@phdthesis{Schulz2001, author = {Schulz, Detlev}, title = {Wachstumsph{\"a}nomene und Stickstoffdotierung bei der Sublimationsz{\"u}chtung von 6H-Siliciumcarbid}, url = {http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:co1-000000044}, school = {BTU Cottbus - Senftenberg}, year = {2001}, abstract = {Die Keimoberfl{\"a}che ist durch das Vorhandensein einer St{\"o}rschicht charakterisiert, die durch die mechanische Kristallbearbeitung hervorgerufen wird. Diese Schicht kann die Ursache f{\"u}r zus{\"a}tzliche Defekte sein. Die Untersuchungen der Oberfl{\"a}chenmorphologie zeigen, daß ein {\"U}berschuß an Silicium im Quellmaterial notwendig ist, um ein defektfreies Wachstum in den ersten Stadien zu erm{\"o}glichen. Sowohl ein Oxidationsschritt vor dem Wachstum als auch die Anwendung von fehlorientierten Keimen f{\"u}hrten nicht zum gew{\"u}nschten Stufenfluß. Im Konzentrationsbereich von 1x10^18 <= c_N (cm^-3) <= 3x10^19 wurden 6H-SiC-Einkristalle gez{\"u}chtet, sowohl auf (0001)- als auch (000-1)-Keimen. Der Einbau von Stickstoff bewirkt das Absinken der Wachstumsgeschwindigkeit, was mit dem ''site-competition''-Modell erkl{\"a}rt werden kann. Die S{\"a}ttigung der Stickstoffkonzentration im Kristall in Abh{\"a}ngigkeit vom N_2/Ar-Verh{\"a}ltnis konnte durch eine Langmuir-Isotherme beschrieben werden. Die Polarit{\"a}t der Keimoberfl{\"a}che beeinflußt den Stickstoffeinbau. Die Stickstoffkonzentration im gewachsenen Kristall ist auf der C-terminierten Fl{\"a}che ca. doppelt so hoch wie auf der Si-terminierten. Es wurde gezeigt, daß die Oberfl{\"a}chenmorphologie zus{\"a}tzlich zur Keimpolarit{\"a}t den Stickstoffeinbau beeinflußt.}, subject = {Siliciumcarbid; Polytypie; Kristallz{\"u}chtung; Stickstoff; Dotierung; Siliciumcarbid; 6H-Polytyp; Einkristallz{\"u}chtung; Stickstoffeinbau; Oberfl{\"a}chenmorphologie}, language = {de} }