt werden. W{\"a}hrend der Messungen traten energetische Verschiebungen der Spektren auf, die die Auswertung der Grenzfl{\"a}chenenergetik st{\"o}ren. Zur Erkl{\"a}rung wurde folgendes Modell entwickelt: In einem schnellen Oberfl{\"a}chenprozess findet Photolyse von Hydroxid statt, wodurch H2O oder mobile OH-Gruppen gebildet werden, die Sauerstoffvakanzen ausheilen und so die n-Dotierung vermindern. In einem langsameren Volumenprozess wird durch Photolyse von ZnO die n-Dotierung erh{\"o}ht.}, subject = {Silicium; Zinkoxid; Magnetronsputtern; MOCVD-Verfahren; Photoelektronenspektroskopie; ZnO; Si; Interface reaction; XPS; PES}, language = {de} }