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- 6.7 Materialsynthese und Design (45)
- 8 Zerstörungsfreie Prüfung (6)
- 8.6 Faseroptische Sensorik (6)
- 6.2 Material- und Oberflächentechnologien (4)
- 8.1 Sensorik, mess- und prüftechnische Verfahren (4)
- 6.1 Oberflächen- und Dünnschichtanalyse (3)
- 1 Analytische Chemie; Referenzmaterialien (1)
- 1.5 Proteinanalytik (1)
- 6.6 Physik und chemische Analytik der Polymere (1)
Eingeladener Vortrag
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Auf Basis einer Literaturstudie werden der Stand und die Perspektiven des Recyclings beschichteter Bauteile vorgestellt. Die Studie ist verfahrens-, branchen- und produktübergreifend angelegt. Die gesetzlichen Rahmenbedingungen werden erläutert, eine Auswahl beschichteter Bauteile und Materialkombinationen bezüglich ihrer Recyclingfähigkeit untersucht und unterschiedlichste Recyclingverfahren diskutiert. Auf die Bedeutung des Recyclings beschichteter Bauteile als spezieller Verbundwerkstoff wird eingegangen.
Glühentladung optischer Ausstrahlungsspektroskopie (GDOES) wurde ursprünglich für die elementare Analyse von Größenmaterialien entwickelt. Mehrere Gruppen führten diese Methode zur Analyse von Anstrichen, Laienstapeln und dünnen Filmen durch. In den frühen Neunzigern wurde eine ISO-TC 201-Arbeitsgruppe gegründet, um Normen für alle Formen der Glühentladungsspektroskopie (GDS) zu entwickeln und die Fähigkeiten der Oberflächenchemikalien-Analyse zu beurteilen, insbesondere für die Tiefe von gestuften Systemen. Die Quantifizierung von Tiefenprofilen, d.h. die Umwandlung von Intensitäts-Zeit- Profilen in Konzentrierungs-Tiefen-Profile ist für dc-mode entwickelt worden. 1997 wurde ein VAMAS TWA 2 Vorschlag für ein Referenzanstrich für GD-OES Tiefe gemacht. Entsprechend dem VAMAS Beurteilungsverfahren wurde dieser Vorschlag 1998 mit einigen geringfügigen Änderungen genehmigt.
Nanotechnologien werden gegenwärtig als leistungsfähige Oberflächentechniken in erheblichem Umfange industriell genutzt. Dabei spielen dünne Schichten und deren Kenndaten eine wesentliche Rolle, z.B. als Röntgenspiegel oder optische und magnetooptische Datenträger. Die Schichtdicke zählt hierbei zu den technologisch wichtigen Parametern. Abgeleitet von Anwenderinteressen, werden für die Röntgenreflektometrie (XRR bzw. GIXR), Elektronenstrahl-Mikroanalyse (EPMA) und Röntgenfluoreszenzanalyse (XRF) einerseits und die Ellipsometrie andererseits zugeschnittene Schichtdickenmaßverkörperungen (SDM) entwickelt, gefertigt und untersucht. Das Ziel ist die Bereitstellung praxistauglicher, kalibrierter SDM, im weiteren Schichtdickennormale (SDN) genannt. SDN sind Maßverkörperungen, für die der Schichtdickenwert mit einer definierten Messunsicherheit bekannt und auf ein metrologisch anerkanntes Längennormal zurückgeführt ist. Berichtet wird über die Herstellung und messtechnische Charakterisierung der beiden spezifischen Varianten von Maßverkörperungen.
A VUV-XUV ellipsometric setup at BESSY II: Optical characterisation of Nitride Semiconductors
(2003)
CdSe films grown on Ti-coated polished steel by constant-current deposition from an aqueous solution containing selenosulfite and cadmium nitrilotriacetate have been studied by spectroscopic ellipsometry under in-situ conditions. Ellipsometric parameters, tan? and cos?, were measured both as a function of deposition time at ? = 825 nm and of wavelength (? = 500-900 nm) for constant film thickness from 0.02 µm to 2.3 µm. The model used for data analysis, Ti-substrate | TiO2 | CdSe-film | solution, with optically homogenous phases was valid for film thickness larger than 0.3 µm. Refractive indices and extinction coefficients of the 2.3-µm film were derived for ? = 500900 nm. A direct band-gap of 1.72 eV was determined. The faradaic efficiency of electrodeposition was 0.93 for a current density of 50 µA cm-2.