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Glühentladung optischer Ausstrahlungsspektroskopie (GDOES) wurde ursprünglich für die elementare Analyse von Größenmaterialien entwickelt. Mehrere Gruppen führten diese Methode zur Analyse von Anstrichen, Laienstapeln und dünnen Filmen durch. In den frühen Neunzigern wurde eine ISO-TC 201-Arbeitsgruppe gegründet, um Normen für alle Formen der Glühentladungsspektroskopie (GDS) zu entwickeln und die Fähigkeiten der Oberflächenchemikalien-Analyse zu beurteilen, insbesondere für die Tiefe von gestuften Systemen. Die Quantifizierung von Tiefenprofilen, d.h. die Umwandlung von Intensitäts-Zeit- Profilen in Konzentrierungs-Tiefen-Profile ist für dc-mode entwickelt worden. 1997 wurde ein VAMAS TWA 2 Vorschlag für ein Referenzanstrich für GD-OES Tiefe gemacht. Entsprechend dem VAMAS Beurteilungsverfahren wurde dieser Vorschlag 1998 mit einigen geringfügigen Änderungen genehmigt.
A new type of test sample for the determination of lateral resolution in surface analysis is presented. The certified reference material BAM-L002 Nanoscale strip pattern for length calibration and testing of lateral resolution is an embedded cross-section of epitaxially grown layers of AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs on GaAs substrate. The surface of the sample provides a flat pattern with strip widths of 0.4-500 nm. The combination of gratings, isolated narrow strips and sharp edges of wide strips offers improved possibilities for the calibration of a length scale, the determination of lateral resolution and the optimization of instrument settings. The feasibility of the reference material for an analysis of lateral resolution is demonstrated for SIMS.