Recent developments of photon counting and energy discriminating detectors for radiographic imaging

  • The direct detection of X-ray photons into electrical signals is enabled by usage of highly absorbing photo conducting materials (e.g. CdTe) as detection layer of an underlying CMOS semiconductor X-ray image detector. If the read-out speed is high enough (ca. 50 - 100 ns dead time) single X-ray photons can be counted and their energy measured. Read-out noise and dark image correction can be diminished. By setting energy thresholds, selected energy ranges of the X-ray spectrum can be detected or suppressed. This allows material discrimination or reduction of scattered radiation, which results in an enhanced contrast sensitivity.

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  • Walter_FENDT_IEEE_2017.pdf
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Metadaten
Autor*innen:David Schumacher, Uwe ZscherpelORCiD, Uwe Ewert
Dokumenttyp:Beitrag zu einem Tagungsband
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Proceedings of 2017 Far East NDT New Technology & Application Forum (FENDT)
Jahr der Erstveröffentlichung:2018
Organisationseinheit der BAM:8 Zerstörungsfreie Prüfung
8 Zerstörungsfreie Prüfung / 8.0 Abteilungsleitung und andere
Herausgeber (Institution):IEEE
Verlag:IEEE Xplore
Jahrgang/Band:2017
Erste Seite:281
Letzte Seite:285
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Freie Schlagwörter:Direct detection; Dual energy imaging; Energy discrimination; Industrial X-ray imaging; Photon counting
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Chemie und Prozesstechnik
Veranstaltung:Far East NDT New Technology & Application Forum (FENDT)
Veranstaltungsort:Xi'an, China
Beginndatum der Veranstaltung:22.06.2017
Enddatum der Veranstaltung:24.06.2017
DOI:10.1109/FENDT.2017.8584559
URL:https://ieeexplore.ieee.org/document/8584559
ISBN:978-1-5386-1615-4
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:11.01.2019
Referierte Publikation:Nein
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