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Phasenbildung in Metall-Halbleiterkontaktschichten und Präparationstechnik für TEM-Untersuchung
(1995)
TEM-Untersuchungen der Randzonenschädigung von Aluminiumoxidkeramiken nach Schleifbearbeitung
(1996)
Es werden elektronenmikroskopische Untersuchungsergebnisse an Al2O3-Keramiken, die verschiedenen Oberflächenbearbeitungsverfahren unterworfen wurden, vorgestellt.
Die Untersuchungen dienen dem Ziel der Optimierung der Oberflächenbearbeitung von keramischen Werkstoffen, wobei der Einfluß leistungsfähiger Bearbeitungsverfahren auf die Ausbildung möglichst schädigungsarmer Oberflächenschichten, die keinen negativen Einfluß auf Festigkeitskennwerte aufweisen, betrachtet wird.
Die Wirkung verschiedener Schleif- und Polierprozesse auf Oberflächenveränderungen bearbeiteter Werkstücke wird dargestellt. Es wurde sowohl die Mikrostruktur der geschädigten Randzonenschicht als auch die des unbeeinflußten Grundmaterials mit elektronenmikroskopischen Methoden charakterisiert. Die verschiedenen Schädigungsstadien gestatten eine Einschätzung der Stärke des Störungseintrages in das Material durch verschiedene Schleif- und Polierprozesse.
Transmission electron microscopy study of rapid thermally annealed Pd/Ge contacts on IN0.53Ga0.47As
(1996)
Transmission electron microscopy study of rapid thermally annealed Pd/Ge contacts on In0.53Ga0.47As
(1996)
Phase formation in rapid thermally annealed Pd/Ge contacts on In0.53Ga0.47As has been investigated by means of cross-sectional transmission electron microscopy, convergent-beam electron diffraction, and energy-dispersive x-ray analysis. Solid-phase regrowth is observed to occur similarly as in Pd/Ge contacts on GaAs or InP. The reaction starts at low temperatures with the formation of an amorphous Pd–In–Ga–As layer, which crystallizes at elevated temperatures yielding hexagonal Pd4In0.53Ga0.47As being first described in this work. At temperatures .250 °C, this phase decomposes due to epitaxial solid-phase regrowth of In0.53Ga0.47As and formation of Pd–Ge phases. The stable composition is reached at temperatures .350 °C with excess Ge diffused through top Pd–Ge to the contact interface and growing epitaxially on the semiconductor.